利索-全球专利检索

  1. 登录
  2. 注册

搜索结果

33 条记录 (耗时 0.046 秒)

    Process for forming cobalt-containing materials
    1.
    发明授权
    Process for forming cobalt-containing materials 有权
    用于形成含钴材料的方法

    公开(公告)号：US08815724B2

    公开(公告)日：2014-08-26

    申请号：US13452237

    申请日：2012-04-20

    申请人： Seshadri Ganguli ,  Schubert S. Chu ,  Mei Chang ,  Sang-ho Yu ,  Kevin Moraes ,  See-Eng Phan

    发明人： Seshadri Ganguli ,  Schubert S. Chu ,  Mei Chang ,  Sang-ho Yu ,  Kevin Moraes ,  See-Eng Phan

    IPC分类号： H01L21/28 ,  H01L21/44

    CPC分类号： C23C16/42 ,  C23C16/18 ,  C23C16/56 ,  H01L21/0206 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/28518 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/67207 ,  H01L21/68785 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76846 ,  H01L21/76855 ,  H01L29/665 ,  H01L29/78

    摘要： Embodiments of the invention described herein generally provide methods and apparatuses for forming cobalt silicide layers, metallic cobalt layers, and other cobalt-containing materials. In one embodiment, a method for forming a cobalt silicide containing material on a substrate is provided which includes exposing a substrate to at least one preclean process to expose a silicon-containing surface, depositing a cobalt silicide material on the silicon-containing surface, depositing a metallic cobalt material on the cobalt silicide material, and depositing a metallic contact material on the substrate. In another embodiment, a method includes exposing a substrate to at least one preclean process to expose a silicon-containing surface, depositing a cobalt silicide material on the silicon-containing surface, expose the substrate to an annealing process, depositing a barrier material on the cobalt silicide material, and depositing a metallic contact material on the barrier material.

    摘要翻译： 本文所述的本发明的实施例通常提供用于形成硅化钴层，金属钴层和其它含钴材料的方法和装置。 在一个实施例中，提供了一种用于在衬底上形成含钴硅化物的材料的方法，其包括将衬底暴露于至少一个预清洗工艺以暴露含硅表面，在含硅表面上沉积钴硅化物材料，沉积 在钴硅化物材料上的金属钴材料，并在基底上沉积金属接触材料。 在另一个实施例中，一种方法包括将衬底暴露于至少一个预清洗工艺以暴露含硅表面，在含硅表面上沉积钴硅化物材料，将衬底暴露于退火工艺，将阻挡材料沉积在 钴硅化物材料，并将金属接触材料沉积在阻挡材料上。

    PROCESS FOR FORMING COBALT-CONTAINING MATERIALS
    2.
    发明申请
    PROCESS FOR FORMING COBALT-CONTAINING MATERIALS 有权
    形成含钴材料的方法

    公开(公告)号：US20120264291A1

    公开(公告)日：2012-10-18

    申请号：US13452237

    申请日：2012-04-20

    申请人： Seshadri Ganguli ,  Schubert S. Chu ,  Mei Chang ,  Sang-Ho Yu ,  Kevin Moraes ,  See-Eng Phan

    发明人： Seshadri Ganguli ,  Schubert S. Chu ,  Mei Chang ,  Sang-Ho Yu ,  Kevin Moraes ,  See-Eng Phan

    IPC分类号： H01L21/768

    CPC分类号： C23C16/42 ,  C23C16/18 ,  C23C16/56 ,  H01L21/0206 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/28518 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/67207 ,  H01L21/68785 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76846 ,  H01L21/76855 ,  H01L29/665 ,  H01L29/78

    摘要： Embodiments of the invention described herein generally provide methods and apparatuses for forming cobalt silicide layers, metallic cobalt layers, and other cobalt-containing materials. In one embodiment, a method for forming a cobalt silicide containing material on a substrate is provided which includes exposing a substrate to at least one preclean process to expose a silicon-containing surface, depositing a cobalt silicide material on the silicon-containing surface, depositing a metallic cobalt material on the cobalt silicide material, and depositing a metallic contact material on the substrate. In another embodiment, a method includes exposing a substrate to at least one preclean process to expose a silicon-containing surface, depositing a cobalt silicide material on the silicon-containing surface, expose the substrate to an annealing process, depositing a barrier material on the cobalt silicide material, and depositing a metallic contact material on the barrier material.

