公开(公告)号：US07541291B2

公开(公告)日：2009-06-02

申请号：US11821422

申请日：2007-06-22

申请人： Sean S. Kang ,  Sangheon Lee ,  Wan-Lin Chen ,  Eric A. Hudson ,  S. M. Reza Sadjadi ,  Gan Ming Zhao

发明人： Sean S. Kang ,  Sangheon Lee ,  Wan-Lin Chen ,  Eric A. Hudson ,  S. M. Reza Sadjadi ,  Gan Ming Zhao

IPC分类号： H01L21/302

CPC分类号： H01L21/76802 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/76816

摘要： A feature in a layer is provided. A photoresist layer is formed over the layer. The photoresist layer is patterned to form photoresist features with photoresist sidewalls, where the photoresist features have a first critical dimension. A conformal layer is deposited over the sidewalls of the photoresist features to reduce the critical dimensions of the photoresist features. Features are etched into the layer, wherein the layer features have a second critical dimension, which is less than the first critical dimension.

摘要翻译： 提供了一个图层中的一个特征。 在该层上形成光致抗蚀剂层。 光致抗蚀剂层被图案化以形成具有光致抗蚀剂侧壁的光致抗蚀剂特征，其中光致抗蚀剂特征具有第一临界尺寸。 在光致抗蚀剂特征的侧壁上沉积保形层以减少光致抗蚀剂特征的临界尺寸。 将特征蚀刻到层中，其中层特征具有小于第一临界尺寸的第二临界尺寸。

公开(公告)号：US07250371B2

公开(公告)日：2007-07-31

申请号：US10648953

申请日：2003-08-26

申请人： Sean S. Kang ,  Sangheon Lee ,  Wan-Lin Chen ,  Eric A. Hudson ,  S. M. Reza Sadjadi ,  Gan Ming Zhao

发明人： Sean S. Kang ,  Sangheon Lee ,  Wan-Lin Chen ,  Eric A. Hudson ,  S. M. Reza Sadjadi ,  Gan Ming Zhao

IPC分类号： H01L21/311

CPC分类号： H01L21/76802 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/76816

摘要： A feature in a layer is provided. A photoresist layer is formed over the layer. The photoresist layer is patterned to form photoresist features with photoresist sidewalls, where the photoresist features have a first critical dimension. A conformal layer is deposited over the sidewalls of the photoresist features to reduce the critical dimensions of the photoresist features. Features are etched into the layer, wherein the layer features have a second critical dimension, which is less than the first critical dimension.

摘要翻译： 提供了一个图层中的一个特征。 在该层上形成光致抗蚀剂层。 光致抗蚀剂层被图案化以形成具有光致抗蚀剂侧壁的光致抗蚀剂特征，其中光致抗蚀剂特征具有第一临界尺寸。 在光致抗蚀剂特征的侧壁上沉积保形层以减少光致抗蚀剂特征的临界尺寸。 将特征蚀刻到层中，其中层特征具有小于第一临界尺寸的第二临界尺寸。

公开(公告)号：US07192531B1

公开(公告)日：2007-03-20

申请号：US10603412

申请日：2003-06-24

申请人： Sean S. Kang ,  Sangheon Lee ,  Wan-Lin Chen ,  Eric A. Hudson ,  Reza Sadjadi

发明人： Sean S. Kang ,  Sangheon Lee ,  Wan-Lin Chen ,  Eric A. Hudson ,  Reza Sadjadi

IPC分类号： H01L21/302

CPC分类号： H01L21/76808 ,  H01L21/31138

摘要： A method for forming damascene features in a dielectric layer over a barrier layer over a substrate is provided. A plurality of vias are etched in the dielectric layer to the barrier layer with a plasma etching process in the plasma processing chamber. A patterned photoresist layer is formed with a trench pattern. Within a single plasma process chamber a combination via plug deposition to form plugs in the vias over the barrier layer and trench etch is provided.

