公开(公告)号：US08686473B1

公开(公告)日：2014-04-01

申请号：US12792529

申请日：2010-06-02

申请人： Miroslav Micovic ,  Andrea Corrion ,  Keisuke Shinohara ,  Peter J Willadsen ,  Shawn D Burnham ,  Hooman Kazemi ,  Paul B Hashimoto

发明人： Miroslav Micovic ,  Andrea Corrion ,  Keisuke Shinohara ,  Peter J Willadsen ,  Shawn D Burnham ,  Hooman Kazemi ,  Paul B Hashimoto

IPC分类号： H01L29/15 ,  H01L31/0256 ,  H01L29/66 ,  H01L31/102

CPC分类号： H01L29/66916 ,  H01L29/0891 ,  H01L29/1029 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7787

摘要： The interface resistance between the source/drain and gate of an HFET may be significantly reduced by engineering the bandgap of the 2DEG outside a gate region such that the charge density is substantially increased. The resistance may be further reduced by using an n+GaN Cap layer over the channel layer and barrier layer such that a horizontal surface of the barrier layer beyond the gate region is covered by the n+GaN Cap layer. This technique is applicable to depletion and enhancement mode HFETs.

摘要翻译： 通过在栅极区域之外设计2DEG的带隙，使得电荷密度显着增加，可以显着降低HFET的源极/漏极和栅极之间的界面电阻。 通过在沟道层和阻挡层上使用n + GaN帽层可以进一步降低电阻，使得超过栅极区域的势垒层的水平表面被n + GaN帽层覆盖。 该技术适用于耗尽和增强型HFET。

公开(公告)号：US08748244B1

公开(公告)日：2014-06-10

申请号：US13456421

申请日：2012-04-26

申请人： Andrea Corrion ,  Miroslav Micovic ,  Keisuke Shinohara ,  Peter J Willadsen ,  Shawn D Burnham ,  Hooman Kazemi ,  Paul B Hashimoto

发明人： Andrea Corrion ,  Miroslav Micovic ,  Keisuke Shinohara ,  Peter J Willadsen ,  Shawn D Burnham ,  Hooman Kazemi ,  Paul B Hashimoto

IPC分类号： H01L21/335

CPC分类号： H01L29/7787 ,  H01L21/30621 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/66462

摘要： The present invention relates to fabrication of enhancement mode and depletion mode High Electron Mobility Field Effect Transistors on the same die separated by as little as 10 nm. The fabrication method uses selective decomposition and selective regrowth of the Barrier layer and the Cap layer to engineer the bandgap of a region on a die to form an enhancement mode region. In these regions zero or more devices may be fabricated.

摘要翻译： 本发明涉及在相同裸片上分离10nm的增强模式和耗尽型高电位迁移率场效应晶体管的制造。 制造方法使用阻挡层和盖层的选择性分解和选择性再生长来设计管芯上的区域的带隙以形成增强模式区域。 在这些区域中，可以制造零个或多个器件。

公开(公告)号：US08383471B1

公开(公告)日：2013-02-26

申请号：US13083916

申请日：2011-04-11

申请人： Keisuke Shinihara ,  Andrea Corrion ,  Miroslav Micovic ,  Paul B. Hashimoto ,  Shawn D. Burnham ,  Hooman Kazemi ,  Peter J. Willadsen ,  Dean C. Regan

发明人： Keisuke Shinihara ,  Andrea Corrion ,  Miroslav Micovic ,  Paul B. Hashimoto ,  Shawn D. Burnham ,  Hooman Kazemi ,  Peter J. Willadsen ,  Dean C. Regan

IPC分类号： H01L21/338

CPC分类号： H01L29/205 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/42316 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7783

摘要： A method of fabricating a GaN HEMT includes growing a first epitaxial layer on a substrate, growing a second epitaxial layer on the first epitaxial layer, growing a third epitaxial layer on the second epitaxial layer, depositing a first dielectric film on the third epitaxial layer, using dielectric films to form a first sidewall dielectric spacer, forming a sidewall gate adjacent the first sidewall dielectric spacer. The sidewall gate may be made to be less than 50 nm in length.

