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    Devices and methods for calibrating and operating a snapback clamp circuit
    2.
    发明授权
    Devices and methods for calibrating and operating a snapback clamp circuit 有权
    用于校准和操作快速恢复钳位电路的装置和方法

    公开(公告)号：US09182767B2

    公开(公告)日：2015-11-10

    申请号：US13794268

    申请日：2013-03-11

    申请人： QUALCOMM Incorporated

    发明人： Ankit Srivastava ,  Matthew David Sienko ,  Eugene Robert Worley

    IPC分类号： H02H9/00 ,  G05F1/10 ,  H01L27/02 ,  H01L27/06 ,  H02H9/04 ,  H02H3/00

    CPC分类号： G05F1/10 ,  H01L27/0274 ,  H01L27/0277 ,  H01L27/0629 ,  H02H3/006 ,  H02H9/041 ,  H02H9/046

    摘要： A device includes a snapback clamp circuit configured to clamp a supply voltage in response to the supply voltage exceeding a trigger voltage level. In at least one embodiment, the snapback clamp circuit includes a clamp transistor and a programmable resistance portion that is responsive to a control signal to calibrate the trigger voltage level. Alternatively or in addition, the snapback clamp circuit may include a programmable bias device configured to calibrate the trigger voltage level by biasing a gate terminal of the clamp transistor. In another particular embodiment, a method of calibrating a snapback clamp circuit is disclosed. In another particular embodiment, a method of operating an integrated circuit is disclosed.

    摘要翻译： 一种设备包括一个快速恢复钳位电路，配置成响应于超过触发电压电平的电源电压来钳位电源电压。 在至少一个实施例中，快速恢复钳位电路包括钳位晶体管和可编程电阻部分，其响应于控制信号来校准触发电压电平。 或者或另外，快速恢复钳位电路可以包括可编程偏置装置，其被配置为通过偏置钳位晶体管的栅极端子来校准触发电压电平。 在另一个具体实施例中，公开了一种校准快速恢复钳位电路的方法。 在另一个具体实施例中，公开了一种操作集成电路的方法。

    RADIO FREQUENCY INTEGRATED CIRCUIT (RFIC) CHARGED-DEVICE MODEL (CDM) PROTECTION
    4.
    发明申请
    RADIO FREQUENCY INTEGRATED CIRCUIT (RFIC) CHARGED-DEVICE MODEL (CDM) PROTECTION 审中-公开
    无线电频率集成电路（RFIC）充电器模型（CDM）保护

    公开(公告)号：US20140268446A1

    公开(公告)日：2014-09-18

    申请号：US13840593

    申请日：2013-03-15

    申请人： QUALCOMM INCORPORATED

    发明人： Prasad Srinivasa Siva Gudem ,  Himanshu Khatri ,  Devavrata V. Godbole ,  Eugene Robert Worley

    IPC分类号： H02H9/04

    CPC分类号： H02H9/041

    摘要： An apparatus is described. The apparatus includes an input device. The apparatus also includes a positive supply voltage pad. The apparatus further includes an input signal pad. The apparatus also includes a ground pad. The apparatus further includes charged-device model protection circuitry that protects the input device from electrostatic discharge. The charged-device model protection circuitry includes at least one of de-Q circuitry and a cascode device.

    摘要翻译： 描述了一种装置。 该装置包括输入装置。 该装置还包括正电源电压垫。 该装置还包括输入信号垫。 该装置还包括接地垫。 该装置还包括保护输入装置免受静电放电的充电装置型号保护电路。 充电设备型号保护电路包括去Q电路和共源共用器件中的至少一个。

    INTEGRATED CIRCUIT (IC) PACKAGE COMPRISING ELECTROSTATIC DISCHARGE (ESD) PROTECTION
    5.
    发明申请
    INTEGRATED CIRCUIT (IC) PACKAGE COMPRISING ELECTROSTATIC DISCHARGE (ESD) PROTECTION 有权
    包含静电放电（ESD）保护的集成电路（IC）封装

    公开(公告)号：US20170063079A1

    公开(公告)日：2017-03-02

    申请号：US14838034

    申请日：2015-08-27

    申请人： QUALCOMM Incorporated

    发明人： Shiqun Gu ,  Eugene Robert Worley ,  Ratibor Radojcic ,  Urmi Ray

    IPC分类号： H02H9/04

    CPC分类号： H02H9/046 ,  H01L23/48 ,  H01L23/60 ,  H01L23/62 ,  H01L27/0255 ,  H01L27/0292 ,  H01L27/0296 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H02H9/044 ,  H01L2924/00012

    摘要： An integrated circuit (IC) package includes a die, a package substrate coupled to the die, and a first electrostatic discharge (ESD) protection component coupled to the package substrate, where the first electrostatic discharge (ESD) protection component is configured to provide package level electrostatic discharge (ESD) protection. In some implementations, the first electrostatic discharge (ESD) protection component is embedded in the package substrate. In some implementations, the die includes an internal electrostatic discharge (ESD) protection component configured to provide die level electrostatic discharge (ESD) protection. In some implementations, the internal electrostatic discharge (ESD) protection component and the first electrostatic discharge (ESD) protection component are configured to provide cumulative electrostatic discharge (ESD) protection for the die.

