公开(公告)号：US09379195B2

公开(公告)日：2016-06-28

申请号：US13478609

申请日：2012-05-23

申请人： Sameh G. Khalil ,  Karim S. Boutros ,  Keisuke Shinohara

发明人： Sameh G. Khalil ,  Karim S. Boutros ,  Keisuke Shinohara

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L29/778 ,  H01L29/423 ,  H01L29/66 ,  H01L29/06 ,  H01L29/20

CPC分类号： H01L29/4236 ,  H01L29/06 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7787

摘要： A high electron mobility field effect transistor (HEMT) having a substrate, a channel layer on the substrate and a barrier layer on the channel layer includes a stress inducing layer on the barrier layer, the stress inducing layer varying the piezo-electric effect in the barrier layer in a drift region between a gate and a drain. A two dimensional electron gas (2DEG) has a non-uniform lateral distribution in the drift region between the gate and the drain.

摘要翻译： 具有衬底，衬底上的沟道层和沟道层上的阻挡层的高电子迁移率场效应晶体管（HEMT）包括在阻挡层上的应力诱导层，应力诱导层改变了压电效应 栅极和漏极之间的漂移区域中的阻挡层。 二维电子气（2DEG）在栅极和漏极之间的漂移区域中具有不均匀的横向分布。

公开(公告)号：US20130313612A1

公开(公告)日：2013-11-28

申请号：US13478609

申请日：2012-05-23

申请人： Sameh Khalil ,  Karim S. Boutros ,  Keisuke Shinohara

发明人： Sameh Khalil ,  Karim S. Boutros ,  Keisuke Shinohara

IPC分类号： H01L29/778 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/4236 ,  H01L29/06 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7787

摘要： A high electron mobility field effect transistor (HEMT) having a substrate, a channel layer on the substrate and a barrier layer on the channel layer includes a stress inducing layer on the barrier layer, the stress inducing layer varying the piezo-electric effect in the barrier layer in a drift region between a gate and a drain. A two dimensional electron gas (2DEG) has a non-uniform lateral distribution in the drift region between the gate and the drain.

摘要翻译： 具有衬底，衬底上的沟道层和沟道层上的阻挡层的高电子迁移率场效应晶体管（HEMT）包括在阻挡层上的应力诱导层，应力诱导层改变了压电效应 栅极和漏极之间的漂移区域中的阻挡层。 二维电子气（2DEG）在栅极和漏极之间的漂移区域中具有不均匀的横向分布。

公开(公告)号：US08748244B1

公开(公告)日：2014-06-10

申请号：US13456421

申请日：2012-04-26

申请人： Andrea Corrion ,  Miroslav Micovic ,  Keisuke Shinohara ,  Peter J Willadsen ,  Shawn D Burnham ,  Hooman Kazemi ,  Paul B Hashimoto

发明人： Andrea Corrion ,  Miroslav Micovic ,  Keisuke Shinohara ,  Peter J Willadsen ,  Shawn D Burnham ,  Hooman Kazemi ,  Paul B Hashimoto

IPC分类号： H01L21/335

CPC分类号： H01L29/7787 ,  H01L21/30621 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/66462

摘要： The present invention relates to fabrication of enhancement mode and depletion mode High Electron Mobility Field Effect Transistors on the same die separated by as little as 10 nm. The fabrication method uses selective decomposition and selective regrowth of the Barrier layer and the Cap layer to engineer the bandgap of a region on a die to form an enhancement mode region. In these regions zero or more devices may be fabricated.

