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    Phase shift mask blank, phase shift mask and method of manufacture
    1.
    发明授权
    Phase shift mask blank, phase shift mask and method of manufacture 有权
    相移掩模空白，相移掩模和制造方法

    公开(公告)号：US06511778B2

    公开(公告)日：2003-01-28

    申请号：US09753517

    申请日：2001-01-04

    申请人： Satoshi Okazaki ,  Ichiro Kaneko ,  Jiro Moriya ,  Masayuki Suzuki ,  Tamotsu Maruyama

    发明人： Satoshi Okazaki ,  Ichiro Kaneko ,  Jiro Moriya ,  Masayuki Suzuki ,  Tamotsu Maruyama

    IPC分类号： G03F900

    CPC分类号： G03F1/32 ,  G03F1/26

    摘要： A phase shift mask blank comprising a transparent substrate and at least one layer of a phase shifter thereon, wherein the phase shifter is a film composed primarily of a fluorine-doped metal silicide, can be fabricated into a high-performance phase shift mask having adequate transmittance and good stability over time even when used with light sources that emit short-wavelength light. The phase shift mask can be used to fabricate semiconductor integrated circuits to a smaller minimum feature size and a higher level of integration.

    摘要翻译： 一种相移掩模坯料，其包括透明基板和至少一层其上的移相器，其中移相器是主要由掺氟金属硅化物构成的膜，可以被制成具有足够的高性能相移掩模 即使在与发出短波长光的光源一起使用时，透射率和稳定性也很好。 相移掩模可用于将半导体集成电路制造成更小的最小特征尺寸和更高的集成度。

    Phase-shift photomask-blank, phase-shift photomask and fabrication method thereof
    2.
    发明授权
    Phase-shift photomask-blank, phase-shift photomask and fabrication method thereof 有权
    相移光掩模 - 空白，相移光掩模及其制造方法

    公开(公告)号：US07622227B2

    公开(公告)日：2009-11-24

    申请号：US11431550

    申请日：2006-05-11

    申请人： Yukio Inazuki ,  Hiroki Yoshikawa ,  Tamotsu Maruyama ,  Satoshi Okazaki

    发明人： Yukio Inazuki ,  Hiroki Yoshikawa ,  Tamotsu Maruyama ,  Satoshi Okazaki

    IPC分类号： G03F1/00

    CPC分类号： G03F1/32 ,  Y10T428/31616

    摘要： On a substrate that is transparent to exposure light, a phase-shift multilayer film including a stack of two layers of a metal silicide compound is formed. A stabilized oxide layer is formed on the surface of the metal silicide compound layer close to the top surface. The layer close to the substrate (the lower layer) of the phase-shift multilayer film is made of a relatively-metal-rich metal silicide compound, and the upper layer is made of a relatively-metal-poor metal silicide compound. The stabilized oxide layer has a metal-poor composition, and the metal content thereof is equal to or less than one third of the metal content of the lower layer. Thus, the stabilized oxide layer is highly chemically stable and has a high chemical resistance.

    摘要翻译： 在对曝光光透明的基板上，形成包括两层金属硅化物的叠层的相移多层膜。 在靠近顶面的金属硅化物层的表面上形成稳定的氧化物层。 相移多层膜的基板（下层）的层由相对富金属的金属硅化物构成，上层由相对不富金属的金属硅化物构成。 稳定的氧化物层具有金属不足的组成，其金属含量等于或小于下层的金属含量的三分之一。 因此，稳定的氧化物层是高度化学稳定的并且具有高的耐化学性。

    Phase shift mask and method of manufacture
    3.
    发明授权
    Phase shift mask and method of manufacture 有权
    相移掩模和制造方法

    公开(公告)号：US06514642B2

    公开(公告)日：2003-02-04

    申请号：US09790886

    申请日：2001-02-23

    申请人： Satoshi Okazaki ,  Tamotsu Maruyama ,  Yukio Inazuki ,  Hideo Kaneko ,  Shinichi Kohno

    发明人： Satoshi Okazaki ,  Tamotsu Maruyama ,  Yukio Inazuki ,  Hideo Kaneko ,  Shinichi Kohno