    摘要翻译： 本文所述的本发明的实施例通常提供用于形成硅化钴层，金属钴层和其它含钴材料的方法和装置。 在一个实施例中，提供了一种用于在衬底上形成含钴硅化物的材料的方法，其包括将衬底暴露于至少一个预清洗工艺以暴露含硅表面，在含硅表面上沉积钴硅化物材料，沉积 在钴硅化物材料上的金属钴材料，并在基底上沉积金属接触材料。 在另一个实施例中，一种方法包括将衬底暴露于至少一个预清洗工艺以暴露含硅表面，在含硅表面上沉积钴硅化物材料，将衬底暴露于退火工艺，将阻挡材料沉积在 钴硅化物材料，并将金属接触材料沉积在阻挡材料上。

    Process for forming cobalt-containing materials
    3.
    发明授权
    Process for forming cobalt-containing materials 失效
    用于形成含钴材料的方法

    公开(公告)号：US08110489B2

    公开(公告)日：2012-02-07

    申请号：US11733929

    申请日：2007-04-11

    申请人： Seshadri Ganguli ,  Schubert S. Chu ,  Mei Chang ,  Sang-Ho Yu ,  Kevin Moraes ,  See-Eng Phan

    发明人： Seshadri Ganguli ,  Schubert S. Chu ,  Mei Chang ,  Sang-Ho Yu ,  Kevin Moraes ,  See-Eng Phan

    IPC分类号： H01L21/28

    CPC分类号： C23C16/42 ,  C23C16/18 ,  C23C16/56 ,  H01L21/0206 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/28518 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/67207 ,  H01L21/68785 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76846 ,  H01L21/76855 ,  H01L29/665 ,  H01L29/78

    摘要： Embodiments of the invention described herein generally provide methods and apparatuses for forming cobalt silicide layers, metallic cobalt layers, and other cobalt-containing materials. In one embodiment, a method for forming a cobalt silicide containing material on a substrate is provided which includes exposing a substrate to at least one preclean process to expose a silicon-containing surface, depositing a cobalt silicide material on the silicon-containing surface, depositing a metallic cobalt material on the cobalt silicide material, and depositing a metallic contact material on the substrate. In another embodiment, a method includes exposing a substrate to at least one preclean process to expose a silicon-containing surface, depositing a cobalt silicide material on the silicon-containing surface, expose the substrate to an annealing process, depositing a barrier material on the cobalt silicide material, and depositing a metallic contact material on the barrier material.

    摘要翻译： 本文所述的本发明的实施例通常提供用于形成硅化钴层，金属钴层和其它含钴材料的方法和装置。 在一个实施例中，提供了一种用于在衬底上形成含钴硅化物的材料的方法，其包括将衬底暴露于至少一个预清洗工艺以暴露含硅表面，在含硅表面上沉积钴硅化物材料，沉积 在钴硅化物材料上的金属钴材料，并在基底上沉积金属接触材料。 在另一个实施例中，一种方法包括将衬底暴露于至少一个预清洗工艺以暴露含硅表面，在含硅表面上沉积钴硅化物材料，将衬底暴露于退火工艺，将阻挡材料沉积在 钴硅化物材料，并将金属接触材料沉积在阻挡材料上。

    PROCESS FOR FORMING COBALT-CONTAINING MATERIALS
    4.
    发明申请
    PROCESS FOR FORMING COBALT-CONTAINING MATERIALS 审中-公开
    形成含钴材料的方法

