公开(公告)号：US20060239906A1

公开(公告)日：2006-10-26

申请号：US11111871

申请日：2005-04-22

申请人： Ulrich Mueller ,  Lian Ma ,  Xiao Feng-Shou ,  Xiaoyu Yang

发明人： Ulrich Mueller ,  Lian Ma ,  Xiao Feng-Shou ,  Xiaoyu Yang

IPC分类号： C01B39/04 ,  C01B33/36

CPC分类号： C01B37/005 ,  C01B39/04 ,  C01B39/40 ,  C01B39/48 ,  Y10S423/22 ,  Y10S423/27

摘要： A process for preparing a zeolitic material, comprising (i) preparing a mixture comprising the at least one silicon containing precursor compound from which the zeolitic framework is formed, at least one pore forming agent, and at least one polymer which has an essentially spheroidal geometry in the mixture; (ii) crystallizing the zeolitic material from the mixture obtained in (i) to obtain the crystallized zeolitic material in its mother liquor.

摘要翻译： 一种制备沸石材料的方法，包括（i）制备包含所述至少一种含硅的前体化合物的混合物，所述至少一种含有硅沸石骨架的前体化合物由其形成，至少一种成孔剂和至少一种具有基本上球形几何形状的聚合物 在混合物中 （ii）从（i）中获得的混合物中结晶沸石材料，得到其母液中的结晶沸石材料。

公开(公告)号：US07442366B2

公开(公告)日：2008-10-28

申请号：US11685519

申请日：2007-03-13

申请人： Ulrich Mueller ,  Lian Ma ,  Xiao Feng-Shou ,  Xiaoyu Yang

发明人： Ulrich Mueller ,  Lian Ma ,  Xiao Feng-Shou ,  Xiaoyu Yang

IPC分类号： C01B39/02

CPC分类号： C01B37/005 ,  C01B39/04 ,  C01B39/40 ,  C01B39/48 ,  Y10S423/22 ,  Y10S423/27

摘要： A process for preparing a zeolitic material, comprising (i) preparing a mixture comprising the at least one silicon containing precursor compound from which the zeolitic framework is formed, at least one pore forming agent, and at least one polymer which has an essentially spheroidal geometry in the mixture; (ii) crystallizing the zeolitic material from the mixture obtained in (i) to obtain the crystallized zeolitic material in its mother liquor.

摘要翻译： 一种制备沸石材料的方法，包括（i）制备包含所述至少一种含硅的前体化合物的混合物，所述至少一种含有硅沸石骨架的前体化合物由其形成，至少一种成孔剂和至少一种具有基本上球形几何形状的聚合物 在混合物中 （ii）从（i）中获得的混合物中结晶沸石材料，得到其母液中的结晶沸石材料。

公开(公告)号：US20070154388A1

公开(公告)日：2007-07-05

申请号：US11685519

申请日：2007-03-13

申请人： Ulrich Muller ,  Lian Ma ,  Xiao Feng-Shou ,  Xiaoyu Yang

发明人： Ulrich Muller ,  Lian Ma ,  Xiao Feng-Shou ,  Xiaoyu Yang

IPC分类号： C01B39/00 ,  C01B39/02

CPC分类号： C01B37/005 ,  C01B39/04 ,  C01B39/40 ,  C01B39/48 ,  Y10S423/22 ,  Y10S423/27

摘要： A process for preparing a zeolitic material, comprising (i) preparing a mixture comprising the at least one silicon containing precursor compound from which the zeolitic framework is formed, at least one pore forming agent, and at least one polymer which has an essentially spheroidal geometry in the mixture; (ii) crystallizing the zeolitic material from the mixture obtained in (i) to obtain the crystallized zeolitic material in its mother liquor.

摘要翻译： 一种制备沸石材料的方法，包括（i）制备包含所述至少一种含硅的前体化合物的混合物，所述至少一种含有硅沸石骨架的前体化合物由其形成，至少一种成孔剂和至少一种具有基本上球形几何形状的聚合物 在混合物中 （ii）从（i）中获得的混合物中结晶沸石材料，得到其母液中的结晶沸石材料。

公开(公告)号：US07211239B2

公开(公告)日：2007-05-01

申请号：US11111871

申请日：2005-04-22

申请人： Ulrich Müller ,  Lian Ma ,  Xiao Feng-Shou ,  Xiaoyu Yang

发明人： Ulrich Müller ,  Lian Ma ,  Xiao Feng-Shou ,  Xiaoyu Yang

IPC分类号： C01B39/02

CPC分类号： C01B37/005 ,  C01B39/04 ,  C01B39/40 ,  C01B39/48 ,  Y10S423/22 ,  Y10S423/27

摘要： A process for preparing a zeolitic material, comprising (i) preparing a mixture comprising the at least one silicon containing precursor compound from which the zeolitic framework is formed, at least one pore forming agent, and at least one polymer which has an essentially spheroidal geometry in the mixture; (ii) crystallizing the zeolitic material from the mixture obtained in (i) to obtain the crystallized zeolitic material in its mother liquor.