    IPC分类号： G03F900

    CPC分类号： G03F1/30 ,  C23C14/0057 ,  C23C14/0682 ,  Y10T428/31678

    摘要： In a phase shift mask comprising an exposure light-transmitting substrate and a second light-transmitting region thereon, the second light-transmitting region functions as a phase shifter and is made of a fluorine-doped molybdenum silicide film or fluorine-doped chromium silicide film formed by a sputtering technique that uses molybdenum metal, chromium metal, molybdenum silicide or chromium silicide as the target and SiF2 as the reactive gas. The phase shifter has a high refractive index to short-wavelength exposure light, enabling a 180-degree phase change to be achieved at a minimum film thickness, and also has a good stability to such light. The phase shift mask can be used to fabricate semiconductor integrated circuits to a smaller minimum feature size and a higher level of integration.

    摘要翻译： 在包括曝光透光基板和其上的第二透光区域的相移掩模中，第二透光区域用作移相器，并且由氟掺杂的硅化钼膜或氟掺杂的硅化铬膜 通过使用钼金属，铬金属，硅化钼或硅化铬作为靶的溅射技术形成，SiF2作为反应气体。 移相器对短波长曝光光具有高折射率，能够在最小膜厚度下实现180度相位变化，并且对于这种光也具有良好的稳定性。 相移掩模可用于将半导体集成电路制造成更小的最小特征尺寸和更高的集成度。

    Photomask blank, photomask and method of manufacture
    5.
    发明授权
    Photomask blank, photomask and method of manufacture 有权
    光掩模坯料，光掩模和制造方法

    公开(公告)号：US06733930B2

    公开(公告)日：2004-05-11

    申请号：US10073415

    申请日：2002-02-13

    申请人： Tsutomu Shinagawa ,  Tamotsu Maruyama ,  Hideo Kaneko ,  Mikio Kojima ,  Yukio Inazuki ,  Satoshi Okazaki

    发明人： Tsutomu Shinagawa ,  Tamotsu Maruyama ,  Hideo Kaneko ,  Mikio Kojima ,  Yukio Inazuki ,  Satoshi Okazaki

    IPC分类号： G03F900

    CPC分类号： G03F1/50 ,  G03F1/46 ,  G03F1/80

    摘要： In a photomask blank comprising a light-shielding film and an antireflective film on a transparent substrate, the light-shielding film and the antireflective film are formed of a chromium base material containing oxygen, nitrogen and carbon such that the content of carbon decreases stepwise or continuously from a surface side toward the substrate. The photomask blank can be etched at a controlled rate to produce perpendicular walls. A photomask is manufactured by lithographically patterning the photomask blank. The photomask blank and photomask have uniform film properties and contribute to the microfabrication of semiconductor ICs of greater density and finer feature size.

    摘要翻译： 在透明基板上包括遮光膜和抗反射膜的光掩模坯料中，遮光膜和抗反射膜由含有氧，氮和碳的铬基材料形成，使得碳含量逐步降低或 从表面侧连续地朝向基板。 可以以受控的速率蚀刻光掩模坯料以产生垂直的壁。 通过光刻图案化光掩模坯料制造光掩模。 光掩模坯料和光掩模具有均匀的膜性质，并且有助于具有更大密度和更精细特征尺寸的半导体IC的微细加工。

    Photomask blank, photomask and method of manufacture
    6.
    发明授权
    Photomask blank, photomask and method of manufacture 有权
    光掩模坯料，光掩模和制造方法

    公开(公告)号：US06503669B2

    公开(公告)日：2003-01-07

    申请号：US09783322

    申请日：2001-02-15

    申请人： Hideo Kaneko ,  Yukio Inazuki ,  Tamotsu Maruyama ,  Satoshi Okazaki

    发明人： Hideo Kaneko ,  Yukio Inazuki ,  Tamotsu Maruyama ,  Satoshi Okazaki

    IPC分类号： G03F900

    CPC分类号： G03F1/68 ,  C03C17/22 ,  C03C17/225 ,  C03C2217/281 ,  C03C2217/282 ,  C03C2218/155 ,  C23C14/0057 ,  C23C14/06 ,  G03F1/50

