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    Platformless turbine blade
    3.
    发明授权
    Platformless turbine blade 有权
    无平台涡轮叶片

    公开(公告)号：US08408874B2

    公开(公告)日：2013-04-02

    申请号：US12101326

    申请日：2008-04-11

    申请人： Michael G. McCaffrey ,  Eric A. Hudson

    发明人： Michael G. McCaffrey ,  Eric A. Hudson

    IPC分类号： F01D5/32

    CPC分类号： F01D5/3015 ,  F01D11/008 ,  F05D2240/80

    摘要： A turbine blade rotor assembly is disclosed for a gas turbine engine. The assembly includes a rotor having nickel alloy turbine blades secured thereto. Each of the blades includes a root and an airfoil. The roots are supported by the rotor. A ceramic matrix composite platform separate from the turbine blades is supported between each pair of the turbine blades adjacent to the airfoils. In another example, the airfoil includes a perimeter. A shroud having an aperture receives the airfoil with a single shroud substantially surrounding the airfoil at the perimeter. In one example, the turbine blade includes high and low pressure sides opposite one another that extend from a tip to a root. The airfoil is free from any protrusions extending from the high and low pressure sides on a portion of the blade axially outward from the root.

    摘要翻译： 公开了一种用于燃气涡轮发动机的涡轮叶片转子组件。 组件包括具有固定在其上的镍合金涡轮叶片的转子。 每个叶片包括根部和翼型件。 根部由转子支撑。 与涡轮机叶片分离的陶瓷基体复合平台被支撑在与翼型件相邻的每对涡轮机叶片之间。 在另一示例中，翼型件包括周边。 具有孔径的护罩接收具有在周边基本上围绕翼型件的单个护罩的翼型件。 在一个示例中，涡轮机叶片包括从尖端延伸到根部的彼此相对的高压和低压侧。 叶片从根部的轴向向外的叶片的一部分上的高压侧和低压侧延伸的任何突起都没有。

    Vertical profile fixing
    7.
    发明授权
    Vertical profile fixing 有权
    垂直型材固定

    公开(公告)号：US07682516B2

    公开(公告)日：2010-03-23

    申请号：US11244870

    申请日：2005-10-05

    申请人： S. M. Reza Sadjadi ,  Peter Cirigliano ,  Jisoo Kim ,  Zhisong Huang ,  Eric A. Hudson

    发明人： S. M. Reza Sadjadi ,  Peter Cirigliano ,  Jisoo Kim ,  Zhisong Huang ,  Eric A. Hudson

    IPC分类号： H01L21/302

    CPC分类号： H01L21/0273 ,  H01L21/31144

    摘要： A method for etching features in an etch layer is provided. A patterned photoresist mask is formed over the etch layer with photoresist features with sidewalls wherein the sidewalls of the photoresist features have irregular profiles along depths of the photoresist features. The irregular profiles along the depths of the photoresist features of the sidewalls of the photoresist features are corrected comprising at least one cycle, where each cycle comprises a sidewall deposition phase and a profile shaping phase. Feature is etched into the etch layer through the photoresist features. The mask is removed.

    摘要翻译： 提供了一种用于蚀刻蚀刻层中的特征的方法。 在具有侧壁的光致抗蚀剂特征的蚀刻层上形成图案化的光致抗蚀剂掩模，其中光致抗蚀剂特征的侧壁沿光致抗蚀剂特征的深度具有不规则的轮廓。 沿光致抗蚀剂特征的侧壁的光致抗蚀剂特征的深度的不规则轮廓被校正包括至少一个循环，其中每个循环包括侧壁沉积阶段和轮廓成形阶段。 通过光致抗蚀剂特征将特征蚀刻到蚀刻层中。 去除面具。

    Method for plasma stripping using periodic modulation of gas chemistry and hydrocarbon addition
    9.
    发明授权
    Method for plasma stripping using periodic modulation of gas chemistry and hydrocarbon addition 有权
    使用气体化学和碳氢化合物加成的周期调制的等离子体剥离方法