摘要翻译： 一种制备沸石材料的方法，包括（i）制备包含所述至少一种含硅的前体化合物的混合物，所述至少一种含有硅沸石骨架的前体化合物由其形成，至少一种成孔剂和至少一种具有基本上球形几何形状的聚合物 在混合物中 （ii）从（i）中获得的混合物中结晶沸石材料，得到其母液中的结晶沸石材料。

公开(公告)号：US09157972B2

公开(公告)日：2015-10-13

申请号：US13586122

申请日：2012-08-15

申请人： Yoshinori Hamamura ,  Xiaoyu Yang ,  Nicholas Castrilla ,  Christopher J. Allen ,  Shinji Mitsui

发明人： Yoshinori Hamamura ,  Xiaoyu Yang ,  Nicholas Castrilla ,  Christopher J. Allen ,  Shinji Mitsui

IPC分类号： G01V3/00 ,  G01R33/36

CPC分类号： G01R33/3664 ,  G01R33/3628 ,  G01R33/3642 ,  G01R33/365 ,  G01R33/543

摘要： An electrically-controlled failsafe switch is included in an MRI transmit-and-receive RF coil assembly so as to protect it from induced RF currents in the event it is disconnected from an MRI system, but inadvertently left linked to strong MRI RF fields during imaging procedures using other RF coils.

摘要翻译： 在MRI发射和接收RF线圈组件中包括电控故障安全开关，以便在与MRI系统断开连接的情况下保护其免受感应RF电流的影响，但在成像期间无意中与强MRI射频场相关联 使用其他RF线圈的程序。

公开(公告)号：US08518832B1

公开(公告)日：2013-08-27

申请号：US13169588

申请日：2011-06-27

申请人： Xiaoyu Yang ,  Xianzhong Zeng ,  Yan Chen ,  Yunhe Huang ,  Jinqiu Zhang ,  Yang Xiang ,  Ching-Huang Lu

发明人： Xiaoyu Yang ,  Xianzhong Zeng ,  Yan Chen ,  Yunhe Huang ,  Jinqiu Zhang ,  Yang Xiang ,  Ching-Huang Lu

IPC分类号： H01L21/311 ,  H01L21/461

CPC分类号： B81C1/00849 ,  B81B2203/0118 ,  B81C1/0015 ,  B81C2201/0132 ,  G03F7/40 ,  H01L21/31133

摘要： A process is provided for etching a mask layer and removal of residue from a structure having an area sheltered from directional etching. The structure has a shape that forms a silhouette area obstructed from being etched by anisotropic bombardment originating from a first direction, and a mask formed over the mask layer over the structure; A first etch process removes at least a part of the mask layer and retains at least a part of mask layer in the sheltered area. A second etch process removes at least a part of the mask layer in the sheltered area by hydrogen based microwave plasma etching.

摘要翻译： 提供了一种用于蚀刻掩模层并从具有从定向蚀刻遮蔽的区域的结构中除去残余物的方法。 该结构具有形成通过来自第一方向的各向异性轰击而被阻挡而不被蚀刻的轮廓区域的形状，以及在该结构上形成在掩模层上的掩模; 第一蚀刻工艺去除掩模层的至少一部分并且将掩模层的至少一部分保留在遮蔽区域中。 第二蚀刻工艺通过基于氢的微波等离子体蚀刻去除遮蔽区域中的掩模层的至少一部分。

公开(公告)号：US08350299B2

公开(公告)日：2013-01-08

申请号：US12836320

申请日：2010-07-14

申请人： Xiaoyu Yang ,  Roy E. Scheuerlein ,  Feng Li ,  Albert T. Meeks

发明人： Xiaoyu Yang ,  Roy E. Scheuerlein ,  Feng Li ,  Albert T. Meeks

IPC分类号： H01L29/66

CPC分类号： H01L45/12 ,  G11C17/00 ,  G11C17/16 ,  H01L23/5252 ,  H01L27/101 ,  H01L45/04 ,  H01L45/146 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A memory cell is provided that includes a diode and a resistance-switching material layer coupled in series with the diode. The resistance-switching material layer: (a) has a dielectric constant in the range of about 5 to about 27, and (b) includes a material from the family consisting of XvOw, wherein X represents an element from the family consisting of Hf and Zr, and wherein the subscripts v and w have non-zero values that form a stable compound. Other aspects are also provided.

