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    SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD OF THE SAME
    3.
    发明申请
    SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD OF THE SAME 有权
    半导体器件及其制造方法

    公开(公告)号：US20120199846A1

    公开(公告)日：2012-08-09

    申请号：US13216413

    申请日：2011-08-24

    申请人： Tatsuo SHIMIZU ,  Takashi Shinohe

    发明人： Tatsuo SHIMIZU ,  Takashi Shinohe

    IPC分类号： H01L29/16 ,  H01L21/20

    CPC分类号： H01L29/7802 ,  H01L21/044 ,  H01L21/0465 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7395

    摘要： A semiconductor device of an embodiment at least includes: a SiC substrate; and a gate insulating film formed on the SiC substrate, wherein at an interface between the SiC substrate and the gate insulating film, some of elements of both of or one of Si and C in an outermost surface of the SiC substrate are replaced with at least one type of element selected from nitrogen, phosphorus, and arsenic.

    摘要翻译： 实施例的半导体器件至少包括：SiC衬底; 以及形成在所述SiC衬底上的栅极绝缘膜，其中在所述SiC衬底和所述栅极绝缘膜之间的界面处，至少在所述SiC衬底的最外表面中的Si和C中的一个或其中的一个元素被替换 一种选自氮，磷和砷的元素。

    Semiconductor device with low resistance SiC-metal contact
    7.
    发明授权
    Semiconductor device with low resistance SiC-metal contact 失效
    具有低电阻SiC-金属接触的半导体器件

    公开(公告)号：US08624264B2

    公开(公告)日：2014-01-07

    申请号：US13213561

    申请日：2011-08-19

    申请人： Tatsuo Shimizu ,  Takashi Shinohe

    发明人： Tatsuo Shimizu ,  Takashi Shinohe

    IPC分类号： H01L29/15

    CPC分类号： H01L29/7802 ,  H01L21/0485 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/167 ,  H01L29/45 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7395 ,  H01L29/861 ,  H01L29/868 ,  H01L29/872

    摘要： A semiconductor device according to an embodiment includes a first electrode and a first silicon carbide (SiC) semiconductor part. The first electrode uses a conductive material and the first silicon carbide (SiC) semiconductor part is connected to the first electrode, in which at least one element of magnesium (Mg), calcium (Ca), strontium (Sr), and barium (Ba) is contained in an interface portion with the first electrode in such a way that a surface density thereof peaks, and whose conduction type is a p-type.

    摘要翻译： 根据实施例的半导体器件包括第一电极和第一碳化硅（SiC）半导体部件。 第一电极使用导电材料，第一碳化硅（SiC）半导体部分连接到第一电极，其中至少一种元素的镁（Mg），钙（Ca），锶（Sr）和钡（Ba ）包含在与第一电极的界面部分中，使得其表面密度峰值，并且其导电类型是p型。

    SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME
    8.
    发明申请
    SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME 失效
    半导体器件及其制造方法

    公开(公告)号：US20120228630A1

    公开(公告)日：2012-09-13

    申请号：US13213561

    申请日：2011-08-19

    申请人： Tatsuo SHIMIZU ,  Takashi Shinohe

    发明人： Tatsuo SHIMIZU ,  Takashi Shinohe

    IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/336

    CPC分类号： H01L29/7802 ,  H01L21/0485 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/167 ,  H01L29/45 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7395 ,  H01L29/861 ,  H01L29/868 ,  H01L29/872

    摘要： A semiconductor device according to an embodiment includes a first electrode and a first silicon carbide (SiC) semiconductor part. The first electrode uses a conductive material and the first silicon carbide (SiC) semiconductor part is connected to the first electrode, in which at least one element of magnesium (Mg), calcium (Ca), strontium (Sr), and barium (Ba) is contained in an interface portion with the first electrode in such a way that a surface density thereof peaks, and whose conduction type is a p-type.

    摘要翻译： 根据实施例的半导体器件包括第一电极和第一碳化硅（SiC）半导体部件。 第一电极使用导电材料，第一碳化硅（SiC）半导体部分连接到第一电极，其中至少一种元素的镁（Mg），钙（Ca），锶（Sr）和钡（Ba ）包含在与第一电极的界面部分中，使得其表面密度峰值，并且其导电类型是p型。

    Semiconductor device
    10.
    发明授权
    Semiconductor device 有权
    半导体器件

    公开(公告)号：US09029869B2

    公开(公告)日：2015-05-12

    申请号：US13034264

    申请日：2011-02-24

    申请人： Hiroshi Kono ,  Takashi Shinohe ,  Chiharu Ota ,  Makoto Mizukami ,  Takuma Suzuki ,  Johji Nishio

    发明人： Hiroshi Kono ,  Takashi Shinohe ,  Chiharu Ota ,  Makoto Mizukami ,  Takuma Suzuki ,  Johji Nishio

    IPC分类号： H01L29/15 ,  H01L29/739 ,  H01L29/10 ,  H01L29/66

    CPC分类号： H01L29/7395 ,  H01L29/1033 ,  H01L29/66333

    摘要： One embodiment of a semiconductor device includes: a silicon carbide substrate including first and second principal surfaces; a first-conductive-type silicon carbide layer on the first principal surface; a second-conductive-type first silicon carbide region at a surface of the first silicon carbide layer; a first-conductive-type second silicon carbide region at the surface of the first silicon carbide region; a second-conductive-type third silicon carbide region at the surface of the first silicon carbide region; a second-conductive-type fourth silicon carbide region formed between the first silicon carbide region and the second silicon carbide region, and having an impurity concentration higher than that of the first silicon carbide region; a gate insulator; a gate electrode formed on the gate insulator; an inter-layer insulator; a first electrode connected to the second silicon carbide region and the third silicon carbide region; and a second electrode on the second principal surface.

    摘要翻译： 半导体器件的一个实施例包括：包含第一和第二主表面的碳化硅衬底; 第一主表面上的第一导电型碳化硅层; 在所述第一碳化硅层的表面处的第二导电型第一碳化硅区域; 在第一碳化硅区域的表面处的第一导电型第二碳化硅区域; 在第一碳化硅区域的表面处的第二导电型第三碳化硅区域; 在第一碳化硅区域和第二碳化硅区域之间形成的杂质浓度高于第一碳化硅区域的第二导电型第四碳化硅区域; 栅极绝缘体; 形成在栅极绝缘体上的栅电极; 层间绝缘体; 连接到所述第二碳化硅区域和所述第三碳化硅区域的第一电极; 和在第二主表面上的第二电极。