摘要翻译： 制造GaN HEMT的方法包括在衬底上生长第一外延层，在第一外延层上生长第二外延层，在第二外延层上生长第三外延层，在第三外延层上沉积第一电介质膜， 使用介电膜形成第一侧壁电介质间隔件，形成邻近所述第一侧壁电介质间隔物的侧壁门。 侧壁浇口的长度可以小于50nm。

公开(公告)号：US08558281B1

公开(公告)日：2013-10-15

申请号：US13310473

申请日：2011-12-02

申请人： Dean C. Regan ,  Keisuke Shinohara ,  Andrea Corrion ,  Ivan Milosavljevic ,  Miroslav Micovic ,  Peter J. Willadsen ,  Colleen M. Butler ,  Hector L. Bracamontes ,  Bruce T. Holden ,  David T. Chang

发明人： Dean C. Regan ,  Keisuke Shinohara ,  Andrea Corrion ,  Ivan Milosavljevic ,  Miroslav Micovic ,  Peter J. Willadsen ,  Colleen M. Butler ,  Hector L. Bracamontes ,  Bruce T. Holden ,  David T. Chang

IPC分类号： H01L29/205

CPC分类号： H01L29/42316 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66462

摘要： A method for fabricating a gate structure for a field effect transistor having a buffer layer on a substrate, a channel layer and a barrier layer over the channel layer includes forming a gate including silicon, forming first sidewalls of a first material on either side and adjacent to the gate, selectively etching into the buffer layer to form a mesa for the field effect transistor, depositing a material layer over the mesa, planarizing the material layer over the mesa to form a planarized surface such that a top of the gate, tops of the first sidewalls, and a top of the material layer over the mesa are on the same planarized surface, depositing metal on the planzarized surface, annealing to form the gate into a metal silicided gate, and etching to remove excess non-silicided metal.

摘要翻译： 一种制造用于场效应晶体管的栅极结构的方法，该场效应晶体管在衬底上具有缓冲层，沟道层上的沟道层和势垒层包括形成包含硅的栅极，在任一侧和相邻的第一侧上形成第一材料的第一侧壁 到栅极，选择性地蚀刻到缓冲层中以形成用于场效应晶体管的台面，在所述台面上沉积材料层，在所述台面上平坦化所述材料层以形成平坦化表面，使得所述栅极的顶部， 第一侧壁和台面上的材料层的顶部在相同的平坦化表面上，在平面化表面上沉积金属，退火以将栅极形成金属硅化栅极，并蚀刻以除去多余的非硅化金属。

公开(公告)号：US08470652B1

公开(公告)日：2013-06-25

申请号：US13105706

申请日：2011-05-11

申请人： David F. Brown ,  Keisuke Shinohara ,  Miroslav Micovic ,  Andrea Corrion

发明人： David F. Brown ,  Keisuke Shinohara ,  Miroslav Micovic ,  Andrea Corrion

IPC分类号： H01L21/338

CPC分类号： H01L29/7784 ,  H01L21/02002 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02664 ,  H01L21/265 ,  H01L21/26546 ,  H01L21/30612 ,  H01L21/3081 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/8252 ,  H01L27/0605 ,  H01L27/088 ,  H01L27/0883 ,  H01L27/095 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/205 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7783 ,  H03F3/211 ,  H03F2200/372

摘要： A monolithically integrated device includes a substrate, a first set of Group III nitride epitaxial layers grown for a first HFET on a first region of the substrate, and a second set of Group III nitride epitaxial layers for a second HFET grown on a second region of the substrate.

