公开(公告)号：US20090227097A1

公开(公告)日：2009-09-10

申请号：US12397542

申请日：2009-03-04

申请人： Nicholas Bateman ,  Atul Gupta ,  Christopher Hatem ,  Deepak Ramappa

发明人： Nicholas Bateman ,  Atul Gupta ,  Christopher Hatem ,  Deepak Ramappa

IPC分类号： H01L21/22

CPC分类号： H01L33/025 ,  H01L21/26513 ,  H01L31/022441 ,  H01L31/0236 ,  H01L31/03529 ,  H01L31/0682 ,  H01L31/1864 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

摘要： A method of tailoring the dopant profile of a substrate by utilizing two different dopants, each having a different diffusivity is disclosed. The substrate may be, for example, a solar cell. By introducing two different dopants, such as by ion implantation, furnace diffusion, or paste, it is possible to create the desired dopant profile. In addition, the dopants may be introduced simultaneously, partially simultaneously, or sequentially. Dopant pairs preferably consist of one lighter species and one heavier species, where the lighter species has a greater diffusivity. For example, dopant pairs such as boron and gallium, boron and indium, phosphorus and arsenic, and phosphorus and antimony, can be utilized.

摘要翻译： 公开了通过利用两种不同的掺杂剂来调整衬底的掺杂剂分布的方法，每种掺杂剂具有不同的扩散率。 衬底可以是例如太阳能电池。 通过引入两种不同的掺杂剂，例如通过离子注入，炉扩散或糊状物，可以产生所需的掺杂剂分布。 此外，掺杂剂可以同时，部分同时或顺序地引入。 掺杂剂对优选由一种较轻的物质和一种较重的物质组成，其中较轻的物质具有较大的扩散系数。 例如，可以使用诸如硼和镓，硼和铟，磷和砷的掺杂物对，以及磷和锑。

公开(公告)号：US08461032B2

公开(公告)日：2013-06-11

申请号：US12397542

申请日：2009-03-04

申请人： Nicholas Bateman ,  Atul Gupta ,  Christopher Hatem ,  Deepak Ramappa

发明人： Nicholas Bateman ,  Atul Gupta ,  Christopher Hatem ,  Deepak Ramappa

IPC分类号： H01L21/425

CPC分类号： H01L33/025 ,  H01L21/26513 ,  H01L31/022441 ,  H01L31/0236 ,  H01L31/03529 ,  H01L31/0682 ,  H01L31/1864 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

摘要： A method of tailoring the dopant profile of a substrate by utilizing two different dopants, each having a different diffusivity is disclosed. The substrate may be, for example, a solar cell. By introducing two different dopants, such as by ion implantation, furnace diffusion, or paste, it is possible to create the desired dopant profile. In addition, the dopants may be introduced simultaneously, partially simultaneously, or sequentially. Dopant pairs preferably consist of one lighter species and one heavier species, where the lighter species has a greater diffusivity. For example, dopant pairs such as boron and gallium, boron and indium, phosphorus and arsenic, and phosphorus and antimony, can be utilized.

摘要翻译： 公开了通过利用两种不同的掺杂剂来调整衬底的掺杂剂分布的方法，每种掺杂剂具有不同的扩散率。 衬底可以是例如太阳能电池。 通过引入两种不同的掺杂剂，例如通过离子注入，炉扩散或糊状物，可以产生所需的掺杂剂分布。 此外，掺杂剂可以同时，部分同时或顺序地引入。 掺杂剂对优选由一种较轻的物质和一种较重的物质组成，其中较轻的物质具有较大的扩散系数。 例如，可以使用诸如硼和镓，硼和铟，磷和砷的掺杂物对，以及磷和锑。

公开(公告)号：US09425027B2

公开(公告)日：2016-08-23

申请号：US13470731

申请日：2012-05-14

申请人： Ludovic Godet ,  Christopher Hatem ,  Deepak Ramappa ,  Xianfeng Lu ,  Anthony Renau ,  Patrick Martin

