公开(公告)号：US06770418B2

公开(公告)日：2004-08-03

申请号：US10026120

申请日：2001-12-21

申请人： Wenjie Li ,  Pushkara Rao Varanasi ,  Ranee Kwong

发明人： Wenjie Li ,  Pushkara Rao Varanasi ,  Ranee Kwong

IPC分类号： G03C173

CPC分类号： G03F7/0755 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/0392 ,  Y10S430/106 ,  Y10S430/108 ,  Y10S430/111

摘要： Acid-catalyzed positive resist compositions suitable for bilayer or multilayer lithographic applications are enabled by the use of a combination of (a) an acid-sensitive imaging polymer, (b) a radiation-sensitive acid generator, and (c) a non-polymeric silicon additive. The imaging polymer is preferably imageable with 193 nm or shorter wavelength imaging radiation. The resist compositions preferably contain at least about 5 wt. % silicon based on the weight of the imaging polymer. The compositions generally provide reduced line edge roughness compared to conventional silicon-containing resists.

摘要翻译： 通过使用（a）酸敏感成像聚合物，（b）辐射敏感酸产生剂和（c）非聚合物 硅添加剂。 成像聚合物优选可以用193nm或更短波长成像辐射成像。 抗蚀剂组合物优选含有至少约5wt。 基于成像聚合物重量的硅。 与常规的含硅抗蚀剂相比，组合物通常提供较少的线边缘粗糙度。

公开(公告)号：US20060089000A1

公开(公告)日：2006-04-27

申请号：US10973683

申请日：2004-10-26

申请人： Ronald Della Guardia ,  Ranee Kwong ,  Wenjie Li ,  Qinghuang Lin ,  Dirk Pfeiffer ,  David Rath

发明人： Ronald Della Guardia ,  Ranee Kwong ,  Wenjie Li ,  Qinghuang Lin ,  Dirk Pfeiffer ,  David Rath

IPC分类号： H01L21/461 ,  C09K13/00 ,  H01L21/302

CPC分类号： H01L21/76808 ,  C09K13/08 ,  H01L21/31144

摘要： In the back end of integrated circuits employing low-k interlevel dielectrics, etched structures are filled with a planarizing material comprising a cyclic olefin polymer and solvent; the next pattern to be etched is defined in a photosensitive layer above the planarizing layer; the pattern is etched in the dielectric and the planarizing material is stripped in a wet process that does not damage the interlevel dielectric.

摘要翻译： 在采用低k层间电介质的集成电路的后端，用包含环烯烃聚合物和溶剂的平面化材料填充蚀刻结构; 待蚀刻的下一个图案被限定在平坦化层上方的感光层中; 在电介质中蚀刻图案，并且在不损坏层间电介质的湿法中剥离平面化材料。

公开(公告)号：US20070243484A1

公开(公告)日：2007-10-18

申请号：US11405879

申请日：2006-04-18

申请人： Kuang-Jung Chen ,  Mahmoud Khojasteh ,  Ranee Kwong ,  Margaret Lawson ,  Wenjie Li ,  Kaushal Patel ,  Pushkara Varanasi

发明人： Kuang-Jung Chen ,  Mahmoud Khojasteh ,  Ranee Kwong ,  Margaret Lawson ,  Wenjie Li ,  Kaushal Patel ,  Pushkara Varanasi

IPC分类号： G03C1/00

CPC分类号： G03F7/091 ,  C08F220/28 ,  C08F222/40 ,  C08F232/08 ,  Y10S430/151

摘要： The present invention discloses an antireflective coating composition for applying between a substrate surface and a positive photoresist composition. The antireflective coating composition is developable in an aqueous alkaline developer. The antireflective coating composition comprises a polymer, which comprises at least one monomer unit containing one or more moieties selected from the group consisting of a lactone, maleimide, and an N-alkyl maleimide; and at least one monomer unit containing one or more absorbing moieties. The polymer does not comprise an acid labile group. The present invention also discloses a method of forming and transferring a relief image by using the inventive antireflective coating composition in photolithography.