    摘要翻译： 集成电路（IC）封装包括管芯，耦合到管芯的封装衬底以及耦合到封装衬底的第一静电放电（ESD）保护元件，其中第一静电放电（ESD）保护元件被配置为提供封装 级静电放电（ESD）保护。 在一些实施方案中，第一静电放电（ESD）保护组件嵌入在封装衬底中。 在一些实施方案中，管芯包括配置成提供管芯级静电放电（ESD）保护的内部静电放电（ESD）保护部件。 在一些实施方案中，内部静电放电（ESD）保护部件和第一静电放电（ESD）保护部件被配置为为管芯提供累积静电放电（ESD）保护。

    Mixed mode RC clamps
    6.
    发明授权
    Mixed mode RC clamps 有权
    混合模式RC夹

    公开(公告)号：US09406627B2

    公开(公告)日：2016-08-02

    申请号：US14038663

    申请日：2013-09-26

    申请人： QUALCOMM Incorporated

    发明人： Eugene Robert Worley ,  Reza Jalilizeinali ,  Sreeker Dundigal

    IPC分类号： H01L27/06 ,  H01L23/60 ,  H01L27/02 ,  H02H9/04

    CPC分类号： H01L23/60 ,  H01L27/0285 ,  H01L27/0682 ,  H01L2924/0002 ,  H02H9/046 ,  H01L2924/00

    摘要： A system interconnect includes a first resistor-capacitor (RC) clamp having a first RC time constant. The system interconnect also includes second RC clamps having a second RC time constant. The first and second RC clamps are arranged along the system interconnect. In addition, the first RC time constant is different from the second RC time constant.

    摘要翻译： 系统互连包括具有第一RC时间常数的第一电阻器 - 电容（RC）钳位。 系统互连还包括具有第二RC时间常数的第二RC钳位。 第一和第二RC夹具沿着系统互连排列。 另外，第一RC时间常数与第二RC时间常数不同。

    ELECTROSTATIC DISCHARGE CIRCUIT WITH REDUCED STANDBY CURRENT
    7.
    发明申请
    ELECTROSTATIC DISCHARGE CIRCUIT WITH REDUCED STANDBY CURRENT 审中-公开
    具有降低待机电流的静电放电电路

    公开(公告)号：US20150249334A1

    公开(公告)日：2015-09-03

    申请号：US14194158

    申请日：2014-02-28

    申请人： Qualcomm Incorporated

    发明人： Wen-Yi Chen ,  Sreeker Dundigal ,  Reza Jalilizeinali ,  Eugene Robert Worley

    IPC分类号： H02H9/04

    CPC分类号： H02H9/046

    摘要： Techniques for reducing leakage current during normal operation of an electrostatic discharge (ESD) circuit are described herein. In one embodiment, a circuit comprises an internal circuit and an electrostatic discharge (ESD) rail clamp coupled in parallel to the internal circuit and between first and second power supply rails. The ESD rail clamp is operable to shunt ESD current from the first power supply rail to the second power supply rail via a low resistance shunt path. The ESD rail clamp comprises an ESD trigger circuit configured to detect an ESD event and a plurality of discharging transistors coupled in series. The ESD trigger circuit is configured to turn off the discharging transistors during normal operation and to turn on the discharging transistors to form the low resistance shunt path in response to detection of the ESD event.

    摘要翻译： 本文描述了用于在静电放电（ESD）电路的正常操作期间减小泄漏电流的技术。 在一个实施例中，电路包括与内部电路并联并且在第一和第二电源轨之间并联的内部电路和静电放电（ESD）导轨夹。 ESD导轨夹可用于通过低电阻分流路径将ESD电流从第一电源轨分流到第二电源轨。 ESD导轨夹具包括被配置为检测ESD事件的ESD触发电路和串联耦合的多个放电晶体管。 ESD触发电路被配置为在正常操作期间关闭放电晶体管，并且响应于ESD事件的检测而导通放电晶体管以形成低电阻分流路径。

    Electrostatic discharge clamp with disable
    10.
    发明授权
    Electrostatic discharge clamp with disable 有权
    带静电放电钳

    公开(公告)号：US09083176B2

    公开(公告)日：2015-07-14

    申请号：US13740102

    申请日：2013-01-11

    申请人： QUALCOMM Incorporated

    发明人： Eugene Robert Worley ,  Sreeker Dundigal ,  Evan Siansuri ,  Reza Jalilizeinali ,  Michael Brunolli

    IPC分类号： H02H9/00 ,  H02H9/04 ,  G06F1/30 ,  H01L23/62

    CPC分类号： H02H9/046 ,  G06F1/305 ,  H01L23/62 ,  H01L2924/0002 ,  H02H9/043 ,  H01L2924/00

    摘要： In a particular embodiment, a circuit includes a power supply, a ground, and a clamping transistor circuit coupled to the power supply and to the ground. The circuit further includes a disable clamp circuit. The disable clamp circuit is coupled to the power supply and is responsive to a second power supply input to selectively disable the clamping transistor circuit by modifying a charging current applied to a capacitor of the clamping transistor circuit. In a particular embodiment, modifying the charging current includes enabling a second charging path. Enabling the second charging path enables charging the capacitor at a higher charging rate than a charging rate associated with charging the capacitor via a first charging path.

    摘要翻译： 在特定实施例中，电路包括耦合到电源和接地的电源，接地和钳位晶体管电路。 电路还包括禁止钳位电路。 禁止钳位电路耦合到电源，并且响应于第二电源输入，以通过修改施加到钳位晶体管电路的电容器的充电电流来选择性地禁止钳位晶体管电路。 在特定实施例中，修改充电电流包括实现第二充电路径。 启用第二充电路径使得能够以比通过第一充电路径对电容器充电相关的充电速率更高的充电速率对电容器进行充电。