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    FUNCTIONALIZED DIENE RUBBERS
    4.
    发明申请
    FUNCTIONALIZED DIENE RUBBERS 审中-公开
    功能性二氧化碳

    公开(公告)号：US20110282001A1

    公开(公告)日：2011-11-17

    申请号：US13123995

    申请日：2009-10-15

    申请人： Norbert Steinhauser ,  Thomas Gross

    发明人： Norbert Steinhauser ,  Thomas Gross

    IPC分类号： C08L9/06

    CPC分类号： C08J3/24 ,  B60C1/00 ,  C08C19/20 ,  C08C19/44 ,  C08J2309/06 ,  C08K3/04 ,  C08K3/36 ,  C08K5/18 ,  C08L9/00 ,  C08L19/006 ,  C08L91/00 ,  Y02T10/862

    摘要： The present invention relates to functionalised diene rubbers and their production, to rubber mixtures, comprising these functionalised diene rubbers, and to their use for the production of rubber vulcanisates, which serve in particular for the production of highly reinforced rubber mouldings. Particular preference is given to the use in the production of tyres which have particularly low rolling resistance, and particularly high wet slip resistance and abrasion resistance.

    摘要翻译： 本发明涉及官能化二烯橡胶及其生产，包括这些官能化二烯橡胶的橡胶混合物，以及它们用于生产橡胶硫化橡胶的用途，其特别用于生产高度增强的橡胶模制品。 特别优选用于生产具有特别低的滚动阻力，特别是高的防湿滑性和耐磨性的轮胎。

    FUNCTIONALIZED CARBON BLACK-FILLED RUBBERS
    5.
    发明申请
    FUNCTIONALIZED CARBON BLACK-FILLED RUBBERS 审中-公开
    功能性炭黑填充橡胶

    公开(公告)号：US20110021660A1

    公开(公告)日：2011-01-27

    申请号：US12676609

    申请日：2008-09-04

    申请人： Norbert Steinhauser ,  Dave Hardy ,  Thomas Gross

    发明人： Norbert Steinhauser ,  Dave Hardy ,  Thomas Gross

    IPC分类号： C08J5/14

    CPC分类号： B60C1/0016 ,  C08K3/04 ,  Y02T10/862 ,  C08L19/006

    摘要： The invention relates to functionalized carbon black-filled rubbers, to the production of such rubber mixtures and to their use in producing vulcanized rubbers that are especially used for producing highly reinforced molded rubber products, especially for producing tires that have an especially low rolling resistance, especially good non-skid properties on wet surfaces and a good abrasion resistance.

    摘要翻译： 本发明涉及官能化炭黑填充的橡胶，用于生产这种橡胶混合物，以及它们在生产特别用于生产高度增强的模制橡胶产品的硫化橡胶中的用途，特别是用于生产具有特别低滚动阻力的轮胎， 特别是在湿润表面上具有良好的防滑性能和良好的耐磨性。

    CARBINOL-TERMINATED POLYMERS CONTAINING ALLYLAMINE
    6.
    发明申请
    CARBINOL-TERMINATED POLYMERS CONTAINING ALLYLAMINE 有权
    含有亚胺的碳纳酮封端聚合物

    公开(公告)号：US20150118429A1

    公开(公告)日：2015-04-30

    申请号：US14399101

    申请日：2013-04-29

    申请人： Norbert Steinhauser ,  Thomas Gross ,  Fernanda Albino

    发明人： Norbert Steinhauser ,  Thomas Gross ,  Fernanda Albino

    IPC分类号： C08F236/10 ,  C08L9/06

    CPC分类号： C08F236/10 ,  B60C1/0016 ,  C08C19/25 ,  C08C19/44 ,  C08F36/04 ,  C08L9/06 ,  C08L15/00 ,  C08L2205/02 ,  Y10T428/139 ,  Y10T428/215 ,  C08F4/48

    摘要： The present invention relates to diene polymers or diene copolymers, wherein she diene polymers or diene copolymers have, at the start of the polymer chains, tertiary amino groups of the formula (Ia), (Ib), (IIa) or (IIb) whereR1, R2 are the same or different and are each alkyl, cycloalkyl, aryl, alkaryl and aralkyl radicals which may contain heteroatoms such as O, M, S and/or Si,Z is a divalent organic radical which, as well as C and H, may contain heleroatoms such as O, N, S and/or Si,and, at the end of the polymer chains, silane-containing carbinol groups of the formula (III) or metal salts thereof or semimetal salts thereof, whereR3, R4, R5, R6 are the same or different and are each an H or alkyl, cycloalkyl, aryl, alkaryl and aralkyl radicals which may contain heteroatoms such as O, N, S and/or Si,A is a divalent organic radical which, as well as C and H, may contain heteroatoms such as O, N, S and/or Si.