发明人： Ludovic Godet ,  Christopher Hatem ,  Deepak Ramappa ,  Xianfeng Lu ,  Anthony Renau ,  Patrick Martin

IPC分类号： C23C14/48 ,  C23C14/34 ,  H01J37/32 ,  B41J2/16

CPC分类号： C23C14/48 ,  B41J2/1606 ,  H01J37/32412 ,  H01J37/32422 ,  H01J37/32623

摘要： Methods of affecting a material's properties through the implantation of ions, such as by using a plasma processing apparatus with a plasma sheath modifier. In this way, properties such as resistance to chemicals, adhesiveness, hydrophobicity, and hydrophilicity, may be affected. These methods can be applied to a variety of technologies. In some cases, ion implantation is used in the manufacture of printer heads to reduce clogging by increasing the materials hydrophobicity. In other embodiments, MEMS and NEMS devices are produced using ion implantation to change the properties of fluid channels and other structures. In addition, ion implantation can be used to affect a material's resistance to chemicals, such as acids.

摘要翻译： 通过离子注入来影响材料性质的方法，例如通过使用具有等离子体护套改性剂的等离子体处理装置。 以这种方式，可以影响耐化学性，粘合性，疏水性和亲水性等特性。 这些方法可以应用于各种技术。 在某些情况下，离子注入用于制造打印头，以通过增加材料疏水性来减少堵塞。 在其他实施例中，使用离子注入来生产MEMS和NEMS装置，以改变流体通道和其它结构的性质。 此外，可以使用离子注入来影响材料对诸如酸的化学物质的抗性。

公开(公告)号：US20120288637A1

公开(公告)日：2012-11-15

申请号：US13470731

申请日：2012-05-14

申请人： Ludovic Godet ,  Christopher Hatem ,  Deepak Ramappa ,  Xianfeng Lu ,  Anthony Renau ,  Patrick Martin

发明人： Ludovic Godet ,  Christopher Hatem ,  Deepak Ramappa ,  Xianfeng Lu ,  Anthony Renau ,  Patrick Martin

IPC分类号： C23C14/48

CPC分类号： C23C14/48 ,  B41J2/1606 ,  H01J37/32412 ,  H01J37/32422 ,  H01J37/32623

摘要： Methods of affecting a material's properties through the implantation of ions, such as by using a plasma processing apparatus with a plasma sheath modifier. In this way, properties such as resistance to chemicals, adhesiveness, hydrophobicity, and hydrophilicity, may be affected. These methods can be applied to a variety of technologies. In some cases, ion implantation is used in the manufacture of printer heads to reduce clogging by increasing the materials hydrophobicity. In other embodiments, MEMS and NEMS devices are produced using ion implantation to change the properties of fluid channels and other structures. In addition, ion implantation can be used to affect a material's resistance to chemicals, such as acids.

摘要翻译： 通过离子注入来影响材料性质的方法，例如通过使用具有等离子体护套改性剂的等离子体处理装置。 以这种方式，可以影响耐化学性，粘合性，疏水性和亲水性等特性。 这些方法可以应用于各种技术。 在某些情况下，离子注入用于制造打印头，以通过增加材料疏水性来减少堵塞。 在其他实施例中，使用离子注入来生产MEMS和NEMS装置，以改变流体通道和其它结构的性质。 此外，可以使用离子注入来影响材料对诸如酸的化学物质的抗性。

公开(公告)号：US08778465B2

公开(公告)日：2014-07-15

申请号：US13469750

申请日：2012-05-11

申请人： Ludovic Godet ,  Xiangfeng Lu ,  Deepak Ramappa

发明人： Ludovic Godet ,  Xiangfeng Lu ,  Deepak Ramappa

IPC分类号： H05H1/24 ,  H01J37/32 ,  H01L31/028 ,  C23C16/24 ,  C23C16/04 ,  C23C16/505 ,  H01L31/0216

CPC分类号： C23C16/24 ,  C23C16/045 ,  C23C16/505 ,  H01J37/32082 ,  H01L31/02168 ,  H01L31/0284 ,  Y02E10/50

摘要： Methods of creating porous materials, such as silicon, are described. In some embodiments, plasma sheath modification is used to create ion beams of various incidence angles. These ion beams may, in some cases, form a focused ion beam. The wide range of incidence angles allows the material to be deposited amorphously. The porosity and pore size can be varied by changing various process parameters. In other embodiments, porous oxides can be created by adding oxygen to previously created layers of porous material.