    公开(公告)号：US20110124192A1

    公开(公告)日：2011-05-26

    申请号：US13014656

    申请日：2011-01-26

    申请人： Seshadri Ganguli ,  Schubert S. Chu ,  Mei Chang ,  Sang-Ho Yu ,  Kevin Moraes ,  See-Eng Phan

    发明人： Seshadri Ganguli ,  Schubert S. Chu ,  Mei Chang ,  Sang-Ho Yu ,  Kevin Moraes ,  See-Eng Phan

    IPC分类号： H01L21/768

    CPC分类号： C23C16/18 ,  C23C16/42 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/02068 ,  H01L21/28518 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/68785 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76846 ,  H01L21/76855 ,  H01L21/76864

    摘要： Embodiments of the invention described herein generally provide methods and apparatuses for forming cobalt silicide layers, metallic cobalt layers, and other cobalt-containing materials. In one embodiment, a method for forming a cobalt silicide containing material on a substrate is provided which includes exposing a substrate to at least one preclean process to expose a silicon-containing surface, depositing a cobalt silicide material on the silicon-containing surface, depositing a metallic cobalt material on the cobalt silicide material, and depositing a metallic contact material on the substrate. In another embodiment, a method includes exposing a substrate to at least one preclean process to expose a silicon-containing surface, depositing a cobalt silicide material on the silicon-containing surface, expose the substrate to an annealing process, depositing a barrier material on the cobalt silicide material, and depositing a metallic contact material on the barrier material.

    摘要翻译： 本文所述的本发明的实施例通常提供用于形成硅化钴层，金属钴层和其它含钴材料的方法和装置。 在一个实施例中，提供了一种用于在衬底上形成含钴硅化物的材料的方法，其包括将衬底暴露于至少一个预清洗工艺以暴露含硅表面，在含硅表面上沉积钴硅化物材料，沉积 在钴硅化物材料上的金属钴材料，并在基底上沉积金属接触材料。 在另一个实施例中，一种方法包括将衬底暴露于至少一个预清洗工艺以暴露含硅表面，在含硅表面上沉积钴硅化物材料，将衬底暴露于退火工艺，将阻挡材料沉积在 钴硅化物材料，并将金属接触材料沉积在阻挡材料上。

    SELECTIVE COBALT DEPOSITION ON COPPER SURFACES
    5.
    发明申请
    SELECTIVE COBALT DEPOSITION ON COPPER SURFACES 审中-公开
    选择性钴沉积铜表面

    公开(公告)号：US20090269507A1

    公开(公告)日：2009-10-29

    申请号：US12111921

    申请日：2008-04-29

    申请人： Sang-Ho Yu ,  Kevin Moraes ,  Seshadri Ganguli ,  Hua Chung ,  See-Eng Phan

    发明人： Sang-Ho Yu ,  Kevin Moraes ,  Seshadri Ganguli ,  Hua Chung ,  See-Eng Phan

    IPC分类号： B05D3/04 ,  B05D5/12 ,  C23C16/44

    CPC分类号： C23C16/16 ,  C23C16/0218 ,  C23C16/18 ,  H01L21/02068 ,  H01L21/02074 ,  H01L21/2855 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/324 ,  H01L21/76849 ,  H01L21/7685 ,  H01L21/76862 ,  H01L21/76883

    摘要： Embodiments of the invention provide processes to selectively form a cobalt layer on a copper surface over exposed dielectric surfaces. In one embodiment, a method for capping a copper surface on a substrate is provided which includes positioning a substrate within a processing chamber, wherein the substrate contains a contaminated copper surface and a dielectric surface, exposing the contaminated copper surface to a reducing agent while forming a copper surface during a pre-treatment process, exposing the substrate to a cobalt precursor gas to selectively form a cobalt capping layer over the copper surface while leaving exposed the dielectric surface during a vapor deposition process, and depositing a dielectric barrier layer over the cobalt capping layer and the dielectric surface. In another embodiment, a deposition-treatment cycle includes performing the vapor deposition process and subsequently a post-treatment process, which deposition-treatment cycle may be repeated to form multiple cobalt capping layers.

