公开(公告)号：US08884272B2

公开(公告)日：2014-11-11

申请号：US12853338

申请日：2010-08-10

申请人： Takeshi Hama ,  Masayuki Suzuki ,  Atsushi Tanaka ,  Fumihiko Mochizuki

发明人： Takeshi Hama ,  Masayuki Suzuki ,  Atsushi Tanaka ,  Fumihiko Mochizuki

IPC分类号： H01L29/08 ,  H01L29/786 ,  H01L27/32

CPC分类号： H01L29/7869 ,  H01L27/3248 ,  H01L27/3262 ,  H01L2251/5338

摘要： There is provided an amorphous oxide semiconductor material including an amorphous oxide semiconductor including In, Ga and Zn, wherein when In:Ga:Zn=a:b:c denotes an element composition ratio of the oxide semiconductor, the element composition ratio is defined by the range of a+b=2 and b −5b+8 and 1≦c≦2.

摘要翻译： 提供了包括In，Ga和Zn的非晶氧化物半导体的非晶氧化物半导体材料，其中当In：Ga：Zn = a：b：c表示氧化物半导体的元素组成比时，元素组成比由 a + b = 2和b <2和c <4b-3.2的范围，c> -5b + 8和1＆nlE; c＆nlE; 2。

公开(公告)号：US20100314618A1

公开(公告)日：2010-12-16

申请号：US12797632

申请日：2010-06-10

申请人： Atsushi Tanaka ,  Takeshi Hama ,  Masayuki Suzuki

发明人： Atsushi Tanaka ,  Takeshi Hama ,  Masayuki Suzuki

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L21/34

CPC分类号： H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02592 ,  H01L21/02631 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78696

摘要： A thin film transistor includes: a substrate; and, on the substrate, an oxide semiconductor film which serves as an active layer and contains In, Ga, and Zn, a gate electrode, a gate insulating film, a source electrode, and a drain electrode, wherein, when a molar ratio of In, Ga, and Zn in the oxide semiconductor film is expressed as In:Ga:Zn=(2.0−x):x:y, wherein 0.0

摘要翻译： 薄膜晶体管包括：基板; 并且在基板上具有用作有源层并且包含In，Ga和Zn的氧化物半导体膜，栅电极，栅绝缘膜，源电极和漏电极，其中，当摩尔比 In，Ga和Zn表示为In：Ga：Zn =（2.0-x）：x：y，其中0.0

公开(公告)号：US08299461B2

公开(公告)日：2012-10-30

申请号：US12797632

申请日：2010-06-10

申请人： Atsushi Tanaka ,  Takeshi Hama ,  Masayuki Suzuki

发明人： Atsushi Tanaka ,  Takeshi Hama ,  Masayuki Suzuki

IPC分类号： H01L29/12

CPC分类号： H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02592 ,  H01L21/02631 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78696

摘要： A thin film transistor includes: a substrate; and, on the substrate, an oxide semiconductor film which serves as an active layer and contains In, Ga, and Zn, a gate electrode, a gate insulating film, a source electrode, and a drain electrode, wherein, when a molar ratio of In, Ga, and Zn in the oxide semiconductor film is expressed as In:Ga:Zn=(2.0−x):x:y, wherein 0.0

摘要翻译： 薄膜晶体管包括：基板; 并且在基板上具有用作有源层并且包含In，Ga和Zn的氧化物半导体膜，栅电极，栅绝缘膜，源电极和漏电极，其中，当摩尔比 In，Ga和Zn表示为In：Ga：Zn =（2.0-x）：x：y，其中0.0

公开(公告)号：US20100320458A1

公开(公告)日：2010-12-23

申请号：US12815414

申请日：2010-06-15

申请人： Kenichi Umeda ,  Masayuki Suzuki ,  Atsushi Tanaka

发明人： Kenichi Umeda ,  Masayuki Suzuki ,  Atsushi Tanaka

IPC分类号： H01L29/26 ,  H01L21/26

CPC分类号： H01L29/7869 ,  C01G15/006 ,  C01P2002/34 ,  C01P2002/52 ,  C01P2002/72 ,  C01P2006/32 ,  C01P2006/40 ,  C30B29/22 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02664

摘要： The invention provides an IGZO-based oxide material and a method of producing the same, the IGZO-based oxide material being represented by a composition formula of In2-xGaxZnO4-δ, where 0.75