    摘要： A photomask blank has at least one layer of chromium base film on a transparent substrate. The chromium base film of chromium oxycarbide (CrCO) or chromium oxynitride carbide (CrCON) is formed by a reactive sputtering technique using chromium or chromium containing O, N or C as the target and a mixture of carbon dioxide gas and an inert gas as the sputtering gas. A photomask is manufactured by lithographically patterning the photomask blank. The photomask blank and photomask are of quality featuring high uniformity within the substrate plane and ease of control during manufacture.

    摘要翻译： 光掩模坯料在透明衬底上具有至少一层铬基膜。 碳氧化铬（CrCO）或氮氧化铬碳化铬（CrCON）的铬基膜通过使用含有O，N或C的铬或铬作为靶的反应溅射技术形成，并且将二氧化碳气体和惰性气体的混合物作为 溅射气体。 通过光刻图案化光掩模坯料制造光掩模。 光掩模坯料和光掩模的质量在基板平面内具有高均匀性，并且在制造期间易于控制。

    Phase shift mask blank, phase shift mask, and method of manufacture
    7.
    发明授权
    Phase shift mask blank, phase shift mask, and method of manufacture 有权
    相移掩模空白，相移掩模和制造方法

    公开(公告)号：US06503668B2

    公开(公告)日：2003-01-07

    申请号：US09757615

    申请日：2001-01-11

    申请人： Yukio Inazuki ,  Hideo Kaneko ,  Tamotsu Maruyama ,  Satoshi Okazaki

    发明人： Yukio Inazuki ,  Hideo Kaneko ,  Tamotsu Maruyama ,  Satoshi Okazaki

    IPC分类号： G03F900

    CPC分类号： G03F1/32 ,  G03F1/26

    摘要： A phase shift mask blank has a phase shift film of MoSiOC or MoSiONC on a transparent substrate, and optionally a chromium-based light-shielding film, a chromium-based antireflection film or a multilayer combination of both on the phase shift film. A manufacture method involving depositing the MoSi base phase shift film by a reactive sputtering technique using a sputtering gas containing carbon dioxide produces a phase shift mask blank and phase shift mask of quality, with advantages of in-plane uniformity and easy control during manufacture.

    摘要翻译： 相移掩模空白在透明基板上具有MoSiOC或MoSiONC的相移膜，并且可选地，在相移膜上具有铬基遮光膜，铬基抗反射膜或两者的多层组合。 包括通过使用含有二氧化碳的溅射气体的反应溅射技术沉积MoSi基相变膜的制造方法产生质量的相移掩模坯料和相移掩模，具有在制造过程中面内均匀性和易于控制的优点。

    Phase shift mask and making process
    10.
    发明授权
    Phase shift mask and making process 有权
    相移掩模和制作过程

    公开(公告)号：US06352801B1

    公开(公告)日：2002-03-05

    申请号：US09573560

    申请日：2000-05-19

    申请人： Satoshi Okazaki ,  Hideo Kaneko ,  Tamotsu Maruyama ,  Yukio Inazuki

    发明人： Satoshi Okazaki ,  Hideo Kaneko ,  Tamotsu Maruyama ,  Yukio Inazuki

    IPC分类号： G03F900

    CPC分类号： G03F1/32 ,  G03F1/54

    摘要： A phase shift mask has a phase shifter formed on a substrate which is transmissive to exposure light. The phase shifter serving as a second light transmissive region is constructed of gadolinium gallium garnet. The shifter film formed under the sputtering conditions capable of restraining the generation of particles causing film defects is homogeneous, and the phase shift mask is of high precision.

    摘要翻译： 相移掩模具有形成在对曝光光透射的基板上的移相器。 作为第二透光区域的移相器由钆镓石榴石构成。 在能够抑制引起膜缺陷的颗粒的产生的溅射条件下形成的移位膜是均匀的，并且相移掩模是高精度的。