公开(公告)号：US06293698B1

公开(公告)日：2001-09-25

申请号：US08539092

申请日：1995-10-04

申请人： Roger L. Alvis

发明人： Roger L. Alvis

IPC分类号： G01K700

CPC分类号： G01K13/00

摘要： Precise sensing and controlling of temperature during in-situ testing of a structure used in an integrated circuit by fabricating or placing a heat source element adjacent to the structure and by fabricating or placing a temperature sensing element adjacent to the structure.

摘要翻译： 通过制造或放置与该结构相邻的热源元件以及通过制造或放置与该结构相邻的温度感测元件来对在集成电路中使用的结构进行原位测试期间的温度的精确感测和控制。

公开(公告)号：US5864199A

公开(公告)日：1999-01-26

申请号：US912199

申请日：1997-08-18

申请人： Roger L. Alvis ,  Janice Gray ,  Bryan Tracy

发明人： Roger L. Alvis ,  Janice Gray ,  Bryan Tracy

IPC分类号： H01J1/304 ,  H01J9/02 ,  H01J27/00

CPC分类号： H01J9/025 ,  H01J1/304

摘要： Electron beam emitting filaments having a tip with a radius of curvature less than about 50 .ANG. are produced using focused ion beam milling. In one embodiment, platinum is deposited on a tungsten loop electron beam filament and sharpened using focused ion beam milling to a radius of curvature less than about 50 .ANG..

摘要翻译： 使用聚焦离子束研磨产生具有小于约50的曲率半径的尖端的电子束发射细丝。 在一个实施例中，将铂沉积在钨环电子束灯丝上，并使用聚焦离子束研磨将其锐化至小于约50安培的曲率半径。

公开(公告)号：US5707484A

公开(公告)日：1998-01-13

申请号：US539029

申请日：1995-10-04

申请人： Jeremias D. Romero ,  Roger L. Alvis ,  Homi Fatemi

发明人： Jeremias D. Romero ,  Roger L. Alvis ,  Homi Fatemi

IPC分类号： H01L21/66 ,  H01L21/306

CPC分类号： H01L22/12

摘要： A method of accurately determining the composition of a dielectric film in a semiconductor device by performing a compositional analysis on a film only portion of the semiconductor device.

摘要翻译： 一种通过对半导体器件的仅薄膜部分进行组成分析来准确地确定半导体器件中的电介质膜的组成的方法。

公开(公告)号：US5710052A

公开(公告)日：1998-01-20

申请号：US543979

申请日：1995-10-17

申请人： Roger L. Alvis ,  Andrew N. Erickson

发明人： Roger L. Alvis ,  Andrew N. Erickson

IPC分类号： G01Q90/00 ,  G01R31/26 ,  H01L21/66 ,  G01N23/00

CPC分类号： G01R31/2648 ,  H01L22/14 ,  Y10S977/854

摘要： An accurate method of measuring the two-dimensional doping profile of a semiconductor by measuring an electrical parameter along a path of a dopant iso-concentration. Thin vertical or horizontal slices of the semiconductor integrated circuit are provided and are probed to allow the electrical parameter to be measured through a single concentration area.

摘要翻译： 通过测量沿着掺杂剂等浓度的路径的电参数来测量半导体的二维掺杂分布的精确方法。 提供了半导体集成电路的薄的垂直或水平切片，并且被探测以允许通过单一浓度区域测量电参数。

公开(公告)号：US5536940A

公开(公告)日：1996-07-16

申请号：US394852

申请日：1995-02-27

申请人： Roger L. Alvis ,  David J. Dingley

发明人： Roger L. Alvis ,  David J. Dingley

IPC分类号： H01J37/05 ,  H01J37/29

CPC分类号： H01J37/05 ,  H01J2237/244 ,  H01J2237/28

摘要： A sample to be analyzed by a scanning electron microscope is held at an electrostatic potential higher than the recording plate of the microscope. This provides that electrons scattered from the sample which are at an energy level lower than a chosen level are drawn back into the sample by the potential of the sample, while other, higher energy scattered electrons reach the recording plate to form a pattern thereon.