摘要翻译： 本发明公开了一种用于在基材表面和正性光致抗蚀剂组合物之间施加的抗反射涂料组合物。 抗反射涂料组合物可在含水碱性显影剂中显影。 抗反射涂料组合物包括聚合物，其包含至少一种含有一个或多个选自内酯，马来酰亚胺和N-烷基马来酰亚胺的部分的单体单元; 和含有一个或多个吸收部分的至少一个单体单元。 聚合物不包含酸不稳定基团。 本发明还公开了一种通过在光刻中使用本发明的抗反射涂料组合物来形成和转印浮雕图像的方法。

公开(公告)号：US20070231736A1

公开(公告)日：2007-10-04

申请号：US11391187

申请日：2006-03-28

申请人： Kuang-Jung Chen ,  Mahmoud Khojasteh ,  Ranee Kwong ,  Wenjie Li ,  Kaushal Patel ,  Pushkara Varanasi

发明人： Kuang-Jung Chen ,  Mahmoud Khojasteh ,  Ranee Kwong ,  Wenjie Li ,  Kaushal Patel ,  Pushkara Varanasi

IPC分类号： G03C1/00

CPC分类号： G03F7/091

摘要： The present invention discloses an antireflective coating composition for applying between a substrate surface and a photoresist composition. The antireflective coating composition of the present invention comprises a polymer, which includes at least one monomer unit containing a lactone moiety and at least one monomer unit containing an absorbing moiety. The inventive antireflective coating composition is preferably organic solvent-strippable, insoluble in an aqueous alkaline developer for the photoresist composition after exposure to an imaging radiation, and inert to contact reactions with the photoresist composition. The present invention also discloses a method of forming patterned material features on a substrate using the compositions of the invention.

摘要翻译： 本发明公开了一种用于在基材表面和光致抗蚀剂组合物之间施加的抗反射涂料组合物。 本发明的抗反射涂料组合物包括聚合物，其包含至少一个含有内酯部分的单体单元和至少一个含有吸收部分的单体单元。 本发明的抗反射涂料组合物优选是有机溶剂可剥离的，在暴露于成像辐射之后不溶于用于光致抗蚀剂组合物的水性碱性显影剂，并且与光致抗蚀剂组合物的接触反应惰性。 本发明还公开了使用本发明的组合物在衬底上形成图案化材料特征的方法。

公开(公告)号：US06503692B2

公开(公告)日：2003-01-07

申请号：US10165582

申请日：2002-06-07

申请人： Marie Angelopoulos ,  Ari Aviram ,  C. Richard Guarnieri ,  Wu-Song Huang ,  Ranee Kwong ,  Wayne M. Moreau

发明人： Marie Angelopoulos ,  Ari Aviram ,  C. Richard Guarnieri ,  Wu-Song Huang ,  Ranee Kwong ,  Wayne M. Moreau

IPC分类号： G03F700

CPC分类号： C08G77/20 ,  C08G77/38 ,  G03F7/0757 ,  G03F7/091 ,  Y10S430/151

摘要： Antireflective compositions characterized by the presence of an SiO-containing polymer having pendant chromophore moieties are useful antireflective coating/hardmask compositions in lithographic processes. These compositions provide outstanding optical, mechanical and etch selectivity properties while being applicable using spin-on application techniques. The compositions are especially useful in lithographic processes used to configure underlying material layers on a substrate, especially metal or semiconductor layers.

公开(公告)号：US20140004712A1

公开(公告)日：2014-01-02

申请号：US13537177

申请日：2012-06-29

申请人： Kuang-Jung Chen ,  Steven J. Holmes ,  Wu-Song Huang ,  Ranee Kwong ,  Sen Liu

发明人： Kuang-Jung Chen ,  Steven J. Holmes ,  Wu-Song Huang ,  Ranee Kwong ,  Sen Liu

IPC分类号： G03F7/20 ,  H01L21/265 ,  C09K3/00

CPC分类号： G03F7/11 ,  C08F220/26 ,  C08L33/066 ,  C08L33/16 ,  C08L2312/00 ,  C09D133/066 ,  G03F7/0046 ,  G03F7/038 ,  G03F7/0392 ,  G03F7/0397 ,  G03F7/091 ,  G03F7/30 ,  G03F7/322 ,  G03F7/40 ,  H01L21/0274 ,  H01L21/0276 ,  H01L21/265 ,  C08L2205/025

摘要： The present invention relates to a developable bottom antireflective coating (BARC) composition and a pattern forming method using the BARC composition. The BARC composition includes a first polymer having a first carboxylic acid moiety, a hydroxy-containing alicyclic moiety, and a first chromophore moiety; a second polymer having a second carboxylic acid moiety, a hydroxy-containing acyclic moiety, and a second chromophore moiety; a crosslinking agent; and a radiation sensitive acid generator. The first and second chromophore moieties each absorb light at a wavelength from 100 nm to 400 nm. In the patterning forming method, a photoresist layer is formed over a BARC layer of the BARC composition. After exposure, unexposed regions of the photoresist layer and the BARC layer are selectively removed by a developer to form a patterned structure in the photoresist layer. The BARC composition and the pattern forming method are especially useful for implanting levels.

