公开(公告)号：US20120091522A1

公开(公告)日：2012-04-19

申请号：US13276521

申请日：2011-10-19

申请人： Shirou OZAKI ,  Masahito Kanamura ,  Norikazu Nakamura ,  Toyoo Miyajima ,  Masayuki Takeda ,  Keiji Watanabe ,  Toshihide Kikkawa ,  Kenji Imanishi ,  Toshihiro Ohki ,  Tadahiro Imada

发明人： Shirou OZAKI ,  Masahito Kanamura ,  Norikazu Nakamura ,  Toyoo Miyajima ,  Masayuki Takeda ,  Keiji Watanabe ,  Toshihide Kikkawa ,  Kenji Imanishi ,  Toshihiro Ohki ,  Tadahiro Imada

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/772

CPC分类号： H01L29/517 ,  H01L21/0228 ,  H01L23/291 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/7787 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A semiconductor device includes a first semiconductor layer formed over a substrate, a second semiconductor layer formed over the first semiconductor layer, a source electrode and a drain electrode formed over the second semiconductor layer, an insulating film formed over the second semiconductor layer, a gate electrode formed over the insulating film, and a protection film covering the insulating film, the protection film being formed by thermal CVD, thermal ALD, or vacuum vapor deposition.

摘要翻译： 半导体器件包括形成在衬底上的第一半导体层，形成在第一半导体层上的第二半导体层，形成在第二半导体层上的源电极和漏电极，形成在第二半导体层上的绝缘膜，栅极 形成在绝缘膜上的电极，以及覆盖绝缘膜的保护膜，保护膜通过热CVD，热ALD或真空气相沉积形成。

公开(公告)号：US20120205662A1

公开(公告)日：2012-08-16

申请号：US13357901

申请日：2012-01-25

申请人： Norikazu Nakamura ,  Shirou Ozaki ,  Masayuki Takeda ,  Toyoo Miyajima ,  Toshihiro Ohki ,  Masahito Kanamura ,  Kenji Imanishi ,  Toshihide Kikkawa ,  Keiji Watanabe

发明人： Norikazu Nakamura ,  Shirou Ozaki ,  Masayuki Takeda ,  Toyoo Miyajima ,  Toshihiro Ohki ,  Masahito Kanamura ,  Kenji Imanishi ,  Toshihide Kikkawa ,  Keiji Watanabe

IPC分类号： H01L29/20 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/66462 ,  H01J37/32055 ,  H01J37/32357 ,  H01J37/32422 ,  H01J37/32669 ,  H01L21/28264 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/51 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/7787 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48257 ,  H01L2224/4903

摘要： A semiconductor device includes: a semiconductor layer formed over a substrate; an insulating film formed over the semiconductor layer; and an electrode formed over the insulating film, wherein the insulating film includes an amorphous film including carbon.

摘要翻译： 半导体器件包括：形成在衬底上的半导体层; 形成在所述半导体层上的绝缘膜; 以及形成在所述绝缘膜上的电极，其中所述绝缘膜包括包含碳的非晶膜。

公开(公告)号：US08426260B2

公开(公告)日：2013-04-23

申请号：US13294726

申请日：2011-11-11

申请人： Toyoo Miyajima ,  Toshihide Kikkawa ,  Kenji Imanishi ,  Toshihiro Ohki ,  Masahito Kanamura

发明人： Toyoo Miyajima ,  Toshihide Kikkawa ,  Kenji Imanishi ,  Toshihiro Ohki ,  Masahito Kanamura

IPC分类号： H01L21/338 ,  H01L29/66

CPC分类号： H01L29/66462 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/7787

摘要： A compound semiconductor device includes: an electron transport layer formed over a substrate; an electron supply layer formed over the electron transport layer; and a cap layer formed over the electron supply layer; the cap layer includes a first compound semiconductor layer containing GaN; a second compound semiconductor layer containing AlN, which is formed over the first compound semiconductor layer; a third compound semiconductor layer containing GaN, which is formed over the second compound semiconductor layer; and at least one of a first AlGaN-containing layer and a second AlGaN-containing layer, with the first AlGaN-containing layer formed between the first compound semiconductor layer and the second compound semiconductor layer and the Al content increases toward the second compound semiconductor layer, and the second AlGaN-containing layer formed between the second compound semiconductor layer and the third compound semiconductor layer and the Al content increases toward the second compound semiconductor layer.