摘要翻译： 提供存储单元，其包括与二极管串联耦合的二极管和电阻切换材料层。 电阻切换材料层：（a）的介电常数在约5至约27的范围内，（b）包括由XvOw组成的族的材料，其中X表示由Hf和 Zr，并且其中下标v和w具有形成稳定化合物的非零值。 还提供其他方面。

公开(公告)号：US20110075482A1

公开(公告)日：2011-03-31

申请号：US12569869

申请日：2009-09-29

申请人： Zac Shepard ,  Xiaoyu Yang ,  Albert Meeks ,  Qing Li ,  Enosh Levi ,  Kim Le ,  Raz Dan ,  Brian Murphy

发明人： Zac Shepard ,  Xiaoyu Yang ,  Albert Meeks ,  Qing Li ,  Enosh Levi ,  Kim Le ,  Raz Dan ,  Brian Murphy

IPC分类号： G11C16/04 ,  G11C5/02

CPC分类号： G11C11/5621 ,  H01L21/563 ,  H01L24/16 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/45 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2225/06562 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01077 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/07802 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

摘要： A non-volatile memory chip package is prepared for surface mounting to a substrate in a solder reflow process by programming erased blocks to higher threshold voltage levels, to improve data retention for blocks which are preloaded with content, such as by an electronic device manufacturer. Following the surface mounting, the previously-erased blocks are returned to the erased state. The threshold voltage of storage elements of the preloaded blocks can change during the surface mounting process due to a global charge effect phenomenon. The effect is most prominent for higher state storage elements which are surrounded by erased blocks, in a chip for which the wafer backside was thinned and polished. The erased blocks can be programmed using a single program pulse without performing a verify operation, as a wide threshold voltage distribution is acceptable.

摘要翻译： 通过将擦除的块编程为更高的阈值电压电平来准备用于在焊料回流过程中表面安装到衬底的非易失性存储器芯片封装，以改善例如由电子器件制造商预装载内容的块的数据保留。 在表面安装之后，先前擦除的块返回到擦除状态。 由于全局充电效应现象，预载块的存储元件的阈值电压可能在表面贴装过程中发生变化。 对于被擦除块包围的较高状态存储元件，晶片背面被薄化和抛光的芯片中的效果最为突出。 擦除的块可以使用单个编程脉冲编程，而不执行验证操作，因为宽的阈值电压分布是可接受的。

公开(公告)号：US20090140299A1

公开(公告)日：2009-06-04

申请号：US12367214

申请日：2009-02-06

申请人： Xiaoyu Yang ,  Roy E. Scheuerlein ,  Feng Li ,  Albert T. Meeks

发明人： Xiaoyu Yang ,  Roy E. Scheuerlein ,  Feng Li ,  Albert T. Meeks

IPC分类号： H01L29/66 ,  H01L23/525

CPC分类号： H01L45/12 ,  G11C17/00 ,  G11C17/16 ,  H01L23/5252 ,  H01L27/101 ,  H01L45/04 ,  H01L45/146 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A memory array having memory cells comprising a diode and an antifuse can be made smaller and programmed at lower voltage by using an antifuse material having a higher dielectric constant and a higher acceleration factor than those of silicon dioxide, and by using a diode having a lower band gap than that of silicon. Such memory arrays can be made to have long operating lifetimes by using the high acceleration factor and lower band gap materials. Antifuse materials having dielectric constants between 5 and 27, for example, hafnium silicon oxynitride or hafnium silicon oxide, are particularly effective. Diode materials with band gaps lower than that of silicon, such as germanium or a silicon-germanium alloy, are particularly effective.

摘要翻译： 通过使用具有比二氧化硅更高的介电常数和更高的加速因子的反熔丝材料，并且通过使用具有较低的二极管的二极管，可以使具有包括二极管和反熔丝的存储单元的存储器阵列更小并以较低的电压编程 带隙比硅。 这样的存储器阵列可以通过使用高加速因子和较低带隙材料而具有长的工作寿命。 具有介于5和27之间的介电常数的防腐材料，例如铪硅氮氧化物或氧化铪铪是特别有效的。 带隙低于硅的二极管材料如锗或硅 - 锗合金是特别有效的。

公开(公告)号：US20090003083A1

公开(公告)日：2009-01-01

申请号：US11819562

申请日：2007-06-28

申请人： Albert Meeks ,  Xiaoyu Yang ,  Kim Le

发明人： Albert Meeks ,  Xiaoyu Yang ,  Kim Le

IPC分类号： G11C11/34

CPC分类号： H01L27/10 ,  G11C11/5671 ,  G11C13/003 ,  G11C2213/71 ,  G11C2213/76 ,  H01L27/115 ,  H01L29/40114 ,  H01L29/685

摘要： A two terminal nonvolatile memory cell includes a first electrode, a second electrode, a charge storage medium, and a resistive element. The charge storage medium and the resistive element are connected in parallel between the first and the second electrodes. A presence or absence of charge being stored in the charge storage medium affects a resistivity of the resistive element.

摘要翻译： 双端非易失性存储单元包括第一电极，第二电极，电荷存储介质和电阻元件。 电荷存储介质和电阻元件在第一和第二电极之间并联连接。 存储在电荷存储介质中的电荷的存在或不存在影响电阻元件的电阻率。