    公开(公告)号：US07294580B2

    公开(公告)日：2007-11-13

    申请号：US10860833

    申请日：2004-06-03

    申请人： Seokmin Yun ,  Ji Zhu ,  Peter Cirigliano ,  Sangheon Lee ,  Thomas S. Choi ,  Peter Loewenhardt ,  Mark H. Wilcoxson ,  Reza Sadjadi ,  Eric A. Hudson ,  James V. Tietz

    发明人： Seokmin Yun ,  Ji Zhu ,  Peter Cirigliano ,  Sangheon Lee ,  Thomas S. Choi ,  Peter Loewenhardt ,  Mark H. Wilcoxson ,  Reza Sadjadi ,  Eric A. Hudson ,  James V. Tietz

    IPC分类号： H01L21/00

    CPC分类号： H01L21/31116 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76829

    摘要： A method for etching a feature in a low-k dielectric layer through a photoresist etch mask over a substrate. A gas-modulated cyclic stripping process is performed for more than three cycles for stripping a single photoresist mask. Each cycle of the gas-modulated cyclic stripping process comprises performing a protective layer formation phase and a stripping phase. The protective layer forming phase using first gas chemistry with a deposition gas chemistry, wherein the protective layer forming phase is performed in about 0.005 to 10 seconds for each cycle. The performing the stripping phase for stripping the photoresist mask using a second gas chemistry using a stripping gas chemistry, where the first gas chemistry is different than the second gas chemistry, wherein the etching phase is performed in about 0.005 to 10 seconds for each cycle.

    摘要翻译： 一种通过光刻胶蚀刻掩模在衬底上蚀刻低k电介质层中的特征的方法。 执行气体调制的循环剥离工艺超过三个循环以剥离单个光致抗蚀剂掩模。 气体调节循环汽提过程的每个循环包括进行保护层形成阶段和汽提阶段。 使用具有沉积气化学性质的第一气体化学物质的保护层形成阶段，其中保护层形成阶段在每个循环中以约0.005至10秒钟进行。 使用第二种气体化学法，使用剥离气体化学法，其中第一种气体化学物质与第二种气体化学物质不同，进行汽提阶段以剥离光致抗蚀剂掩模，其中每个循环在约0.005至10秒内进行蚀刻阶段。

    In-situ plug fill
    10.
    发明授权
    In-situ plug fill 有权
    现场插头填充

    公开(公告)号：US07192531B1

    公开(公告)日：2007-03-20

    申请号：US10603412

    申请日：2003-06-24

    申请人： Sean S. Kang ,  Sangheon Lee ,  Wan-Lin Chen ,  Eric A. Hudson ,  Reza Sadjadi

    发明人： Sean S. Kang ,  Sangheon Lee ,  Wan-Lin Chen ,  Eric A. Hudson ,  Reza Sadjadi

    IPC分类号： H01L21/302

    CPC分类号： H01L21/76808 ,  H01L21/31138

    摘要： A method for forming damascene features in a dielectric layer over a barrier layer over a substrate is provided. A plurality of vias are etched in the dielectric layer to the barrier layer with a plasma etching process in the plasma processing chamber. A patterned photoresist layer is formed with a trench pattern. Within a single plasma process chamber a combination via plug deposition to form plugs in the vias over the barrier layer and trench etch is provided.

    摘要翻译： 提供了一种用于在衬底上的阻挡层上的介电层中形成镶嵌特征的方法。 在等离子体处理室中通过等离子体蚀刻工艺将多个通孔在电介质层中蚀刻到阻挡层。 形成具有沟槽图案的图案化的光致抗蚀剂层。 在单个等离子体处理室内，提供了通过插塞沉积的组合以在阻挡层上的通孔中形成插塞和沟槽蚀刻。