摘要翻译： 本发明涉及在相同裸片上分离10nm的增强模式和耗尽型高电位迁移率场效应晶体管的制造。 制造方法使用阻挡层和盖层的选择性分解和选择性再生长来设计管芯上的区域的带隙以形成增强模式区域。 在这些区域中，可以制造零个或多个器件。

公开(公告)号：US08592983B2

公开(公告)日：2013-11-26

申请号：US13310074

申请日：2011-12-02

申请人： Hasan Sharifi ,  Alexandros D. Margomenos ,  Ara K. Kurdoghlian ,  Miroslav Micovic ,  Keisuke Shinohara ,  Colleen M. Butler

发明人： Hasan Sharifi ,  Alexandros D. Margomenos ,  Ara K. Kurdoghlian ,  Miroslav Micovic ,  Keisuke Shinohara ,  Colleen M. Butler

IPC分类号： H01L23/532 ,  H01L51/40

CPC分类号： H01L23/53252 ,  H01L23/5329 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A method of integrating benzocyclobutene (BCB) layers with a substrate is provided along with a corresponding device. A method includes forming a first BCB layer on the substrate and depositing a first metal layer on the first BCB layer and within vias defined by the first metal layer. The method also forms a second BCB layer on the first metal layer and deposits a second metal layer on the second BCB layer and within vias defined by the second metal layer. The second metal layer extends through the vias defined by the second metal layer to establish an operable connection with the first metal layer. The first and second metal layers are independent of an electrical connection to any circuit element carried by the substrate, but the first and second metal layers secure the second BCB layer to the underlying structure and reduce the likelihood of delamination.

摘要翻译： 将苯并环丁烯（BCB）层与基板一体化的方法与相应的装置一起提供。 一种方法包括在衬底上形成第一BCB层，并在第一BCB层上以及在由第一金属层限定的通孔内沉积第一金属层。 该方法还在第一金属层上形成第二BCB层，并在第二BCB层上以及由第二金属层限定的通孔内沉积第二金属层。 第二金属层延伸穿过由第二金属层限定的通孔，以建立与第一金属层的可操作连接。 第一和第二金属层独立于与由衬底承载的任何电路元件的电连接，但第一和第二金属层将第二BCB层固定到下面的结构并降低分层的可能性。

公开(公告)号：US08470652B1

公开(公告)日：2013-06-25

申请号：US13105706

申请日：2011-05-11

申请人： David F. Brown ,  Keisuke Shinohara ,  Miroslav Micovic ,  Andrea Corrion

发明人： David F. Brown ,  Keisuke Shinohara ,  Miroslav Micovic ,  Andrea Corrion

IPC分类号： H01L21/338

CPC分类号： H01L29/7784 ,  H01L21/02002 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02664 ,  H01L21/265 ,  H01L21/26546 ,  H01L21/30612 ,  H01L21/3081 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/8252 ,  H01L27/0605 ,  H01L27/088 ,  H01L27/0883 ,  H01L27/095 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/205 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7783 ,  H03F3/211 ,  H03F2200/372

摘要： A monolithically integrated device includes a substrate, a first set of Group III nitride epitaxial layers grown for a first HFET on a first region of the substrate, and a second set of Group III nitride epitaxial layers for a second HFET grown on a second region of the substrate.

摘要翻译： 单片集成器件包括衬底，为衬底的第一区域上的第一HFET生长的第一组III族氮化物外延层和用于在第二区域上生长的第二HFET的第二组III族氮化物外延层 底物。

公开(公告)号：US20130140579A1

公开(公告)日：2013-06-06

申请号：US13310074

申请日：2011-12-02

申请人： Hasan Sharifi ,  Alexandros D. Margomenos ,  Ara K. Kurdoghlian ,  Miroslav Micovic ,  Keisuke Shinohara ,  Colleen M. Butler

发明人： Hasan Sharifi ,  Alexandros D. Margomenos ,  Ara K. Kurdoghlian ,  Miroslav Micovic ,  Keisuke Shinohara ,  Colleen M. Butler

IPC分类号： H01L29/20 ,  H01L23/52 ,  H01L21/768

CPC分类号： H01L23/53252 ,  H01L23/5329 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A method of integrating benzocyclobutene (BCB) layers with a substrate is provided along with a corresponding device. A method includes forming a first BCB layer on the substrate and depositing a first metal layer on the first BCB layer and within vias defined by the first metal layer. The method also forms a second BCB layer on the first metal layer and deposits a second metal layer on the second BCB layer and within vias defined by the second metal layer. The second metal layer extends through the vias defined by the second metal layer to establish an operable connection with the first metal layer. The first and second metal layers are independent of an electrical connection to any circuit element carried by the substrate, but the first and second metal layers secure the second BCB layer to the underlying structure and reduce the likelihood of delamination.