摘要翻译： 提供了一种用于在衬底上的阻挡层上的介电层中形成镶嵌特征的方法。 在等离子体处理室中通过等离子体蚀刻工艺将多个通孔在电介质层中蚀刻到阻挡层。 形成具有沟槽图案的图案化的光致抗蚀剂层。 在单个等离子体处理室内，提供了通过插塞沉积的组合以在阻挡层上的通孔中形成插塞和沟槽蚀刻。

公开(公告)号：US07084070B1

公开(公告)日：2006-08-01

申请号：US10623016

申请日：2003-07-17

申请人： Sangheon Lee ,  Sean S. Kang ,  S M Reza Sadjadi ,  Subhash Deshmukh ,  Ji Soo Kim

发明人： Sangheon Lee ,  Sean S. Kang ,  S M Reza Sadjadi ,  Subhash Deshmukh ,  Ji Soo Kim

IPC分类号： H01L21/461 ,  H01L21/302

CPC分类号： H01L21/76802 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/32137 ,  H01L21/32138 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/7681 ,  H01L21/76814

摘要： A method for processing substrate to form a semiconductor device is disclosed. The substrate includes an etch stop layer disposed above a metal layer. The method includes etching through the etch stop layer down to the copper metal layer, using a plasma etch process that utilizes a chlorine-containing etchant source gas, thereby forming etch stop layer openings in the etch stop layer. The etch stop layer includes at least one of a SiN and SiC material. Thereafter, the method includes performing a wet treatment on the substrate using a solution that contains acetic acid (CH3COOH) or acetic acid/ammonium hydroxide (NH4OH) to remove at least some of the copper oxides. Alternatively, the copper oxides may be removed using a H2 plasma. BTA passivation may be optionally performed on the substrate.

摘要翻译： 公开了一种用于处理基板以形成半导体器件的方法。 衬底包括设置在金属层上方的蚀刻停止层。 该方法包括使用利用含氯蚀刻剂源气体的等离子体蚀刻工艺将蚀刻停止层蚀刻到铜金属层下方，从而在蚀刻停止层中形成蚀刻停止层开口。 蚀刻停止层包括SiN和SiC材料中的至少一种。 此后，该方法包括使用含有乙酸（CH 3 COOH）或乙酸/氢氧化铵（NH 4 OH）的溶液对底物进行湿处理至 去除至少一些铜氧化物。 或者，可以使用H 2 O 3等离子体去除铜氧化物。 可以任选地在衬底上进行BTA钝化。

公开(公告)号：US08614149B2

公开(公告)日：2013-12-24

申请号：US13586571

申请日：2012-08-15

申请人： Sangheon Lee ,  Dae-Han Choi ,  Jisoo Kim ,  Peter Cirigliano ,  Zhisong Huang ,  Robert Charatan ,  S. M. Reza Sadjadi

发明人： Sangheon Lee ,  Dae-Han Choi ,  Jisoo Kim ,  Peter Cirigliano ,  Zhisong Huang ,  Robert Charatan ,  S. M. Reza Sadjadi

IPC分类号： H01L21/311

CPC分类号： C23F4/00 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/76816 ,  Y10S438/947

摘要： A method for forming a feature in an etch layer is provided. A photoresist layer is formed over the etch layer. The photoresist layer is patterned to form photoresist features with photoresist sidewalls. A control layer is formed over the photoresist layer and bottoms of the photoresist features. A conformal layer is deposited over the sidewalls of the photoresist features and control layer to reduce the critical dimensions of the photoresist features. Openings in the control layer are opened with a control layer breakthrough chemistry. Features are etched into the etch layer with an etch chemistry, which is different from the control layer break through chemistry, wherein the control layer is more etch resistant to the etch with the etch chemistry than the conformal layer.

