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公开(公告)号：US20090126977A1
公开(公告)日：2009-05-21
申请号：US12104252
申请日：2008-04-16
IPC分类号： H05K1/09
CPC分类号： C23C14/042 , C23C14/081 , C23C14/165 , H01L21/768 , H01L21/76802 , H01L23/5283 , H01L2924/0002 , H05K3/048 , Y10S148/026 , Y10S977/932 , H01L2924/00
摘要： This disclosure describes system(s) and/or method(s) enabling contacts for individual nanometer-scale-thickness layers of a multilayer film.
摘要翻译： 本公开描述了实现多层膜的单个纳米级厚度层的接触的系统和/或方法。
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公开(公告)号：US07847368B2
公开(公告)日：2010-12-07
申请号：US12104252
申请日：2008-04-16
IPC分类号： H01L29/00
CPC分类号： C23C14/042 , C23C14/081 , C23C14/165 , H01L21/768 , H01L21/76802 , H01L23/5283 , H01L2924/0002 , H05K3/048 , Y10S148/026 , Y10S977/932 , H01L2924/00
摘要： This disclosure describes system(s) and/or method(s) enabling contacts for individual nanometer-scale-thickness layers of a multilayer film.
摘要翻译： 本公开描述了实现多层膜的单个纳米级厚度层的接触的系统和/或方法。
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公开(公告)号：US20060194420A1
公开(公告)日：2006-08-31
申请号：US11068363
申请日：2005-02-28
IPC分类号： H01L21/20
CPC分类号： C23C14/042 , C23C14/081 , C23C14/165 , H01L21/768 , H01L21/76802 , H01L23/5283 , H01L2924/0002 , H05K3/048 , Y10S148/026 , Y10S977/932 , H01L2924/00
摘要： This disclosure describes system(s) and/or method(s) enabling contacts for individual nanometer-scale-thickness layers of a multilayer film.
摘要翻译： 本公开描述了实现多层膜的单个纳米级厚度层的接触的系统和/或方法。
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公开(公告)号：US20060169592A1
公开(公告)日：2006-08-03
申请号：US11047089
申请日：2005-01-31
IPC分类号： C25D11/04
摘要： A periodic layered structure having physical and chemical properties varying periodically at least along a direction perpendicular to its layers is made by providing a substrate, depositing a quantity of non-porous electrochemically oxidizable material over the substrate, at least partially anodizing the non-porous electrochemically oxidizable material, and repeating similar steps until a layered structure having a desired periodicity and a desired total structure thickness is completed.
摘要翻译： 具有至少沿垂直于其层的方向周期性变化的物理和化学特性的周期性分层结构通过提供衬底，在衬底上沉积一定数量的无孔电化学可氧化材料，至少部分地阳极氧化非电化学电化学 可氧化材料，并重复类似的步骤，直到完成具有期望的周期性和期望的总结构厚度的分层结构。
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公开(公告)号：US20060003267A1
公开(公告)日：2006-01-05
申请号：US11215985
申请日：2005-08-31
IPC分类号： G03C5/00
CPC分类号： H01L21/76838 , C23C4/123 , C23C4/18 , C30B29/68 , G03F7/40 , H01L21/4846 , H05K3/20 , H05K3/205 , H05K2203/0117 , H05K2203/025
摘要： In one embodiment, a method for fabricating a nano-structure includes forming a feature on a substrate, depositing multiple layers of material over the substrate and feature to form a multi-layer stack, depositing a film over the multi-layer stack, removing a portion of the film and the multi-layer stack to expose edges of the layers of material, and removing portions of the layers of material to form trenches at a surface of the nano-structure.