摘要翻译： 本发明涉及一种可显影底部抗反射涂层（BARC）组合物和使用该BARC组合物的图案形成方法。 BARC组合物包括具有第一羧酸部分，含羟基脂环族部分和第一发色团部分的第一聚合物; 具有第二羧酸部分的第二聚合物，含羟基的无环部分和第二发色团部分; 交联剂; 和辐射敏感酸发生器。 第一和第二发色团部分各自吸收波长从100nm到400nm的光。 在图案形成方法中，在BARC组合物的BARC层上形成光致抗蚀剂层。 曝光后，通过显影剂选择性地除去光致抗蚀剂层和BARC层的未曝光区域，以在光致抗蚀剂层中形成图案化结构。 BARC组合物和图案形成方法对于植入水平特别有用。

公开(公告)号：US06420088B1

公开(公告)日：2002-07-16

申请号：US09602967

申请日：2000-06-23

申请人： Marie Angelopoulos ,  Ari Aviram ,  C. Richard Guarnieri ,  Wu-Song Huang ,  Ranee Kwong ,  Wayne M. Moreau

发明人： Marie Angelopoulos ,  Ari Aviram ,  C. Richard Guarnieri ,  Wu-Song Huang ,  Ranee Kwong ,  Wayne M. Moreau

IPC分类号： G03C1825

CPC分类号： C08G77/20 ,  C08G77/38 ,  G03F7/0757 ,  G03F7/091 ,  Y10S430/151

摘要： Antireflective compositions characterized by the presence of an SiO-containing polymer having pendant chromophore moieties are useful antireflective coating/hardmask compositions in lithographic processes. These compositions provide outstanding optical, mechanical and etch selectivity properties while being applicable using spin-on application techniques. The compositions are especially useful in lithographic processes used to configure underlying material layers on a substrate, especially metal or semiconductor layers.

摘要翻译： 特征在于存在具有侧生发色团部分的含SiO聚合物的抗反射组合物是光刻工艺中有用的抗反射涂层/硬掩模组合物。 这些组合物提供突出的光学，机械和蚀刻选择性，同时适用于使用旋涂应用技术。 所述组合物在用于在基材上，尤其是金属或半导体层上配置下层材料层的光刻工艺中特别有用。

公开(公告)号：US20050106494A1

公开(公告)日：2005-05-19

申请号：US10716785

申请日：2003-11-19

申请人： Wu-Song Huang ,  Robert Allen ,  Marie Angelopoulos ,  Ranee Kwong ,  Ratnam Sooriyakumaran

发明人： Wu-Song Huang ,  Robert Allen ,  Marie Angelopoulos ,  Ranee Kwong ,  Ratnam Sooriyakumaran

IPC分类号： G03F7/039 ,  C08G77/22 ,  G03C1/492 ,  G03F7/004 ,  G03F7/075 ,  G03F7/09 ,  G03F7/11 ,  G03F7/20 ,  H01L21/027

CPC分类号： G03F7/094 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/0046 ,  G03F7/0757

摘要： Inventive silsesquioxane polymers are provided, and photoresist compositions that contain such silsesquioxane polymers are provided in which at least a portion of the silsesquioxane polymer contains fluorinated moieties, and at least a portion of the silisesquioxane polymer contains pendant solubility inhibiting cyclic ketal acid-labile moieties that have low activation energy for acid-catalyzed cleaving. The inventive polymer also contains pendant polar moieties that promote alkaline solubility of the resist in aqueous alkaline solutions. The inventive polymers are particularly useful in positive resist compositions. The invention encompasses methods of using such photoresist compositions in forming a patterned structure on a substrate, and particularly multilayer (e.g. bilayer) photolithographic methods, which methods are capable of producing high resolution images at wavelengths such as 193 nm and 157 nm.