摘要翻译： 提供了一种在蚀刻层中形成特征的方法。 在蚀刻层上形成光致抗蚀剂层。 图案化光致抗蚀剂层以形成具有光致抗蚀剂侧壁的光致抗蚀剂特征。 在光致抗蚀剂层和光致抗蚀剂特征的底部上形成控制层。 在光致抗蚀剂特征和控制层的侧壁上沉积保形层以减少光刻胶特征的临界尺寸。 控制层的开口打开，控制层突破性化学。 特征被蚀刻到蚀刻层中，其蚀刻化学性质不同于控制层突破化学，其中控制层比蚀刻化学性质比保形层蚀刻更耐腐蚀。

公开(公告)号：US07098130B1

公开(公告)日：2006-08-29

申请号：US11016304

申请日：2004-12-16

申请人： Ji Soo Kim ,  Sangheon Lee ,  S. M. Reza Sadjadi

发明人： Ji Soo Kim ,  Sangheon Lee ,  S. M. Reza Sadjadi

IPC分类号： H01L21/4763

CPC分类号： H01L21/76808 ,  H01L21/76813

摘要： A method for forming dual damascene features in a dielectric layer. Vias are partially etched in the dielectric layer. A trench pattern mask is formed over the dielectric layer. Trenches are partially etched in the dielectric layer. The trench pattern mask is stripped. The dielectric layer is further etched to complete etch the vias and the trenches in the dielectric layer.

摘要翻译： 一种在介电层中形成双镶嵌特征的方法。 在电介质层中部分地蚀刻通孔。 在电介质层上形成沟槽图案掩模。 在介电层中部分蚀刻沟槽。 剥去沟槽图案掩模。 进一步蚀刻电介质层以完成蚀刻介电层中的通路和沟槽。

公开(公告)号：US07902073B2

公开(公告)日：2011-03-08

申请号：US11610953

申请日：2006-12-14

申请人： Ji Soo Kim ,  Sangheon Lee ,  Deepak K. Gupta ,  S. M. Reza Sadjadi

发明人： Ji Soo Kim ,  Sangheon Lee ,  Deepak K. Gupta ,  S. M. Reza Sadjadi

IPC分类号： H01L21/311

CPC分类号： H01L21/31144 ,  H01L21/30655 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/312

摘要： A method for etching features in an etch layer disposed below a mask on a process wafer is provided. A hydrocarbon based glue layer is deposited. The etch layer on the process wafer is etched with at least one cycle, wherein each cycle comprises depositing a hydrofluorocarbon layer over the mask and on the hydrocarbon based glue layer, wherein the hydrocarbon based glue layer increases adhesion of the hydrofluorocarbon layer and etching the etch layer.

摘要翻译： 提供了一种用于蚀刻设置在处理晶片上的掩模下方的蚀刻层中的特征的方法。 沉积烃基胶层。 用至少一个循环蚀刻处理晶片上的蚀刻层，其中每个循环包括在掩模上和基于烃的胶层上沉积氢氟碳化合物层，其中基于烃的胶层增加氢氟烃层的粘附和蚀刻蚀刻 层。

公开(公告)号：US08268118B2

公开(公告)日：2012-09-18

申请号：US12711420

申请日：2010-02-24

申请人： Sangheon Lee ,  Dae-Han Choi ,  Jisoo Kim ,  Peter Cirigliano ,  Zhisong Huang ,  Robert Charatan ,  S. M. Reza Sadjadi

发明人： Sangheon Lee ,  Dae-Han Choi ,  Jisoo Kim ,  Peter Cirigliano ,  Zhisong Huang ,  Robert Charatan ,  S. M. Reza Sadjadi

IPC分类号： H01L21/3065

CPC分类号： C23F4/00 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/76816 ,  Y10S438/947

摘要： A method for forming a feature in an etch layer is provided. A photoresist layer is formed over the etch layer. The photoresist layer is patterned to form photoresist features with photoresist sidewalls. A control layer is formed over the photoresist layer and bottoms of the photoresist features. A conformal layer is deposited over the sidewalls of the photoresist features and control layer to reduce the critical dimensions of the photoresist features. Openings in the control layer are opened with a control layer breakthrough chemistry. Features are etched into the etch layer with an etch chemistry, which is different from the control layer break through chemistry, wherein the control layer is more etch resistant to the etch with the etch chemistry than the conformal layer.