摘要翻译： 在一个实施例中，用于制造纳米结构的方法包括在衬底上形成特征，在衬底上沉积多层材料并且特征以形成多层堆叠，在多层堆叠上沉积膜， 膜和多层叠层的部分以暴露材料层的边缘，以及去除材料层的部分以在纳米结构的表面形成沟槽。
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公开(公告)号：US07375012B2
公开(公告)日：2008-05-20
申请号：US11068363
申请日：2005-02-28
IPC分类号： H01L21/425
CPC分类号： C23C14/042 , C23C14/081 , C23C14/165 , H01L21/768 , H01L21/76802 , H01L23/5283 , H01L2924/0002 , H05K3/048 , Y10S148/026 , Y10S977/932 , H01L2924/00
摘要： This disclosure describes system(s) and/or method(s) enabling contacts for individual nanometer-scale-thickness layers of a multilayer film.
摘要翻译： 本公开描述了实现多层膜的单个纳米级厚度层的接触的系统和/或方法。
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公开(公告)号：US07112296B2
公开(公告)日：2006-09-26
申请号：US10273732
申请日：2002-10-18
IPC分类号： B29C39/12
CPC分类号： H01M8/2425 , H01M8/1231 , H01M8/124 , H01M8/2432 , Y02P70/56
摘要： An electrolyte has a core and at least one projection extending from the core. The core is supported on a substrate, and the at least one projection is separated from the substrate.
摘要翻译： 电解质具有芯和从芯延伸的至少一个突起。 芯部被支撑在基板上，并且至少一个突起与基板分离。
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公开(公告)号：US20060172167A1
公开(公告)日：2006-08-03
申请号：US11364291
申请日：2006-02-28
申请人： Gregory Herman , Sriram Ramamoorthi , Peter Mardilovich , Ronald Enck , J. Smith
发明人： Gregory Herman , Sriram Ramamoorthi , Peter Mardilovich , Ronald Enck , J. Smith
CPC分类号： H01M8/2425 , H01M8/1231 , H01M8/124 , H01M8/2432 , Y02P70/56
摘要： An electrolyte has a core and at least one projection extending from the core. The core is supported on a substrate, and the at least one projection is separated from the substrate.
摘要翻译： 电解质具有芯和从芯延伸的至少一个突起。 芯部被支撑在基板上，并且至少一个突起与基板分离。
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公开(公告)号：US07855151B2
公开(公告)日：2010-12-21
申请号：US11894316
申请日：2007-08-21
申请人： Swaroop K. Kommera , Siddhartha Bhowmik , Richard J. Oram , Sriram Ramamoorthi , David M. Braun
发明人： Swaroop K. Kommera , Siddhartha Bhowmik , Richard J. Oram , Sriram Ramamoorthi , David M. Braun
IPC分类号： H01L21/461
CPC分类号： B81C1/00087 , B41J2/16 , B41J2/1628 , B41J2/1629 , B41J2/1634 , B81B2201/052 , H01L21/76898
摘要： A slot is formed that reaches through a first side of a silicon substrate to a second side of the silicon substrate. A trench is laser patterned. The trench has a mouth at the first side of the silicon substrate. The trench does not reach the second side of the silicon substrate. The trench is dry etched until a depth of at least a portion of the trench is extended approximately to the second side of the silicon substrate (12). A wet etch is performed to complete formation of the slot. The wet etch etches silicon from all surfaces of the trench.
摘要翻译： 形成通过硅衬底的第一侧到达硅衬底的第二侧的槽。 沟槽是激光图案。 沟槽在硅衬底的第一侧具有口。 沟槽没有到达硅衬底的第二面。 沟槽被干蚀刻直到沟槽的至少一部分的深度大致延伸到硅衬底（12）的第二侧。 执行湿蚀刻以完成槽的形成。 湿蚀刻从沟槽的所有表面蚀刻硅。
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公开(公告)号：US07851876B2
公开(公告)日：2010-12-14
申请号：US11584057
申请日：2006-10-20
IPC分类号： G01L9/00
CPC分类号： B81C1/00253 , B81B2201/0235 , B81B2203/051 , B81B2203/053 , B81C1/00142 , B81C3/004 , B81C2201/019 , B81C2203/058
摘要： Embodiments of a micro electro mechanical system are disclosed.
摘要翻译： 公开了一种微机电系统的实施例。
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