摘要翻译： 将苯并环丁烯（BCB）层与基板一体化的方法与相应的装置一起提供。 一种方法包括在衬底上形成第一BCB层，并在第一BCB层上以及在由第一金属层限定的通孔内沉积第一金属层。 该方法还在第一金属层上形成第二BCB层，并在第二BCB层上以及由第二金属层限定的通孔内沉积第二金属层。 第二金属层延伸穿过由第二金属层限定的通孔，以建立与第一金属层的可操作连接。 第一和第二金属层独立于与由衬底承载的任何电路元件的电连接，但第一和第二金属层将第二BCB层固定到下面的结构并降低分层的可能性。

公开(公告)号：US08150082B2

公开(公告)日：2012-04-03

申请号：US11884914

申请日：2006-01-24

申请人： Atsushi Saito ,  Takashi Iwakura ,  Keisuke Shinohara

发明人： Atsushi Saito ,  Takashi Iwakura ,  Keisuke Shinohara

IPC分类号： H04R25/00

CPC分类号： H04R25/60 ,  H04R25/652

摘要： There is provided a waterproof hearing aid capable of being worn without caring about the entry of sweat or water even at the time of sweating or bathing. The waterproof hearing aid has a first waterproof film stretchingly provided at the sound inlet of a microphone and a second waterproof film stretchingly provided at the sound outlet of an earphone, a tube (first vent) communicating a microphone chamber formed by the first waterproof film and the microphone with a hearing aid case chamber formed by a hearing aid case, a tube (second vent) communicating an earphone chamber formed by the second waterproof film and the earphone with the hearing aid case chamber, and a porous film (third vent) communicating the hearing aid case chamber with the outside.

摘要翻译： 提供了一种防水助听器，即使在出汗或沐浴时也能佩戴，无需关心汗水或水分进入。 防水助听器具有伸缩地设置在麦克风的声音入口处的第一防水膜，以及延伸地设置在耳机的声音出口处的第二防水膜，连通由第一防水膜形成的麦克风室的管（第一通气口）和 所述麦克风具有由助听器壳体形成的助听器壳体室，将由所述第二防水膜形成的耳机室和所述耳机与所述助听器壳室连通的管（第二通气口）以及与所述助听器壳体室连通的多孔膜 助听器箱与外部。

公开(公告)号：US09496197B1

公开(公告)日：2016-11-15

申请号：US14495755

申请日：2014-09-24

申请人： Miroslav Micovic ,  Alexandros D. Margomenos ,  Keisuke Shinohara ,  Andrea Corrion

发明人： Miroslav Micovic ,  Alexandros D. Margomenos ,  Keisuke Shinohara ,  Andrea Corrion

IPC分类号： H01L23/373 ,  H01L23/34 ,  H01L21/306 ,  H01L23/00 ,  H01L29/80

CPC分类号： H01L23/34 ,  H01L21/30617 ,  H01L21/30625 ,  H01L23/3677 ,  H01L23/3732 ,  H01L24/27 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/404 ,  H01L29/42316 ,  H01L29/66871 ,  H01L29/812 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/10272 ,  H01L2924/1033 ,  H01L2924/142

摘要： Apparatus and methods are provided for heat removal and spreading from a field effect transistor (FET) including a substrate, a first source, a first gate, and a drain on the substrate, and a poly-diamond dielectric thermally coupled to the first gate wherein the poly-diamond dielectric facilitates heat removal from a top of the FET.

