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    THIN FILM TRANSISTOR SUBSTRATE, LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE HAVING THE SAME AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME
    4.
    发明申请
    THIN FILM TRANSISTOR SUBSTRATE, LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE HAVING THE SAME AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME 有权
    薄膜晶体管基板，具有该液晶显示器的液晶显示装置及其制造方法

    公开(公告)号：US20150228732A1

    公开(公告)日：2015-08-13

    申请号：US14576123

    申请日：2014-12-18

    申请人： Samsung Display Co., Ltd.

    发明人： Ki-Hyun Cho ,  Sung-Kyun Park ,  Ji-Hyun Kim ,  Jeong-Min Park ,  Jung-Soo Lee ,  Jun Chun ,  Jin-Ho Ju

    IPC分类号： H01L29/40 ,  H01L29/417 ,  G02F1/1333 ,  G02F1/1368 ,  G02F1/1362 ,  H01L29/786 ,  H01L29/66

    CPC分类号： G02F1/136227 ,  G02F2001/136231 ,  G02F2001/136236 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/7869

    摘要： A thin film transistor substrate includes a gate electrode on a base substrate, an active pattern on the gate electrode, a source electrode on a first end of the active pattern, a drain electrode on a second end of the active pattern, an organic insulation layer on the source electrode and the drain electrode, and a transparent electrode contacting the drain electrode through a contact opening in the organic insulation layer. The drain electrode is spaced from the source electrode. The organic insulation layer includes a first thickness portion around the contact opening and a second thickness portion adjacent to the first thickness portion. The second thickness portion has a thickness greater than that of the first thickness portion.

    摘要翻译： 薄膜晶体管基板包括在基底基板上的栅极电极，栅电极上的有源图案，有源图案的第一端上的源电极，有源图案的第二端上的漏电极，有机图案的第二端上的有机绝缘层 在源电极和漏电极上，以及透明电极，通过有机绝缘层中的接触开口与漏电极接触。 漏电极与源电极间隔开。 有机绝缘层包括围绕接触开口的第一厚度部分和与第一厚度部分相邻的第二厚度部分。 第二厚度部分的厚度大于第一厚度部分的厚度。

    Thin film transistor array panel
    7.
    发明授权
    Thin film transistor array panel 有权
    薄膜晶体管阵列面板

    公开(公告)号：US09515096B2

    公开(公告)日：2016-12-06

    申请号：US14838055

    申请日：2015-08-27

    申请人： Samsung Display Co., Ltd.

    发明人： Jeong Min Park ,  Ji-Hyun Kim ,  Jung-Soo Lee ,  Sung Kyun Park

    IPC分类号： H01L27/12 ,  H01L33/58 ,  G02F1/1345 ,  G02F1/1362 ,  G02F1/1368 ,  H01L29/786

    CPC分类号： H01L27/124 ,  G02F1/13458 ,  G02F1/136227 ,  G02F1/1368 ,  H01L27/1248 ,  H01L29/78669 ,  H01L29/78678 ,  H01L33/58

    摘要： The present disclosure provides a thin film transistor array. In an exemplary embodiment, the thin film transistor array includes: a substrate; a gate line including a gate pad and disposed on the substrate; a gate insulating layer disposed on the gate line and the gate pad; a data line including a data pad and disposed on the gate insulating layer; a first passivation layer disposed on the data line; a first electrode disposed on the first passivation layer; a second passivation layer disposed on the first electrode; and a second electrode disposed on the second passivation layer. The gate pad is exposed through a first contact hole, and the gate insulating layer, the first passivation layer, and the second passivation layer include at least a portion of the first contact hole.

    摘要翻译： 本发明提供一种薄膜晶体管阵列。 在示例性实施例中，薄膜晶体管阵列包括：衬底; 栅极线，包括栅极焊盘并设置在所述衬底上; 设置在栅极线和栅极焊盘上的栅极绝缘层; 数据线，包括数据焊盘并设置在栅极绝缘层上; 设置在所述数据线上的第一钝化层; 设置在所述第一钝化层上的第一电极; 设置在所述第一电极上的第二钝化层; 以及设置在所述第二钝化层上的第二电极。 栅极焊盘通过第一接触孔露出，栅极绝缘层，第一钝化层和第二钝化层包括第一接触孔的至少一部分。

    LIQUID CRYSTAL DISPLAY AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME
    8.
    发明申请
    LIQUID CRYSTAL DISPLAY AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME 审中-公开
    液晶显示器及其制造方法

    公开(公告)号：US20150346529A1

    公开(公告)日：2015-12-03

    申请号：US14674752

    申请日：2015-03-31

    申请人： Samsung Display Co., Ltd.