    摘要翻译： 本发明的实施方案提供了在暴露的电介质表面上在铜表面上选择性地形成钴层的方法。 在一个实施例中，提供了一种用于封盖衬底上的铜表面的方法，其包括将衬底定位在处理室内，其中衬底含有受污染的铜表面和电介质表面，将形成的污染的铜表面暴露于还原剂 在预处理过程中的铜表面，将基底暴露于钴前体气体，以在铜表面上选择性地形成钴覆盖层，同时在气相沉积工艺期间暴露介电表面，并且在钴上沉积介电阻挡层 覆盖层和电介质表面。 在另一个实施方案中，沉积处理循环包括进行气相沉积工艺和随后的后处理工艺，该沉积处理循环可以重复以形成多个钴覆盖层。

    PROCESS FOR FORMING COBALT AND COBALT SILICIDE MATERIALS IN TUNGSTEN CONTACT APPLICATIONS
    6.
    发明申请
    PROCESS FOR FORMING COBALT AND COBALT SILICIDE MATERIALS IN TUNGSTEN CONTACT APPLICATIONS 审中-公开
    用于形成钴和钴硅酸盐材料的方法在TUNGSTEN联系应用中

    公开(公告)号：US20090004850A1

    公开(公告)日：2009-01-01

    申请号：US12111923

    申请日：2008-04-29

    申请人： SESHADRI GANGULI ,  SANG-HO YU ,  See-Eng Phan ,  Mei Chang ,  Amit Khandelwal ,  Hyoung-Chan Ha

    发明人： SESHADRI GANGULI ,  SANG-HO YU ,  See-Eng Phan ,  Mei Chang ,  Amit Khandelwal ,  Hyoung-Chan Ha

    IPC分类号： H01L21/44

    CPC分类号： C23C16/18 ,  C23C16/42 ,  C23C16/45523 ,  C23C16/56 ,  H01L21/0206 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/28518 ,  H01L21/2855 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/67207 ,  H01L21/68785 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76846 ,  H01L21/76855 ,  H01L29/665 ,  H01L29/78

    摘要： Embodiments of the invention described herein generally provide methods for forming cobalt silicide layers and metallic cobalt layers by using various deposition processes and annealing processes. In one embodiment, a method for forming a metallic silicide containing material on a substrate is provided which includes forming a metallic silicide material over a silicon-containing surface during a vapor deposition process by sequentially depositing a plurality of metallic silicide layers and silyl layers on the substrate, depositing a metallic capping layer over the metallic silicide material, heating the substrate during an annealing process, and depositing a metallic contact material over the barrier material. In one example, the metallic silicide layers and the metallic capping layer both contain cobalt. The cobalt silicide material may contain a silicon/cobalt atomic ratio of about 1.9 or greater, such as greater than about 2.0, or about 2.2 or greater.

    摘要翻译： 本文描述的本发明的实施例通常提供通过使用各种沉积工艺和退火工艺来形成钴硅化物层和金属钴层的方法。 在一个实施例中，提供了一种用于在基板上形成含金属硅化物的材料的方法，其包括在气相沉积工艺期间在含硅表面上形成金属硅化物材料，通过在其上顺序地沉积多个金属硅化物层和甲硅烷基层 衬底，在所述金属硅化物材料上沉积金属覆盖层，在退火过程期间加热所述衬底，以及在所述阻挡材料上沉积金属接触材料。 在一个实例中，金属硅化物层和金属覆盖层都含有钴。 钴硅化物材料可以含有约1.9或更大，例如大于约2.0，或约2.2或更大的硅/钴原子比。