摘要翻译： 化合物半导体器件包括：形成在衬底上的电子传输层; 形成在电子传输层上的电子供应层; 以及形成在所述电子供给层上的盖层; 盖层包括含有GaN的第一化合物半导体层; 含有AlN的第二化合物半导体层，其形成在所述第一化合物半导体层上; 含有GaN的第三化合物半导体层，其形成在所述第二化合物半导体层上; 以及第一AlGaN含有层和第二含AlGaN的层中的至少一个，其中形成在第一化合物半导体层和第二化合物半导体层之间的第一AlGaN含有层，并且Al含量朝向第​​二化合物半导体层增加 并且形成在第二化合物半导体层和第三化合物半导体层之间的第二AlGaN含量层和Al含量朝向第​​二化合物半导体层增加。

公开(公告)号：US07948062B2

公开(公告)日：2011-05-24

申请号：US12339695

申请日：2008-12-19

申请人： Kozo Makiyama ,  Toshihiro Ohki ,  Masahito Kanamura ,  Toshihide Kikkawa

发明人： Kozo Makiyama ,  Toshihiro Ohki ,  Masahito Kanamura ,  Toshihide Kikkawa

IPC分类号： H01L21/00 ,  H01L23/58

CPC分类号： H01L29/66462 ,  H01L21/28264 ,  H01L21/3185 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/513 ,  H01L29/518 ,  H01L29/7787

摘要： A semiconductor device including a compound semiconductor laminated structure having a plurality of compound semiconductor layers formed over a semiconductor substrate, a first insulation film covering at least a part of a surface of the compound semiconductor laminated structure, and a second insulation film formed on the first insulation film, wherein the second insulation film includes more hydrogen than the first insulation film.

摘要翻译： 一种半导体器件，包括具有形成在半导体衬底上的多个化合物半导体层的化合物半导体层叠结构，覆盖化合物半导体层叠结构的表面的至少一部分的第一绝缘膜和形成在第一衬底上的第二绝缘膜 绝缘膜，其中所述第二绝缘膜包括比所述第一绝缘膜更多的氢。

公开(公告)号：US20090166815A1

公开(公告)日：2009-07-02

申请号：US12339695

申请日：2008-12-19

申请人： Kozo Makiyama ,  Toshihiro Ohki ,  Masahito Kanamura ,  Toshihide Kikkawa

发明人： Kozo Makiyama ,  Toshihiro Ohki ,  Masahito Kanamura ,  Toshihide Kikkawa

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L21/18

CPC分类号： H01L29/66462 ,  H01L21/28264 ,  H01L21/3185 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/513 ,  H01L29/518 ,  H01L29/7787

摘要： A semiconductor device including a compound semiconductor laminated structure having a plurality of compound semiconductor layers formed over a semiconductor substrate, a first insulation film covering at least a part of a surface of the compound semiconductor laminated structure, and a second insulation film formed on the first insulation film, wherein the second insulation film includes more hydrogen than the first insulation film.

摘要翻译： 一种半导体器件，包括具有形成在半导体衬底上的多个化合物半导体层的化合物半导体层叠结构，覆盖化合物半导体层叠结构的表面的至少一部分的第一绝缘膜和形成在第一衬底上的第二绝缘膜 绝缘膜，其中所述第二绝缘膜包括比所述第一绝缘膜更多的氢。

公开(公告)号：US08912571B2

公开(公告)日：2014-12-16

申请号：US13294654

申请日：2011-11-11

申请人： Masahito Kanamura ,  Toshihide Kikkawa ,  Kenji Imanishi

发明人： Masahito Kanamura ,  Toshihide Kikkawa ,  Kenji Imanishi

IPC分类号： H01L29/66 ,  H01L21/338 ,  H01L29/51 ,  H01L29/778 ,  H01L29/417

CPC分类号： H01L29/7787 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/47 ,  H01L29/513 ,  H01L29/66462

摘要： A compound semiconductor device includes: a compound semiconductor layer; a first film formed over the compound semiconductor layer, the first film being in a negatively charged state or a non-charged state at an interface with the compound semiconductor layer; a second film formed over the first film, the second film being in a positively charged state at an interface with the first film; and a gate electrode to be embedded in an opening formed in the second film.