摘要翻译： 描述了产生多孔材料如硅的方法。 在一些实施例中，使用等离子体护套修改来产生各种入射角的离子束。 在某些情况下，这些离子束可形成聚焦离子束。 大范围的入射角允许材料无定形地沉积。 通过改变各种工艺参数可以改变孔隙度和孔径。 在其它实施方案中，多孔氧化物可以通过向先前产生的多孔材料层加入氧来产生。

公开(公告)号：US08586460B2

公开(公告)日：2013-11-19

申请号：US13238734

申请日：2011-09-21

申请人： Deepak Ramappa

发明人： Deepak Ramappa

IPC分类号： H01L21/26 ,  H01L21/42

CPC分类号： H01L21/26506 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/2658 ,  H01L21/26593 ,  H01L21/268 ,  H01L31/068 ,  H01L31/0682 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

摘要： Methods of enabling the use of high wavelength lasers to create shallow melt junctions are disclosed. In some embodiments, the substrate may be preamorphized to change its absorption characteristics prior to the implantation of a dopant. In other embodiments, a single implant may serve to amorphize the substrate and provide dopant. Once the substrate is sufficiently amorphized, a laser melt anneal may be performed. Due to the changes in the absorption characteristics of the substrate, longer wavelength lasers may be used for the anneal, thereby reducing cost.

摘要翻译： 公开了使得能够使用高波长激光器产生浅熔融接头​​的方法。 在一些实施方案中，可以在注入掺杂剂之前使基质改变其变化的吸收特性。 在其它实施例中，单个植入物可用于使基底非晶化并提供掺杂剂。 一旦衬底充分非晶化，就可进行激光熔融退火。 由于衬底的吸收特性的变化，可以使用较长波长的激光器进行退火，从而降低成本。

公开(公告)号：US08153496B1

公开(公告)日：2012-04-10

申请号：US13041724

申请日：2011-03-07

申请人： Deepak Ramappa

发明人： Deepak Ramappa

IPC分类号： H01L21/331

CPC分类号： H01L31/0682 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

摘要： An improved method of doping a substrate is disclosed. The method is particularly beneficial to the creation of interdigitated back contact (IBC) solar cells. A patterned implant is performed to introduce a first dopant to a portion of the solar cell. After this implant is done, an oxidation layer is grown on the surface. The oxide layer grows more quickly over the implanted region than over the non-implanted region. An etching process is then performed to remove a thickness of oxide, which is equal to the thickness over the non-implanted regions. A second blanket implant is then performed. Due to the presence of oxide on portions of the solar cell, this blanket implant only implants ions in those regions which were not implanted previously.

摘要翻译： 公开了改进的掺杂衬底的方法。 该方法特别有利于产生叉指式背接触（IBC）太阳能电池。 执行图案化的注入以将第一掺杂剂引入太阳能电池的一部分。 在完成该植入物之后，在表面上生长氧化层。 氧化物层在注入区域上比在非植入区域上更快地生长。 然后进行蚀刻处理以去除等于非植入区域上的厚度的氧化物的厚度。 然后进行第二次覆盖植入。 由于在太阳能电池的部分上存在氧化物，所以这种覆盖式植入物仅在先前未被植入的那些区域中植入离子。

