公开(公告)号：US08569891B1

公开(公告)日：2013-10-29

申请号：US12724491

申请日：2010-03-16

申请人： Roberto Somaschini ,  Alessandro Vaccaro ,  Paolo Tessariol ,  Giulio Albini

发明人： Roberto Somaschini ,  Alessandro Vaccaro ,  Paolo Tessariol ,  Giulio Albini

IPC分类号： G11C11/24

CPC分类号： H01L21/76807 ,  H01L21/76808 ,  H01L21/76811 ,  H01L21/76816 ,  H01L21/7684 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76895 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/5283 ,  H01L27/1052 ,  H01L27/11521 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： Array contacts for semiconductor memories may be formed using a first set of parallel stripe masks and subsequently a second set of parallel stripe masks transverse to the first set. For example, one set of masks may be utilized to etch a dielectric layer, to form parallel spaced trenches. Then the trenches may be filled with a sacrificial material. That sacrificial material may then be masked transversely to its length and etched, for example. The resulting openings may be filled with a metal to form array contacts.

公开(公告)号：US08329545B1

公开(公告)日：2012-12-11

申请号：US12346363

申请日：2008-12-30

申请人： Umberto M. Meotto ,  Giulio Albini ,  Paolo Tessariol ,  Paola Bacciaglia ,  Marcello Mariani

发明人： Umberto M. Meotto ,  Giulio Albini ,  Paolo Tessariol ,  Paola Bacciaglia ,  Marcello Mariani

IPC分类号： H01L21/336

CPC分类号： H01L27/11568 ,  H01L21/02233 ,  H01L21/28282 ,  H01L21/76224 ,  H01L27/11573 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/66833 ,  H01L29/792

摘要： Subject matter disclosed herein relates to a method of manufacturing a semiconductor integrated circuit device, and more particularly to a method of fabricating a charge trap NAND flash memory device.

摘要翻译： 本文公开的主题涉及一种制造半导体集成电路器件的方法，更具体地说涉及一种制造电荷阱NAND快闪存储器件的方法。

公开(公告)号：US07419876B2

公开(公告)日：2008-09-02

申请号：US11319798

申请日：2005-12-27

申请人： Carlo Cremonesi ,  Alessandro Grossi ,  Giulio Albini

发明人： Carlo Cremonesi ,  Alessandro Grossi ,  Giulio Albini

IPC分类号： H01L21/336

CPC分类号： H01L27/105 ,  H01L21/28273 ,  H01L27/11526 ,  H01L27/11539 ,  H01L27/11546 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/7833

摘要： A method manufactures non-volatile memory devices integrated on a semiconductor substrate and including a matrix of non-volatile memory cells and associated circuitry. The manufacturing method includes: forming a plurality of electrodes of the matrix memory cells, each electrode including a first dielectric layer, a first conductive layer, a second dielectric layer and a second conductive layer; and forming a plurality of electrodes of transistors of the circuitry each including a first dielectric layer and a first conductive layer. The method also includes forming first coating spacers on the side walls of the gate electrodes of the memory cell and second coating spacers on the side walls of the gate electrodes of the circuitry, the second spacers being wider than the first spacers.

摘要翻译： 一种方法制造集成在半导体衬底上并包括非易失性存储器单元矩阵和相关电路的非易失性存储器件。 该制造方法包括：形成矩阵存储单元的多个电极，每个电极包括第一介电层，第一导电层，第二介电层和第二导电层; 以及形成所述电路的多个晶体管的电极，每个电极包括第一介电层和第一导电层。 该方法还包括在存储单元的栅极电极的侧壁上形成第一涂覆间隔物和在电路的栅极电极的侧壁上的第二涂覆间隔物，第二间隔物比第一间隔物宽。

公开(公告)号：US08918594B2

公开(公告)日：2014-12-23

申请号：US12947785

申请日：2010-11-16

申请人： Giulio Albini ,  Emanuele Confalonieri ,  Francesco Mastroianni

发明人： Giulio Albini ,  Emanuele Confalonieri ,  Francesco Mastroianni

IPC分类号： G06F13/16 ,  G11C7/10 ,  G11C8/16

CPC分类号： G06F3/0613 ,  G06F3/0665 ,  G06F3/0689 ,  G06F13/1663 ,  G11C7/1075 ,  G11C8/16 ,  G11C11/5678 ,  G11C13/0004

摘要： Apparatus and methods disclose techniques to control access to a memory array. The memory array can be accessed by either a first interface or a second interface. A switch register grants privilege levels, which control access. For example, a high privilege level can grant access and a low privilege level can deny access. A status register indicates when an interface with a high privilege level is busy accessing the memory array.