    摘要翻译： 本发明涉及二烯聚合物或二烯共聚物，其中二烯聚合物或二烯共聚物在聚合物链开始时具有式（Ia），（Ib），（IIa）或（IIb）的叔氨基，其中 R 1，R 2相同或不同，各自可以含有杂原子如O，M，S和/或Si的烷基，环烷基，芳基，烷芳基和芳烷基，Z是二价有机基团，以及C和 H，可以含有诸如O，N，S和/或Si之类的天然原子，并且在聚合物链的末端，式（III）的含硅烷的甲醇基团或其金属盐或其半金属盐，其中R3， R 4，R 5，R 6相同或不同，并且各自为可以含有杂原子如O，N，S和/或Si的H或烷基，环烷基，芳基，烷芳基和芳烷基，A为二价有机基团， 以及C和H可以含有杂原子如O，N，S和/或Si。

    FUNCTIONALIZED HIGH VINYL DIENE RUBBERS
    7.
    发明申请
    FUNCTIONALIZED HIGH VINYL DIENE RUBBERS 审中-公开
    功能齐全的高乙烯二烯橡胶

    公开(公告)号：US20110003932A1

    公开(公告)日：2011-01-06

    申请号：US12676640

    申请日：2008-09-04

    申请人： Norbert Steinhauser ,  Thomas Gross ,  Alex Lucassen

    发明人： Norbert Steinhauser ,  Thomas Gross ,  Alex Lucassen

    IPC分类号： C08L9/00

    CPC分类号： C08L9/00 ,  B60C1/0016 ,  C08C19/20 ,  C08C19/44 ,  C08K3/013 ,  Y02T10/862 ,  C08L13/00 ,  C08L19/006

    摘要： The present invention relates to functionalized high-vinyl-content diene rubbers, to the preparation of rubber mixtures which comprise functionalized high-vinyl-content diene rubbers, and to the use thereof for the production of rubber vulcanizates which serve in particular for the production of highly reinforced rubber mouldings, particularly preferably for the production of tyres, where these have particularly low rolling resistance, and particularly high wet skid resistance and abrasion resistance.

    摘要翻译： 本发明涉及官能化的高乙烯基含量二烯橡胶，制备包含官能化的高乙烯基含量二烯橡胶的橡胶混合物，以及其用于生产橡胶硫化橡胶的用途，其特别用于生产 高度增强的橡胶模制品，特别优选用于生产具有特别低的滚动阻力，特别是高耐湿滑性和耐磨性的轮胎。

    Semiconductor structure and method
    10.
    发明授权
    Semiconductor structure and method 有权
    半导体结构与方法

    公开(公告)号：US07468307B2

    公开(公告)日：2008-12-23

    申请号：US11476497

    申请日：2006-06-28

    申请人： Walter Hartner ,  Andreas Meiser ,  Hermann Gruber ,  Dietrich Bonart ,  Thomas Gross

    发明人： Walter Hartner ,  Andreas Meiser ,  Hermann Gruber ,  Dietrich Bonart ,  Thomas Gross

    IPC分类号： H01L21/76

    CPC分类号： H01L21/743 ,  H01L23/535 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/7809 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

    摘要： A semiconductor structure includes a semiconductor layer stack includes a semiconductor substrate of a first conductivity type, a heavily-doped buried layer of a second conductivity type, and a monocrystalline semiconductor layer of a third conductivity type formed on top of the semiconductor layer and the buried layer, a contact to the buried layer, the contact formed in a contact hole, and a lateral insulation of different portions of the semiconductor structure, the insulation formed in an isolation trench. A contact to the semiconductor substrate may be formed within the isolation trench.

    摘要翻译： 半导体结构包括半导体层堆叠，其包括第一导电类型的半导体衬底，第二导电类型的重掺杂掩埋层和形成在半导体层的顶部上的第三导电类型的单晶半导体层和埋入 层，与埋层的接触，在接触孔中形成的接触以及半导体结构的不同部分的横向绝缘，所述绝缘体形成在隔离沟槽中。 可以在隔离沟槽内形成与半导体衬底的接触。