公开(公告)号：US20110275173A1

公开(公告)日：2011-11-10

申请号：US13098942

申请日：2011-05-02

申请人： Fareen Adeni Khaja ,  Deepak Ramappa ,  San Yu ,  Chi-Chun Chen

发明人： Fareen Adeni Khaja ,  Deepak Ramappa ,  San Yu ,  Chi-Chun Chen

IPC分类号： H01L33/08

CPC分类号： H01L21/2654 ,  H01L21/26586 ,  H01L21/26593 ,  H01L21/266 ,  H01L27/156 ,  H01L33/0095 ,  H01L33/38

摘要： An improved method of creating LED arrays is disclosed. A p-type layer, multi-quantum well and n-type layer are disposed on a substrate. The device is then etched to expose portions of the n-type layer. To create the necessary electrical isolation between adjacent LEDs, an ion implantation is performed to create a non-conductive implanted region. In some embodiments, an implanted region extends through the p-type layer, MQW and n-type layer. In another embodiment, a first implanted region is created in the n-type layer. In addition, a second implanted region is created in the p-type layer and multi-quantum well immediately adjacent to etched n-type layer. In some embodiments, the ion implantation is done perpendicular to the substrate. In other embodiments, the implant is performed at an angle.

摘要翻译： 公开了一种改进的LED阵列的制造方法。 p型层，多量子阱和n型层设置在基板上。 然后将器件蚀刻以暴露n型层的部分。 为了在相邻LED之间创建必要的电隔离，执行离子注入以产生非导电注入区域。 在一些实施例中，注入区域延伸穿过p型层，MQW和n型层。 在另一个实施例中，在n型层中形成第一注入区。 此外，在p型层和紧邻蚀刻的n型层的多量子阱中产生第二注入区。 在一些实施例中，垂直于衬底完成离子注入。 在其他实施例中，以一定角度执行植入物。

公开(公告)号：US20070038325A1

公开(公告)日：2007-02-15

申请号：US11204143

申请日：2005-08-15

申请人： Richard Guldi ,  Jae Park ,  Deepak Ramappa

发明人： Richard Guldi ,  Jae Park ,  Deepak Ramappa

IPC分类号： G06F19/00

CPC分类号： G03F7/7065

摘要： Semiconductor devices formed on wafers are inspected using a master wafer. A subject wafer of a semiconductor design is provided. The subject wafer has dies wherein semiconductor devices of the semiconductor design are formed and at a stage of fabrication. A current layer of the subject wafer is scanned to obtain a scanned layer/image. A master wafer comprising individual wafer/layer maps is obtained. The scanned layer is compared with a corresponding layer map. Matching and non-matching defects are identified from repetitive defects within the corresponding layer map and defects within the scanned layer. The matching defects are reviewed to classify and or identify causality. The master wafer is then updated.

摘要翻译： 使用母晶片检查在晶片上形成的半导体器件。 提供半导体设计的主题晶片。 主体晶片具有半导体设计的半导体器件形成并处于制造阶段的裸片。 扫描目标晶片的当前层以获得扫描图像/图像。 获得包括单独晶片/层映射的主晶片。 扫描层与对应的层图进行比较。 匹配和不匹配的缺陷是由相应层图中的重复缺陷和扫描层内的缺陷来识别的。 审查匹配的缺陷以分类和/或识别因果关系。 然后更新主晶片。

公开(公告)号：US08283265B2

公开(公告)日：2012-10-09

申请号：US12640760

申请日：2009-12-17

申请人： Deepak Ramappa ,  Kyu-Ha Shim

发明人： Deepak Ramappa ,  Kyu-Ha Shim

IPC分类号： H01L21/31 ,  H01L21/469

CPC分类号： H01L21/28282 ,  H01L29/4234 ,  H01L29/513

摘要： Methods of improving charge trapping are disclosed. One such method includes forming an oxide-nitride-oxide tunnel stack and a silicon nitride layer on the oxide-nitride-oxide tunnel stack. This silicon nitride layer is implanted with ions. These ions may function as electron traps or as fields. The silicon nitride layer may be part of a flash memory device.

摘要翻译： 公开了改善电荷俘获的方法。 一种这样的方法包括在氧化物 - 氮化物 - 氧化物隧道叠层上形成氧化物 - 氮化物 - 氧化物隧道堆叠和氮化硅层。 该氮化硅层被注入离子。 这些离子可以用作电子阱或场。 氮化硅层可以是闪存器件的一部分。