摘要翻译： 通过扫描电子显微镜分析的样品保持在比显微镜的记录板高的静电电位。 这提供了从低于所选电平的能级散射的样品的电子被样品的电位吸回到样品中，而其它较高能量的散射电子到达记录板以在其上形成图案。

公开(公告)号：US06455385B1

公开(公告)日：2002-09-24

申请号：US09003751

申请日：1998-01-07

申请人： Roger L. Alvis ,  Emi Ishida

发明人： Roger L. Alvis ,  Emi Ishida

IPC分类号： H01L21265

CPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/2652 ,  H01L21/324

摘要： A method of reducing implant dose loss is provided. The method includes performing multiple low dose implant steps with interspersed anneal steps, thereby avoiding amorphous-silicon formation. The anneal steps may be performed at high temperatures or at low temperatures.

摘要翻译： 提供减少植入剂量损失的方法。 该方法包括执行具有散置退火步骤的多个低剂量注入步骤，从而避免非晶硅形成。 退火步骤可以在高温或低温下进行。

公开(公告)号：US06427345B1

公开(公告)日：2002-08-06

申请号：US09189443

申请日：1998-11-10

申请人： Roger L. Alvis

发明人： Roger L. Alvis

IPC分类号： G01B526

CPC分类号： G01B21/30 ,  G01B21/28 ,  Y10S977/852

摘要： Surface characteristics of a surface of a three-dimensional object, such as surface area, surface area enhancement (i.e., the ratio of the actual surface area to an area of that surface projected onto an X-Y plane), and surface roughness parameters can be calculated based solely on line-based measurements and without performing the calculations required to actually create a three-dimensional image of that surface. Because a true three-dimensional image is not created, interline registration and low frequency noise limitations are eliminated from the measurement, and data can be acquired by scanning bidirectionally without adversely affecting the results. Likewise, the analysis time required to determine surface parameters is a fraction of that required by image-based techniques. This technique, being line-based rather than image-based, can be performed by any probe-based instrument, optical-based instrument, or any other instrument capable of measuring a sample surface in either digital or analog fashion.

摘要翻译： 可以计算三维物体的表面的表面特性，例如表面积，表面积增强（即，实际表面积与投射到XY平面上的该表面的面积之比）和表面粗糙度参数 仅基于线性测量，并且不执行实际创建该表面的三维图像所需的计算。 由于没有创建真正的三维图像，因此从测量中消除了行间配准和低频噪声限制，并且可以通过双向扫描来获取数据，而不会对结果产生不利影响。 同样，确定表面参数所需的分析时间是基于图像的技术所需的分析时间。 这种基于线路而不是基于图像的技术可以由任何基于探针的仪器，基于光学的仪器或能够以数字或模拟方式测量样品表面的任何其他仪器来执行。

公开(公告)号：US5727978A

公开(公告)日：1998-03-17

申请号：US574480

申请日：1995-12-19

申请人： Roger L. Alvis ,  Janice Gray ,  Bryan Tracy

发明人： Roger L. Alvis ,  Janice Gray ,  Bryan Tracy

IPC分类号： H01J1/304 ,  H01J9/02

CPC分类号： H01J9/025 ,  H01J1/304

摘要： Electron beam emitting filaments having a tip with a radius of curvature less than about 50 .ANG. are produced using focused ion beam milling. In one embodiment, platinum is deposited on a tungsten loop electron beam filament and sharpened using focused ion beam milling to a radius of curvature less than about 50 .ANG..

摘要翻译： 使用聚焦离子束研磨产生具有小于约50的曲率半径的尖端的电子束发射细丝。 在一个实施例中，将铂沉积在钨环电子束灯丝上，并使用聚焦离子束研磨将其锐化至小于约50安培的曲率半径。