摘要翻译： 本发明提供了一种基于IGZO的氧化物材料及其制造方法，该IGZO系氧化物材料由In2-xGaxZnO4-δ的组成式表示，其中0.75

公开(公告)号：US08692252B2

公开(公告)日：2014-04-08

申请号：US12964375

申请日：2010-12-09

申请人： Masahiro Takata ,  Masashi Ono ,  Masayuki Suzuki ,  Atsushi Tanaka

发明人： Masahiro Takata ,  Masashi Ono ,  Masayuki Suzuki ,  Atsushi Tanaka

IPC分类号： H01L29/04 ,  H01L29/10 ,  H01L31/036

CPC分类号： H01L29/7869 ,  H01L29/78696

摘要： A thin-film transistor including an oxide semiconductor layer is disclosed. The oxide semiconductor layer includes a first area, a second area and a third area forming a well-type potential in the film-thickness direction. The first area forms a well of the well-type potential and has a first electron affinity. The second area is disposed nearer to the gate electrode than the first area and has a second electron affinity smaller than the first electron affinity. The third area is disposed farther from the gate electrode than the first area and has a third electron affinity smaller than the first electron affinity. At least an oxygen concentration at the third area is lower than an oxygen concentration at the first area.

摘要翻译： 公开了一种包括氧化物半导体层的薄膜晶体管。 氧化物半导体层包括在膜厚度方向上形成阱型电位的第一区域，第二区域和第三区域。 第一个区域形成井型势阱，具有第一电子亲和力。 第二区域设置为比第一区域更靠近栅电极，并且具有小于第一电子亲和力的第二电子亲和力。 第三区域被设置为比第一区域更远离栅电极，并且具有小于第一电子亲和力的第三电子亲和力。 至少第三区域的氧浓度低于第一区域的氧浓度。

公开(公告)号：US08343800B2

公开(公告)日：2013-01-01

申请号：US12815430

申请日：2010-06-15

申请人： Kenichi Umeda ,  Masayuki Suzuki ,  Atsushi Tanaka ,  Yuki Nara

发明人： Kenichi Umeda ,  Masayuki Suzuki ,  Atsushi Tanaka ,  Yuki Nara

IPC分类号： H01L21/00 ,  H01L21/16 ,  H01L29/12

CPC分类号： H01L21/0262 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02667 ,  H01L21/02675 ,  H01L29/24 ,  H01L29/7869

摘要： The invention provides a thin film transistor comprising an active layer, the active layer comprising an IGZO-based oxide material, the IGZO-based oxide material being represented by a composition formula of In2-xGaxZnO4-δ, where 0.75

摘要翻译： 本发明提供一种薄膜晶体管，其包括有源层，所述有源层包括IGZO基氧化物材料，所述IGZO基氧化物材料由In2-xGaxZnO4-δ的组成式表示，其中0.75

公开(公告)号：US20110140100A1

公开(公告)日：2011-06-16

申请号：US12964375

申请日：2010-12-09

申请人： Masahiro TAKATA ,  Masashi Ono ,  Masayuki Suzuki ,  Atsushi Tanaka

发明人： Masahiro TAKATA ,  Masashi Ono ,  Masayuki Suzuki ,  Atsushi Tanaka

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L33/16 ,  H01L31/119

CPC分类号： H01L29/7869 ,  H01L29/78696

摘要： A thin-film transistor including an oxide semiconductor layer is disclosed. The oxide semiconductor layer includes a first area, a second area and a third area forming a well-type potential in the film-thickness direction. The first area forms a well of the well-type potential and has a first electron affinity. The second area is disposed nearer to the gate electrode than the first area and has a second electron affinity smaller than the first electron affinity. The third area is disposed farther from the gate electrode than the first area and has a third electron affinity smaller than the first electron affinity. At least an oxygen concentration at the third area is lower than an oxygen concentration at the first area.