摘要翻译： 提供了一种在蚀刻层中形成特征的方法。 在蚀刻层上形成光致抗蚀剂层。 图案化光致抗蚀剂层以形成具有光致抗蚀剂侧壁的光致抗蚀剂特征。 在光致抗蚀剂层和光致抗蚀剂特征的底部上形成控制层。 在光致抗蚀剂特征和控制层的侧壁上沉积保形层以减少光刻胶特征的临界尺寸。 控制层的开口打开，控制层突破性化学。 特征被蚀刻到蚀刻层中，其蚀刻化学性质不同于控制层突破性化学，其中控制层比蚀刻化学性质比共形层更耐蚀刻蚀刻。

公开(公告)号：US07390749B2

公开(公告)日：2008-06-24

申请号：US11558238

申请日：2006-11-09

申请人： Ji Soo Kim ,  Sangheon Lee ,  Daehan Choi ,  S. M. Reza Sadjadi

发明人： Ji Soo Kim ,  Sangheon Lee ,  Daehan Choi ,  S. M. Reza Sadjadi

IPC分类号： H01L21/311

CPC分类号： H01L21/0338 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/31144

摘要： A method for providing features in an etch layer with a memory region and a peripheral region is provided. A memory patterned mask is formed over a first sacrificial layer. A first set of sacrificial layer features is etched into the first sacrificial layer and a second sacrificial layer. Features of the first set of sacrificial layer features are filled with filler material. The first sacrificial layer is removed. The spaces are shrunk with a shrink sidewall deposition. A second set of sacrificial layer features is etched into the second sacrificial layer. The filler material and shrink sidewall deposition are removed. A peripheral patterned mask is formed over the memory region and peripheral region. The second sacrificial layer is etched through the peripheral patterned mask. The peripheral patterned mask is removed. Features are etched into the etch layer from the second sacrificial layer.

摘要翻译： 提供了一种用于在具有存储区域和周边区域的蚀刻层中提供特征的方法。 存储器图案化掩模形成在第一牺牲层上。 第一组牺牲层特征被蚀刻到第一牺牲层和第二牺牲层中。 第一组牺牲层特征的特征填充有填充材料。 第一牺牲层被去除。 这些空间随着收缩侧壁沉积而收缩。 第二组牺牲层特征被蚀刻到第二牺牲层中。 去除填充材料和收缩侧壁沉积。 在存储器区域和外围区域上形成周边图案化掩模。 通过外围图案化掩模蚀刻第二牺牲层。 去除周边图案掩模。 特征从第二牺牲层蚀刻到蚀刻层中。

公开(公告)号：US20080146032A1

公开(公告)日：2008-06-19

申请号：US11610953

申请日：2006-12-14

申请人： Ji Soo Kim ,  Sangheon Lee ,  Deepak K. Gupta ,  S. M. Reza Sadjadi

发明人： Ji Soo Kim ,  Sangheon Lee ,  Deepak K. Gupta ,  S. M. Reza Sadjadi

IPC分类号： H01L21/3105

CPC分类号： H01L21/31144 ,  H01L21/30655 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/312

摘要： A method for etching features in an etch layer disposed below a mask on a process wafer is provided. A hydrocarbon based glue layer is deposited. The etch layer on the process wafer is etched with at least one cycle, wherein each cycle comprises depositing a hydrofluorocarbon layer over the mask and on the hydrocarbon based glue layer, wherein the hydrocarbon based glue layer increases adhesion of the hydrofluorocarbon layer and etching the etch layer.

摘要翻译： 提供了一种用于蚀刻设置在处理晶片上的掩模下方的蚀刻层中的特征的方法。 沉积烃基胶层。 用至少一个循环蚀刻处理晶片上的蚀刻层，其中每个循环包括在掩模上和基于烃的胶层上沉积氢氟烃层，其中基于烃的胶层增加氢氟烃层的粘附和蚀刻蚀刻 层。