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    Storage electrode of a capacitor and a method of forming the same
    1.
    发明授权
    Storage electrode of a capacitor and a method of forming the same 有权
    电容器的存储电极及其形成方法

    公开(公告)号：US07723182B2

    公开(公告)日：2010-05-25

    申请号：US11291798

    申请日：2005-11-30

    申请人： Won-Jun Jang ,  In-Sun Park ,  Jae-Young Park ,  Ki-Vin Im ,  Yong-Woo Hyung

    发明人： Won-Jun Jang ,  In-Sun Park ,  Jae-Young Park ,  Ki-Vin Im ,  Yong-Woo Hyung

    IPC分类号： H01L21/8242

    CPC分类号： H01L28/91 ,  H01L27/10852

    摘要： In an embodiment, a storage electrode of a capacitor in a semiconductor device is resistant to inadvertent etching during its manufacturing processes. A method of forming the storage electrode of the capacitor is described. The storage electrode of the capacitor may include a first metal layer electrically connected with a source region of a transistor through a contact plug penetrating an insulating layer on a semiconductor substrate. A polysilicon layer may then be formed on the first metal layer. A second metal layer is formed on the polysilicon layer.

    摘要翻译： 在一个实施例中，半导体器件中的电容器的存储电极在其制造工艺期间耐受无意的蚀刻。 描述形成电容器的存储电极的方法。 电容器的存储电极可以包括通过穿过半导体衬底上的绝缘层的接触插塞与晶体管的源极区域电连接的第一金属层。 然后可以在第一金属层上形成多晶硅层。 在多晶硅层上形成第二金属层。

    Storage electrode of a capacitor and a method of forming the same
    2.
    发明申请
    Storage electrode of a capacitor and a method of forming the same 有权
    电容器的存储电极及其形成方法

    公开(公告)号：US20060113575A1

    公开(公告)日：2006-06-01

    申请号：US11291798

    申请日：2005-11-30

    申请人： Won-Jun Jang ,  In-Sun Park ,  Jae-Young Park ,  Ki-Vin Im ,  Yong-Woo Hyung

    发明人： Won-Jun Jang ,  In-Sun Park ,  Jae-Young Park ,  Ki-Vin Im ,  Yong-Woo Hyung

    IPC分类号： H01L29/94

    CPC分类号： H01L28/91 ,  H01L27/10852

    摘要： In an embodiment, a storage electrode of a capacitor in a semiconductor device is resistant to inadvertent etching during its manufacturing processes. A method of forming the storage electrode of the capacitor is described. The storage electrode of the capacitor may include a first metal layer electrically connected with a source region of a transistor through a contact plug penetrating an insulating layer on a semiconductor substrate. A polysilicon layer may then be formed on the first metal layer. A second metal layer is formed on the polysilicon layer.

    摘要翻译： 在一个实施例中，半导体器件中的电容器的存储电极在其制造工艺期间耐受无意的蚀刻。 描述形成电容器的存储电极的方法。 电容器的存储电极可以包括通过穿过半导体衬底上的绝缘层的接触插塞与晶体管的源极区域电连接的第一金属层。 然后可以在第一金属层上形成多晶硅层。 在多晶硅层上形成第二金属层。

    Method of forming a thin layer and method of manufacturing a semiconductor device
    6.
    发明申请
    Method of forming a thin layer and method of manufacturing a semiconductor device 有权
    形成薄层的方法和制造半导体器件的方法

    公开(公告)号：US20080064171A1

    公开(公告)日：2008-03-13

    申请号：US11589866

    申请日：2006-10-31

    申请人： Won-Jun Jang ,  Ho-Min Son ,  Woong Lee ,  Yong-Woo Hyung ,  Jung-Geun Jee

    发明人： Won-Jun Jang ,  Ho-Min Son ,  Woong Lee ,  Yong-Woo Hyung ,  Jung-Geun Jee

    IPC分类号： H01L21/336

    CPC分类号： H01L29/513 ,  H01L27/105 ,  H01L27/115 ,  H01L27/11526 ,  H01L27/11539 ,  H01L27/11568 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518

    摘要： In a method of forming a thin layer (e.g., a charge trapping nitride layer) of a semiconductor device (e.g. a charge trapping type non-volatile memory device), the nitride layer may be formed on a first area of a substrate. A blocking layer may be formed on the nitride layer. An oxide layer may be formed on a second area of the substrate while preventing or reducing an oxidation of the nitride layer by a radical oxidation process in which oxygen radicals react with the second area of the substrate and the blocking layer in the first area of the substrate. The nitride layer may ensure sufficient charge trapping sites and may have a uniform thickness without oxidation thereof in the radical oxidation process.