摘要翻译： 公开了一种包括氧化物半导体层的薄膜晶体管。 氧化物半导体层包括在膜厚度方向上形成阱型电位的第一区域，第二区域和第三区域。 第一个区域形成井型势阱，具有第一电子亲和力。 第二区域设置为比第一区域更靠近栅电极，并且具有小于第一电子亲和力的第二电子亲和力。 第三区域被设置为比第一区域更远离栅电极，并且具有小于第一电子亲和力的第三电子亲和力。 至少第三区域的氧浓度低于第一区域的氧浓度。

公开(公告)号：US08334532B2

公开(公告)日：2012-12-18

申请号：US12815414

申请日：2010-06-15

申请人： Kenichi Umeda ,  Masayuki Suzuki ,  Atsushi Tanaka

发明人： Kenichi Umeda ,  Masayuki Suzuki ,  Atsushi Tanaka

IPC分类号： H01L29/12 ,  H01L21/26 ,  H01L21/324 ,  H01L21/42 ,  H01L21/477

CPC分类号： H01L29/7869 ,  C01G15/006 ,  C01P2002/34 ,  C01P2002/52 ,  C01P2002/72 ,  C01P2006/32 ,  C01P2006/40 ,  C30B29/22 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02664

摘要： The invention provides an IGZO-based oxide material and a method of producing the same, the IGZO-based oxide material being represented by a composition formula of In2-xGaxZnO4-δ, where 0.75

摘要翻译： 本发明提供了一种基于IGZO的氧化物材料及其制造方法，该IGZO系氧化物材料由In2-xGaxZnO4-δ的组成式表示，其中0.75

公开(公告)号：US09844837B2

公开(公告)日：2017-12-19

申请号：US14006538

申请日：2012-03-23

申请人： Masato Shimamura ,  Tsukasa Ohnishi ,  Mitsuhiro Kosai ,  Kazuyori Takagi ,  Tomoko Nonaka ,  Masayuki Suzuki ,  Toru Hayashida ,  Seiko Ishibashi ,  Shunsaku Yoshikawa ,  Yoshie Yamanaka

发明人： Masato Shimamura ,  Tsukasa Ohnishi ,  Mitsuhiro Kosai ,  Kazuyori Takagi ,  Tomoko Nonaka ,  Masayuki Suzuki ,  Toru Hayashida ,  Seiko Ishibashi ,  Shunsaku Yoshikawa ,  Yoshie Yamanaka

IPC分类号： B23K35/26 ,  B23K35/02 ,  B23K35/36 ,  C22F1/16 ,  C22C13/00 ,  C22C13/02

CPC分类号： B23K35/262 ,  B23K35/0227 ,  B23K35/0244 ,  B23K35/025 ,  B23K35/26 ,  B23K35/3618 ,  C22C13/00 ,  C22C13/02 ,  C22F1/16 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/014 ,  Y10T428/12222 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/13599 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/05099 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2224/29599

摘要： By using a solder alloy consisting essentially of 0.2-1.2 mass % of Ag, 0.6-0.9 mass % of Cu, 1.2-3.0 mass % of Bi, 0.02-1.0 mass % of Sb, 0.01-2.0 mass % of In, and a remainder of Sn, it is possible to obtain portable devices having excellent resistance to drop impact and excellent heat cycle properties without developing thermal fatigue even when used in a high-temperature environment such as inside a vehicle heated by the sun or in a low-temperature environment such as outdoors in snowy weather.

公开(公告)号：US09110274B2

公开(公告)日：2015-08-18

申请号：US13579100

申请日：2011-04-20

申请人： Kazuhiko Kajiyama ,  Masayuki Suzuki ,  Yuji Katashiba

发明人： Kazuhiko Kajiyama ,  Masayuki Suzuki ,  Yuji Katashiba

IPC分类号： G02B17/08

CPC分类号： G02B17/0808 ,  G02B17/0856

摘要： A catadioptric optical system of the present invention includes a catadioptric unit configured to condense light fluxes from an object and to form an intermediate image of the object, a field lens disposed at a position where the intermediate image are formed, and a dioptric unit configured to form the intermediate image on an image surface, and when νcat denotes a smallest Abbe number in Abbe numbers of materials of the first and second optical elements configuring the catadioptric unit and νdio denotes a smallest Abbe number in Abbe numbers of materials of a plurality of dioptric optical elements configuring the dioptric unit, νdio

摘要翻译： 本发明的反折射光学系统包括：折反射单元，被配置为使来自物体的光束冷凝并形成物体的中间像;设置在形成中间像的位置的场透镜;以及折射单元，被配置为 在图像表面上形成中间图像，并且当＆ngr; cat表示构成反射折射单元的第一和第二光学元件的材料的阿贝数中的最小阿贝数时，dio表示阿贝的最小阿贝数 配置多个度数光学元件，构成度数单元，满足目标。