    发明人： JeongMin Park ,  Ji-Hyun Kim ,  Sungkyun Park ,  Jung-Soo Lee ,  Jun Chun ,  Ki-Hyun Cho

    IPC分类号： G02F1/1368 ,  G02F1/1335 ,  G02F1/1333

    CPC分类号： G02F1/136227 ,  G02F1/133512 ,  G02F1/136213

    摘要： A liquid crystal display (LCD) and a method of manufacturing the same are disclosed. In one aspect, the LCD comprises a first substrate, a second substrate facing the first substrate, and a liquid crystal layer interposed between the first and second substrates. The first substrate comprises a first insulating substrate, a thin film transistor (TFT) formed over the first insulating substrate and including a drain electrode, and an insulating layer covering the TFT and comprising upper and lower portions having different heights, wherein the insulating layer has an opening formed through the lower portion so as to expose the drain electrode. The first substrate also comprises a reference electrode formed over the insulating layer, an inter-insulating electrode covering the reference electrode, and a pixel electrode formed over the inter-insulating layer and electrically connected to the drain electrode through the opening.

    摘要翻译： 公开了一种液晶显示器（LCD）及其制造方法。 一方面，LCD包括第一衬底，面对第一衬底的第二衬底和插在第一和第二衬底之间的液晶层。 第一衬底包括第一绝缘衬底，形成在第一绝缘衬底上并包括漏电极的薄膜晶体管（TFT）和覆盖TFT的绝缘层，并且包括具有不同高度的上部和下部，其中绝缘层具有 通过下部形成的开口，露出漏电极。 第一基板还包括形成在绝缘层上的参考电极，覆盖参考电极的绝缘电极和形成在绝缘层之上并通过开口电连接到漏电极的像素电极。

    THIN FILM TRANSISTOR PANEL AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
    9.
    发明申请
    THIN FILM TRANSISTOR PANEL AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME 有权
    薄膜晶体管板及其制造方法

    公开(公告)号：US20140183536A1

    公开(公告)日：2014-07-03

    申请号：US13915070

    申请日：2013-06-11

    申请人： SAMSUNG DISPLAY, CO., LTD.

    发明人： Sung Kyun Park ,  Jeong Min Park ,  Jung-Soo Lee ,  Jin Ho Ju

    IPC分类号： H01L27/088 ,  H01L21/8234

    CPC分类号： H01L27/124 ,  H01L27/1222 ,  H01L27/1248 ,  H01L27/1259

    摘要： A thin film transistor array panel according to an exemplary embodiment of the present invention includes: an insulation substrate; a thin film transistor disposed on the insulation substrate, wherein the thin film transistor includes a first electrode; a first contact hole pattern having a first width, wherein the first contact hole pattern exposes a portion of the first electrode, and a first contact hole to expose the portion of the first electrode, wherein an inner sidewall of the first contact hole pattern constitutes a first portion of the first contact hole.

    摘要翻译： 根据本发明的示例性实施例的薄膜晶体管阵列面板包括：绝缘基板; 设置在所述绝缘基板上的薄膜晶体管，其中所述薄膜晶体管包括第一电极; 具有第一宽度的第一接触孔图案，其中所述第一接触孔图案暴露所述第一电极的一部分，以及第一接触孔，以暴露所述第一电极的所述部分，其中所述第一接触孔图案的内侧壁构成 第一接触孔的第一部分。

    MANUFACTURING METHOD OF THIN FILM TRANSISTOR ARRAY PANEL
    10.
    发明申请
    MANUFACTURING METHOD OF THIN FILM TRANSISTOR ARRAY PANEL 审中-公开
    薄膜晶体管阵列的制造方法

    公开(公告)号：US20130306974A1

    公开(公告)日：2013-11-21

    申请号：US13952059

    申请日：2013-07-26

    申请人： Samsung Display Co., Ltd.

    发明人： Jeong Min PARK ,  Dong-Won Woo ,  Je Hyeong Park ,  Sang Gab Kim ,  Jung-Soo Lee ,  Ji-Hyun Kim

    IPC分类号： H01L29/786

    CPC分类号： H01L29/786 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1259 ,  H01L29/78645

    摘要： A manufacturing method of a thin film transistor array panel includes: simultaneously forming a gate conductor and a first electrode on a substrate, using a non-peroxide-based etchant; forming a gate insulating layer on the gate conductor and the first electrode; forming a semiconductor, a source electrode, and a drain electrode on the gate insulating layer; forming a passivation layer on the semiconductor, the source electrode, and the drain electrode; and forming a second electrode layer on the passivation layer.

    摘要翻译： 薄膜晶体管阵列板的制造方法包括：使用非过氧化物的蚀刻剂，在基板上同时形成栅极导体和第一电极; 在所述栅极导体和所述第一电极上形成栅极绝缘层; 在栅极绝缘层上形成半导体，源电极和漏电极; 在半导体，源电极和漏电极上形成钝化层; 以及在所述钝化层上形成第二电极层。