    摘要翻译： 在形成半导体器件（例如电荷俘获型非易失性存储器件）的薄层（例如，电荷捕获氮化物层）的方法中，可以在衬底的第一区域上形成氮化物层。 可以在氮化物层上形成阻挡层。 可以在衬底的第二区域上形成氧化物层，同时通过自由基氧化工艺防止或减少氮化物层的氧化，其中氧自由基与衬底的第二区域反应，并且阻挡层在第一区域中 基质。 氮化物层可以确保足够的电荷俘获位点，并且可以具有均匀的厚度，而不会在自由基氧化过程中氧化。

    Non-volatile memory device and method of manufacturing the same
    7.
    发明申请
    Non-volatile memory device and method of manufacturing the same 失效
    非易失性存储器件及其制造方法

    公开(公告)号：US20080105915A1

    公开(公告)日：2008-05-08

    申请号：US11605317

    申请日：2006-11-29

    申请人： Jung-Hyun Park ,  Jung-Geun Jee ,  Hyoeng-Ki Kim ,  Yong-Woo Hyung ,  Won-Jun Jang

    发明人： Jung-Hyun Park ,  Jung-Geun Jee ,  Hyoeng-Ki Kim ,  Yong-Woo Hyung ,  Won-Jun Jang

    IPC分类号： H01L29/76

    CPC分类号： H01L29/7881 ,  H01L29/66825

    摘要： A semiconductor device may include a tunnel insulating layer disposed on an active region of a substrate, field insulating patterns disposed in surface portions of the substrate to define the active region, each of the field insulating patterns having an upper recess formed at an upper surface portion thereof, a stacked structure disposed on the tunnel insulating layer, and impurity diffusion regions disposed at surface portions of the active region adjacent to the stacked structure.

    摘要翻译： 半导体器件可以包括设置在衬底的有源区上的隧道绝缘层，设置在衬底的表面部分中以限定有源区的场绝缘图案，每个场绝缘图案具有形成在上表面部分的上凹部 设置在隧道绝缘层上的堆叠结构，以及设置在与堆叠结构相邻的有源区的表面部分处的杂质扩散区。

    NON-VOLATILE MEMORY DEVICE
    9.
    发明申请
    NON-VOLATILE MEMORY DEVICE 审中-公开
    非易失性存储器件

    公开(公告)号：US20110260234A1

    公开(公告)日：2011-10-27

    申请号：US13172578

    申请日：2011-06-29

    申请人： Jung-Hyun PARK ,  Jung-Geun Jee ,  Hyoeng-Ki Kim ,  Yong-Woo Hyung ,  Won-Jun Jang

    发明人： Jung-Hyun PARK ,  Jung-Geun Jee ,  Hyoeng-Ki Kim ,  Yong-Woo Hyung ,  Won-Jun Jang

    IPC分类号： H01L29/788

    CPC分类号： H01L29/7881 ,  H01L29/66825

    摘要： A semiconductor device may include a tunnel insulating layer disposed on an active region of a substrate, field insulating patterns disposed in surface portions of the substrate to define the active region, each of the field insulating patterns having an upper recess formed at an upper surface portion thereof, a stacked structure disposed on the tunnel insulating layer, and impurity diffusion regions disposed at surface portions of the active region adjacent to the stacked structure.

    摘要翻译： 半导体器件可以包括设置在衬底的有源区上的隧道绝缘层，设置在衬底的表面部分中以限定有源区的场绝缘图案，每个场绝缘图案具有形成在上表面部分的上凹部 设置在隧道绝缘层上的堆叠结构，以及设置在与堆叠结构相邻的有源区的表面部分处的杂质扩散区。

    Method of Manufacturing a Semiconductor Device Using a Radical Oxidation Process
    10.
    发明申请
    Method of Manufacturing a Semiconductor Device Using a Radical Oxidation Process 审中-公开
    使用自由基氧化法制造半导体器件的方法

    公开(公告)号：US20080014753A1

    公开(公告)日：2008-01-17

    申请号：US11743774

    申请日：2007-05-03

    申请人： Won-Jun Jang ,  Yong-Woo Hyung ,  Jae-Jong Han ,  Ho-Min Son ,  Woong Lee ,  Jung-Geun Jee

    发明人： Won-Jun Jang ,  Yong-Woo Hyung ,  Jae-Jong Han ,  Ho-Min Son ,  Woong Lee ,  Jung-Geun Jee

    IPC分类号： H01L21/311

    CPC分类号： H01L21/31662 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/28211 ,  H01L21/32 ,  H01L27/105 ,  H01L27/11531

    摘要： In a method of manufacturing a semiconductor device, a polysilicon layer doped with impurities is formed on a front side and a backside of a substrate. An insulation layer is formed on the substrate having the polysilicon layer to cover the polysilicon layer on the backside of the substrate. The insulation layer on the front side of the substrate is partially etched to partially expose the front side of the substrate. An oxidation process using oxygen radicals is then carried out to form an oxide layer on the exposed front side of the substrate Thus, when the oxidation process is carried out, the insulation layer prevents impurities in the polysilicon layer on the backside of the substrate from being outgassed. As a result electrical characteristics of the transistor formed on the front side of the substrate may not be deteriorated.

    摘要翻译： 在制造半导体器件的方法中，在衬底的正面和背面上形成掺有杂质的多晶硅层。 在具有多晶硅层的基板上形成绝缘层，以覆盖基板背面的多晶硅层。 部分蚀刻衬底前侧的绝缘层以部分地暴露衬底的前侧。 然后进行使用氧自由基的氧化工艺，以在衬底的暴露的正面上形成氧化层。因此，当进行氧化处理时，绝缘层防止衬底背面上的多晶硅层中的杂质被 脱气 结果，形成在基板的前侧的晶体管的电特性可能不会劣化。