摘要翻译： 单片集成器件包括衬底，为衬底的第一区域上的第一HFET生长的第一组III族氮化物外延层和用于在第二区域上生长的第二HFET的第二组III族氮化物外延层 底物。

公开(公告)号：US09496197B1

公开(公告)日：2016-11-15

申请号：US14495755

申请日：2014-09-24

申请人： Miroslav Micovic ,  Alexandros D. Margomenos ,  Keisuke Shinohara ,  Andrea Corrion

发明人： Miroslav Micovic ,  Alexandros D. Margomenos ,  Keisuke Shinohara ,  Andrea Corrion

IPC分类号： H01L23/373 ,  H01L23/34 ,  H01L21/306 ,  H01L23/00 ,  H01L29/80

CPC分类号： H01L23/34 ,  H01L21/30617 ,  H01L21/30625 ,  H01L23/3677 ,  H01L23/3732 ,  H01L24/27 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/404 ,  H01L29/42316 ,  H01L29/66871 ,  H01L29/812 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/10272 ,  H01L2924/1033 ,  H01L2924/142

摘要： Apparatus and methods are provided for heat removal and spreading from a field effect transistor (FET) including a substrate, a first source, a first gate, and a drain on the substrate, and a poly-diamond dielectric thermally coupled to the first gate wherein the poly-diamond dielectric facilitates heat removal from a top of the FET.

摘要翻译： 提供了用于从包括衬底，第一源，第一栅极和漏极在衬底上的场效应晶体管（FET）散热和扩散的装置和方法，以及热耦合到第一栅极的多金刚石电介质，其中 该多晶金刚石介质有利于从顶部排出热量。

公开(公告)号：US08728884B1

公开(公告)日：2014-05-20

申请号：US12510687

申请日：2009-07-28

申请人： Tahir Hussain ,  Miroslav Micovic ,  Wah S. Wong ,  Shawn D. Burnham

发明人： Tahir Hussain ,  Miroslav Micovic ,  Wah S. Wong ,  Shawn D. Burnham

IPC分类号： H01L21/338

CPC分类号： H01L29/7787 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/207 ,  H01L29/402 ,  H01L29/42316 ,  H01L29/66462

摘要： A method of fabricating a normally “off” GaN heterostructure field effect transistor having a source and a drain including depositing a passivation layer patterned to cover a channel region between a source and a drain, forming a first opening in the passivation layer, the first opening for defining a gate area in the channel region and the first opening having a first length dimension along a direction of current flow between the source and the drain, and implanting ions in an implant area within the gate area, wherein the implant area has a second length dimension along the direction of current flow shorter than the first length dimension.

摘要翻译： 一种制造具有源极和漏极的正常“关闭”GaN异质结构场效应晶体管的方法，包括沉积图案化以覆盖源极和漏极之间的沟道区域的钝化层，在钝化层中形成第一开口，第一开口 用于在所述沟道区域中限定栅极区域，并且所述第一开口沿着所述源极和漏极之间的电流流动的方向具有第一长度尺寸，以及将离子注入所述栅极区域内的注入区域中，其中所述植入区域具有第二 沿着电流流动方向的长度尺寸短于第一长度尺寸。

公开(公告)号：US08592983B2

公开(公告)日：2013-11-26

申请号：US13310074

申请日：2011-12-02

申请人： Hasan Sharifi ,  Alexandros D. Margomenos ,  Ara K. Kurdoghlian ,  Miroslav Micovic ,  Keisuke Shinohara ,  Colleen M. Butler

发明人： Hasan Sharifi ,  Alexandros D. Margomenos ,  Ara K. Kurdoghlian ,  Miroslav Micovic ,  Keisuke Shinohara ,  Colleen M. Butler

IPC分类号： H01L23/532 ,  H01L51/40

CPC分类号： H01L23/53252 ,  H01L23/5329 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A method of integrating benzocyclobutene (BCB) layers with a substrate is provided along with a corresponding device. A method includes forming a first BCB layer on the substrate and depositing a first metal layer on the first BCB layer and within vias defined by the first metal layer. The method also forms a second BCB layer on the first metal layer and deposits a second metal layer on the second BCB layer and within vias defined by the second metal layer. The second metal layer extends through the vias defined by the second metal layer to establish an operable connection with the first metal layer. The first and second metal layers are independent of an electrical connection to any circuit element carried by the substrate, but the first and second metal layers secure the second BCB layer to the underlying structure and reduce the likelihood of delamination.