摘要翻译： 化合物半导体器件包括：化合物半导体层; 形成在所述化合物半导体层上的第一膜，所述第一膜在与所述化合物半导体层的界面处于带负电状态或非带电状态; 形成在所述第一膜上的第二膜，所述第二膜在与所述第一膜的界面处于带电状态; 以及嵌入到形成在第二膜中的开口中的栅电极。

公开(公告)号：US20120056191A1

公开(公告)日：2012-03-08

申请号：US13152426

申请日：2011-06-03

申请人： Hiroshi Endo ,  Tadahiro Imada ,  Kenji Imanishi ,  Toshihide Kikkawa

发明人： Hiroshi Endo ,  Tadahiro Imada ,  Kenji Imanishi ,  Toshihide Kikkawa

IPC分类号： H01L29/778 ,  H01L21/20

CPC分类号： H01L29/7787 ,  H01L21/30612 ,  H01L21/30621 ,  H01L21/8252 ,  H01L27/0605 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/205 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66462

摘要： A semiconductor device includes a GaN electron transport layer provided over a substrate; a first AlGaN electron supply layer provided over the GaN electron transport layer; an AlN electron supply layer provided over the first AlGaN electron supply layer; a second AlGaN electron supply layer provided over the AlN electron supply layer; a gate recess provided in the second AlGaN electron supply layer and the AlN electron supply layer; and a gate electrode provided over the gate recess.

摘要翻译： 半导体器件包括设置在衬底上的GaN电子传输层; 设置在所述GaN电子传输层上的第一AlGaN电子供给层; 设置在所述第一AlGaN电子供给层上的AlN电子供给层; 设置在AlN电子供给层上的第二AlGaN电子供给层; 设置在所述第二AlGaN电子供给层和所述AlN电子供给层中的栅极凹部; 以及设置在栅极凹部上方的栅电极。

公开(公告)号：US08357602B2

公开(公告)日：2013-01-22

申请号：US12886822

申请日：2010-09-21

申请人： Masahito Kanamura ,  Toshihide Kikkawa

发明人： Masahito Kanamura ,  Toshihide Kikkawa

IPC分类号： H01L21/3205 ,  H01L21/461

CPC分类号： H01L29/778 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7787

摘要： An intermediate layer composed of i-AlN is formed between a channel layer and an electron donor layer, a first opening is formed in an electron donor layer, at a position where a gate electrode will be formed later, while using an intermediate layer as an etching stopper, a second opening is formed in the intermediate layer so as to be positionally aligned with the first opening, by wet etching using a hot phosphoric acid solution, and a gate electrode is formed so that the lower portion thereof fill the first and second openings while placing a gate insulating film in between, and so that the head portion thereof projects above the cap structure.

摘要翻译： 在沟道层和电子给体层之间形成由i-AlN构成的中间层，在电子供体层中形成第一开口，在稍后将形成栅电极的位置，同时使用中间层作为 蚀刻停止器，通过使用热磷酸溶液的湿蚀刻，在中间层中形成第二开口以与第一开口位置对准，并且形成栅电极，使得其下部填充第一和第二 开口，同时将栅极绝缘膜放置在其间，并且使得其头部突出在盖结构的上方。

公开(公告)号：US20100311233A1

公开(公告)日：2010-12-09

申请号：US12805506

申请日：2010-08-03

申请人： Masahito Kanamura ,  Toshihide Kikkawa

发明人： Masahito Kanamura ,  Toshihide Kikkawa

IPC分类号： H01L21/28

CPC分类号： H01L29/41 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/42316 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/7787

摘要： In an MIS-type GaN-FET, a base layer made of a conductive nitride including no oxygen, here, TaN, is provided on a surface layer as a nitride semiconductor layer to cover at least an area of a lower face of a gate insulation film made of Ta2O5 under a gate electrode.

摘要翻译： 在MIS型GaN-FET中，作为氮化物半导体层，在作为氮化物半导体层的表面层上设置由不含氧的导电性氮化物构成的基底层Ta N，以覆盖栅极绝缘体的下表面的至少一部分 由Ta2O5制成的薄膜在栅电极下。

公开(公告)号：US07800133B2

公开(公告)日：2010-09-21

申请号：US12068796

申请日：2008-02-12

申请人： Masahito Kanamura ,  Toshihide Kikkawa

发明人： Masahito Kanamura ,  Toshihide Kikkawa

IPC分类号： H01L29/20

CPC分类号： H01L29/41 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/42316 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/7787

摘要： In an MIS-type GaN-FET, a base layer made of a conductive nitride including no oxygen, here, TaN, is provided on a surface layer as a nitride semiconductor layer to cover at least an area of a lower face of a gate insulation film made of Ta2O5 under a gate electrode.

摘要翻译： 在MIS型GaN-FET中，作为氮化物半导体层，在作为氮化物半导体层的表面层上设置由不含氧的导电性氮化物构成的基底层Ta N，以覆盖栅极绝缘体的下表面的至少一部分 由Ta2O5制成的薄膜在栅电极下。