摘要翻译： 提供了本发明的倍半硅氧烷聚合物，并且提供了含有这种倍半硅氧烷聚合物的光致抗蚀剂组合物，其中至少一部分倍半硅氧烷聚合物含有氟化部分，并且至少一部分硅倍半硅氧烷聚合物含有侧链溶解性抑制性环状缩酮酸不稳定部分， 具有低活化能的酸催化裂解。 本发明的聚合物还含有侧链极性部分，其促进抗蚀剂在碱性水溶液中的碱溶性。 本发明的聚合物在正性抗蚀剂组合物中特别有用。 本发明包括使用这种光致抗蚀剂组合物在基底上形成图案化结构的方法，特别是多层（例如双层）光刻方法，该方法能够在诸如193nm和157nm的波长下产生高分辨率图像。

公开(公告)号：US06420084B1

公开(公告)日：2002-07-16

申请号：US09602136

申请日：2000-06-23

申请人： Marie Angelopoulos ,  Ari Aviram ,  C. Richard Guarnieri ,  Wu-Song Huang ,  Ranee Kwong ,  Robert N. Lang ,  Arpan P. Mahorowala ,  David R. Medeiros ,  Wayne M. Moreau

发明人： Marie Angelopoulos ,  Ari Aviram ,  C. Richard Guarnieri ,  Wu-Song Huang ,  Ranee Kwong ,  Robert N. Lang ,  Arpan P. Mahorowala ,  David R. Medeiros ,  Wayne M. Moreau

IPC分类号： G03F7004

CPC分类号： G03F7/0757

摘要： The invention provides improved resist compositions and lithographic methods using the resist compositions of the invention. The resist compositions of the invention are acid-catalyzed resists which are characterized by the presence of an SiO-containing polymer. The invention also encompasses methods of forming patterned material layers (especially conductive, semiconductive, or magnetic material structures) using the combination of the SiO-containing resist and a halogen compound-containing pattern transfer etchant where the halogen is Cl, Br or I.

摘要翻译： 本发明提供使用本发明的抗蚀剂组合物的改进的抗蚀剂组合物和平版印刷方法。 本发明的抗蚀剂组合物是酸催化的抗蚀剂，其特征在于存在含SiO的聚合物。 本发明还包括使用含SiO的抗蚀剂和含卤素化合物的图案转移蚀刻剂的组合形成图案化材料层（特别是导电，半导体或磁性材料结构）的方法，其中卤素是Cl，Br或I.

公开(公告)号：US08999624B2

公开(公告)日：2015-04-07

申请号：US13537177

申请日：2012-06-29

申请人： Kuang-Jung Chen ,  Steven J. Holmes ,  Wu-Song Huang ,  Ranee Kwong ,  Sen Liu

发明人： Kuang-Jung Chen ,  Steven J. Holmes ,  Wu-Song Huang ,  Ranee Kwong ,  Sen Liu

IPC分类号： G03F7/11 ,  G03F7/004 ,  G03F7/039 ,  H01L21/027 ,  C08L33/06 ,  C08F220/26 ,  C08L33/16

CPC分类号： G03F7/11 ,  C08F220/26 ,  C08L33/066 ,  C08L33/16 ,  C08L2312/00 ,  C09D133/066 ,  G03F7/0046 ,  G03F7/038 ,  G03F7/0392 ,  G03F7/0397 ,  G03F7/091 ,  G03F7/30 ,  G03F7/322 ,  G03F7/40 ,  H01L21/0274 ,  H01L21/0276 ,  H01L21/265 ,  C08L2205/025

摘要： The present invention relates to a developable bottom antireflective coating (BARC) composition and a pattern forming method using the BARC composition. The BARC composition includes a first polymer having a first carboxylic acid moiety, a hydroxy-containing alicyclic moiety, and a first chromophore moiety; a second polymer having a second carboxylic acid moiety, a hydroxy-containing acyclic moiety, and a second chromophore moiety; a crosslinking agent; and a radiation sensitive acid generator. The first and second chromophore moieties each absorb light at a wavelength from 100 nm to 400 nm. In the patterning forming method, a photoresist layer is formed over a BARC layer of the BARC composition. After exposure, unexposed regions of the photoresist layer and the BARC layer are selectively removed by a developer to form a patterned structure in the photoresist layer. The BARC composition and the pattern forming method are especially useful for implanting levels.

摘要翻译： 本发明涉及一种可显影底部抗反射涂层（BARC）组合物和使用该BARC组合物的图案形成方法。 BARC组合物包括具有第一羧酸部分，含羟基脂环族部分和第一发色团部分的第一聚合物; 具有第二羧酸部分的第二聚合物，含羟基的无环部分和第二发色团部分; 交联剂; 和辐射敏感酸发生器。 第一和第二发色团部分各自吸收波长从100nm到400nm的光。 在图案形成方法中，在BARC组合物的BARC层上形成光致抗蚀剂层。 曝光后，通过显影剂选择性地除去光致抗蚀剂层和BARC层的未曝光区域，以在光致抗蚀剂层中形成图案化结构。 BARC组合物和图案形成方法对于植入水平特别有用。