摘要翻译： 将苯并环丁烯（BCB）层与基板一体化的方法与相应的装置一起提供。 一种方法包括在衬底上形成第一BCB层，并在第一BCB层上以及在由第一金属层限定的通孔内沉积第一金属层。 该方法还在第一金属层上形成第二BCB层，并在第二BCB层上以及由第二金属层限定的通孔内沉积第二金属层。 第二金属层延伸穿过由第二金属层限定的通孔，以建立与第一金属层的可操作连接。 第一和第二金属层独立于与由衬底承载的任何电路元件的电连接，但第一和第二金属层将第二BCB层固定到下面的结构并降低分层的可能性。

公开(公告)号：US20130140579A1

公开(公告)日：2013-06-06

申请号：US13310074

申请日：2011-12-02

申请人： Hasan Sharifi ,  Alexandros D. Margomenos ,  Ara K. Kurdoghlian ,  Miroslav Micovic ,  Keisuke Shinohara ,  Colleen M. Butler

发明人： Hasan Sharifi ,  Alexandros D. Margomenos ,  Ara K. Kurdoghlian ,  Miroslav Micovic ,  Keisuke Shinohara ,  Colleen M. Butler

IPC分类号： H01L29/20 ,  H01L23/52 ,  H01L21/768

CPC分类号： H01L23/53252 ,  H01L23/5329 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A method of integrating benzocyclobutene (BCB) layers with a substrate is provided along with a corresponding device. A method includes forming a first BCB layer on the substrate and depositing a first metal layer on the first BCB layer and within vias defined by the first metal layer. The method also forms a second BCB layer on the first metal layer and deposits a second metal layer on the second BCB layer and within vias defined by the second metal layer. The second metal layer extends through the vias defined by the second metal layer to establish an operable connection with the first metal layer. The first and second metal layers are independent of an electrical connection to any circuit element carried by the substrate, but the first and second metal layers secure the second BCB layer to the underlying structure and reduce the likelihood of delamination.

摘要翻译： 将苯并环丁烯（BCB）层与基板一体化的方法与相应的装置一起提供。 一种方法包括在衬底上形成第一BCB层，并在第一BCB层上以及在由第一金属层限定的通孔内沉积第一金属层。 该方法还在第一金属层上形成第二BCB层，并在第二BCB层上以及由第二金属层限定的通孔内沉积第二金属层。 第二金属层延伸穿过由第二金属层限定的通孔，以建立与第一金属层的可操作连接。 第一和第二金属层独立于与由衬底承载的任何电路元件的电连接，但第一和第二金属层将第二BCB层固定到下面的结构并降低分层的可能性。

公开(公告)号：US20150056764A1

公开(公告)日：2015-02-26

申请号：US14479223

申请日：2014-09-05

申请人： David F. Brown ,  Miroslav Micovic

发明人： David F. Brown ,  Miroslav Micovic

IPC分类号： H01L29/205 ,  H01L29/20 ,  H01L29/66

CPC分类号： H01L29/205 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/201 ,  H01L29/42316 ,  H01L29/66431 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7783

摘要： A device and a method of making said wherein the device wherein the device has a group III-nitride buffer deposited on a substrate; and a group III-nitride heterostructure disposed on a surface of the group III-nitride buffer, wherein the group III-nitride heterostructure has a group III-nitride channel and a group III-nitride barrier layer disposed on a surface of the group III-nitride channel, the group III-nitride barrier layer including Al as one of its constituent group III elements, the Al having a mole fraction which varies at least throughout a portion of said group III-nitride barrier layer.

摘要翻译： 一种制造所述装置和方法，其中所述装置其中所述装置具有沉积在基板上的III族氮化物缓冲层; 和III族氮化物异质结构，其中所述III族氮化物异质结构具有III族氮化物沟道和III族氮化物阻挡层，所述III族氮化物阻挡层设置在所述III族氮化物缓冲层的表面上， 氮化物沟道，III族氮化物阻挡层包括Al作为其组成III族元素之一，Al具有至少在所述III族氮化物阻挡层的一部分上变化的摩尔分数。