摘要翻译： 装置和方法公开了控制对存储器阵列的访问的技术。 存储器阵列可以由第一接口或第二接口访问。 交换机寄存器授予权限级别，用于控制访问。 例如，高权限级别可以授予访问权限，而低权限级别可以拒绝访问。 状态寄存器指示何时具有高权限级别的接口正忙于访问存储器阵列。

公开(公告)号：US20120124313A1

公开(公告)日：2012-05-17

申请号：US12947785

申请日：2010-11-16

申请人： Giulio Albini ,  Emanuele Confalonieri ,  Francesco Mastroianni

发明人： Giulio Albini ,  Emanuele Confalonieri ,  Francesco Mastroianni

IPC分类号： G06F12/14

CPC分类号： G06F3/0613 ,  G06F3/0665 ,  G06F3/0689 ,  G06F13/1663 ,  G11C7/1075 ,  G11C8/16 ,  G11C11/5678 ,  G11C13/0004

摘要： Subject matter disclosed herein relates to a memory device, and more particularly to a multi-channel memory device and methods of selecting one or more channels of same.

摘要翻译： 本文公开的主题涉及存储器件，更具体地涉及多通道存储器件以及选择其一个或多个通道的方法。

公开(公告)号：US20120001246A1

公开(公告)日：2012-01-05

申请号：US13143061

申请日：2008-12-30

申请人： Giulio Albini ,  Paola Bacciaglia

发明人： Giulio Albini ,  Paola Bacciaglia

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/28

CPC分类号： H01L29/495 ,  H01L21/28044 ,  H01L21/28114 ,  H01L21/28282 ,  H01L27/105 ,  H01L29/4234 ,  H01L29/4941 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/66833 ,  H01L29/792

摘要： Subject matter disclosed herein relates to a process flow to form a gate structure of a memory device.

摘要翻译： 本文公开的主题涉及形成存储器件的栅极结构的工艺流程。

公开(公告)号：US20110255334A1

公开(公告)日：2011-10-20

申请号：US12764060

申请日：2010-04-20

申请人： Alessandro Grossi ,  Giulio Albini ,  Anna Maria Conti

发明人： Alessandro Grossi ,  Giulio Albini ,  Anna Maria Conti

IPC分类号： G11C16/04 ,  H01L29/792 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L21/768 ,  H01L23/48 ,  H01L27/0688 ,  H01L27/105 ,  H01L27/115 ,  H01L27/11573 ,  H01L27/11578 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： Subject matter disclosed herein relates to a multi-level flash memory and a process flow to form same.

摘要翻译： 本文公开的主题涉及多级闪存和形成其的处理流程。

公开(公告)号：US08355281B2

公开(公告)日：2013-01-15

申请号：US12764060

申请日：2010-04-20

申请人： Alessandro Grossi ,  Giulio Albini ,  Anna Maria Conti

发明人： Alessandro Grossi ,  Giulio Albini ,  Anna Maria Conti

IPC分类号： G11C16/00

CPC分类号： H01L21/768 ,  H01L23/48 ,  H01L27/0688 ,  H01L27/105 ,  H01L27/115 ,  H01L27/11573 ,  H01L27/11578 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： Subject matter disclosed herein relates to a multi-level flash memory and a process flow to form same.

摘要翻译： 本文公开的主题涉及多级闪存和形成其的处理流程。

公开(公告)号：US20120226880A1

公开(公告)日：2012-09-06

申请号：US13041288

申请日：2011-03-04

申请人： Giulio Albini ,  Emanuele Confalonieri

发明人： Giulio Albini ,  Emanuele Confalonieri

IPC分类号： G06F12/14

CPC分类号： G06F12/1466 ,  G06F3/0622 ,  G06F3/0637 ,  G06F3/0673 ,  G06F3/0679 ,  G06F12/00 ,  G06F12/14 ,  G06F13/1668 ,  G06F13/4036 ,  G06F13/4221 ,  G06F2212/1052

摘要： Subject matter disclosed herein relates to an apparatus comprising memory and a controller, such as a controller which determines block locking states in association with operative transitions between two or more interfaces that share at least one block of memory. The apparatus may support single channel or multi-channel memory access, write protection state logic, or various interface priority schemes.

摘要翻译： 本文公开的主题涉及包括存储器和控制器的控制器，诸如控制器，其与共享至少一个存储器块的两个或多个接口之间的操作转换相关联地确定块锁定状态。 该装置可以支持单通道或多通道存储器访问，写保护状态逻辑或各种接口优先级方案。

公开(公告)号：US08211762B1

公开(公告)日：2012-07-03

申请号：US12512907

申请日：2009-07-30

申请人： Emilio Camerlenghi ,  Giulio Albini

发明人： Emilio Camerlenghi ,  Giulio Albini

IPC分类号： H01L21/8238 ,  H01L21/336 ,  H01L21/4763

CPC分类号： H01L29/7881 ,  H01L27/11521

摘要： Briefly, embodiments of non-volatile memory and embodiments of fabrication thereof are disclosed. For example, a non-volatile memory device having a gate assembly with a floating gate and a control gate assembly is described. The control gate assembly includes a non-metal conductive control gate and a metal control gate in one embodiment. Additional embodiments are described, including use of a sacrificial nitride layer and forming contact recesses to create source or drain contacts, as other examples.

摘要翻译： 简而言之，公开了非易失性存储器的实施例及其制造的实施例。 例如，描述了具有带有浮动栅极和控制栅极组件的栅极组件的非易失性存储器件。 在一个实施例中，控制门组件包括非金属导电控制栅极和金属控制栅极。 描述了另外的实施例，包括使用牺牲氮化物层和形成接触凹部来产生源极或漏极接触，如其他示例。