摘要翻译： 提供了用于从包括衬底，第一源，第一栅极和漏极在衬底上的场效应晶体管（FET）散热和扩散的装置和方法，以及热耦合到第一栅极的多金刚石电介质，其中 该多晶金刚石介质有利于从顶部排出热量。

公开(公告)号：US08558281B1

公开(公告)日：2013-10-15

申请号：US13310473

申请日：2011-12-02

申请人： Dean C. Regan ,  Keisuke Shinohara ,  Andrea Corrion ,  Ivan Milosavljevic ,  Miroslav Micovic ,  Peter J. Willadsen ,  Colleen M. Butler ,  Hector L. Bracamontes ,  Bruce T. Holden ,  David T. Chang

发明人： Dean C. Regan ,  Keisuke Shinohara ,  Andrea Corrion ,  Ivan Milosavljevic ,  Miroslav Micovic ,  Peter J. Willadsen ,  Colleen M. Butler ,  Hector L. Bracamontes ,  Bruce T. Holden ,  David T. Chang

IPC分类号： H01L29/205

CPC分类号： H01L29/42316 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66462

摘要： A method for fabricating a gate structure for a field effect transistor having a buffer layer on a substrate, a channel layer and a barrier layer over the channel layer includes forming a gate including silicon, forming first sidewalls of a first material on either side and adjacent to the gate, selectively etching into the buffer layer to form a mesa for the field effect transistor, depositing a material layer over the mesa, planarizing the material layer over the mesa to form a planarized surface such that a top of the gate, tops of the first sidewalls, and a top of the material layer over the mesa are on the same planarized surface, depositing metal on the planzarized surface, annealing to form the gate into a metal silicided gate, and etching to remove excess non-silicided metal.

摘要翻译： 一种制造用于场效应晶体管的栅极结构的方法，该场效应晶体管在衬底上具有缓冲层，沟道层上的沟道层和势垒层包括形成包含硅的栅极，在任一侧和相邻的第一侧上形成第一材料的第一侧壁 到栅极，选择性地蚀刻到缓冲层中以形成用于场效应晶体管的台面，在所述台面上沉积材料层，在所述台面上平坦化所述材料层以形成平坦化表面，使得所述栅极的顶部， 第一侧壁和台面上的材料层的顶部在相同的平坦化表面上，在平面化表面上沉积金属，退火以将栅极形成金属硅化栅极，并蚀刻以除去多余的非硅化金属。

公开(公告)号：US08686473B1

公开(公告)日：2014-04-01

申请号：US12792529

申请日：2010-06-02

申请人： Miroslav Micovic ,  Andrea Corrion ,  Keisuke Shinohara ,  Peter J Willadsen ,  Shawn D Burnham ,  Hooman Kazemi ,  Paul B Hashimoto

发明人： Miroslav Micovic ,  Andrea Corrion ,  Keisuke Shinohara ,  Peter J Willadsen ,  Shawn D Burnham ,  Hooman Kazemi ,  Paul B Hashimoto

IPC分类号： H01L29/15 ,  H01L31/0256 ,  H01L29/66 ,  H01L31/102

CPC分类号： H01L29/66916 ,  H01L29/0891 ,  H01L29/1029 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7787

摘要： The interface resistance between the source/drain and gate of an HFET may be significantly reduced by engineering the bandgap of the 2DEG outside a gate region such that the charge density is substantially increased. The resistance may be further reduced by using an n+GaN Cap layer over the channel layer and barrier layer such that a horizontal surface of the barrier layer beyond the gate region is covered by the n+GaN Cap layer. This technique is applicable to depletion and enhancement mode HFETs.

摘要翻译： 通过在栅极区域之外设计2DEG的带隙，使得电荷密度显着增加，可以显着降低HFET的源极/漏极和栅极之间的界面电阻。 通过在沟道层和阻挡层上使用n + GaN帽层可以进一步降低电阻，使得超过栅极区域的势垒层的水平表面被n + GaN帽层覆盖。 该技术适用于耗尽和增强型HFET。