公开(公告)号：US20100193833A1

公开(公告)日：2010-08-05

申请号：US12697948

申请日：2010-02-01

申请人： Yasuto MIYAKE ,  Yasumitsu KUNOH ,  Masayuki HATA

发明人： Yasuto MIYAKE ,  Yasumitsu KUNOH ,  Masayuki HATA

IPC分类号： H01L33/30 ,  H01L29/20 ,  H01L21/30

CPC分类号： H01S5/34333 ,  B82Y20/00 ,  G11B7/127 ,  G11B7/1275 ,  G11B7/22 ,  H01L33/16 ,  H01L33/32 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/73257 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/19107 ,  H01S5/0202 ,  H01S5/0207 ,  H01S5/02212 ,  H01S5/0224 ,  H01S5/02276 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/2009 ,  H01S5/2201 ,  H01S5/2205 ,  H01S5/305 ,  H01S5/3063 ,  H01S5/3202 ,  H01S5/3211 ,  H01S5/4031 ,  H01S5/4087 ,  H04N9/3161

摘要： A nitride-based semiconductor device includes a substrate made of a nitride-based semiconductor, a device layer formed on the substrate, and an electrode formed on a surface of the substrate opposite to the device layer. The substrate includes a first surface having a nonpolar plane or a semipolar plane, a second surface opposite to the first surface, a defect concentration region extending in a direction inclined with respect to a normal direction of the first surface from the first surface toward the second surface and penetrating to the second surface and a current path region separated from other region of the substrate by the defect concentration region employed as a boundary, the defect concentration region is not exposed on the first surface, and the electrode is formed on the second surface in the current path region.

摘要翻译： 氮化物类半导体器件包括由氮化物类半导体制成的衬底，在衬底上形成的器件层，以及形成在与器件层相对的衬底的表面上的电极。 基板包括具有非极性平面或半极性平面的第一表面，与第一表面相对的第二表面，从第一表面向第二表面相对于第一表面的法线方向倾斜的方向延伸的缺陷浓度区域 通过作为边界的缺陷浓度区域与基板的其他区域分离的电流路径区域，缺陷浓度区域不露出在第一表面上，并且电极形成在第二表面上 在当前路径区域。

公开(公告)号：US20120033701A1

公开(公告)日：2012-02-09

申请号：US13274710

申请日：2011-10-17

申请人： Yasuyuki BESSHO ,  Hiroki OHBO ,  Kunio TAKEUCHI ,  Seiichi TOKUNAGA ,  Yasumitsu KUNOH ,  Masayuki HATA

发明人： Yasuyuki BESSHO ,  Hiroki OHBO ,  Kunio TAKEUCHI ,  Seiichi TOKUNAGA ,  Yasumitsu KUNOH ,  Masayuki HATA

IPC分类号： H01S5/026

CPC分类号： H01S5/4043 ,  B82Y20/00 ,  G11B7/1275 ,  G11B7/22 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/73257 ,  H01L2224/73265 ,  H01S5/0202 ,  H01S5/02212 ,  H01S5/0224 ,  H01S5/02272 ,  H01S5/02276 ,  H01S5/028 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/22 ,  H01S5/2214 ,  H01S5/34333 ,  H01S5/4087 ,  H04N9/3161 ,  H01L2924/00014

摘要： A method of manufacturing a semiconductor laser device comprises steps of forming a first semiconductor laser device substrate having first grooves for cleavage on a surface thereof, bonding a second semiconductor laser device substrate onto the surface side having the first grooves and thereafter cleaving the first and second semiconductor laser device substrates along at least the first grooves.

摘要翻译： 一种制造半导体激光器件的方法包括以下步骤：形成第一半导体激光器件衬底，其具有用于在其表面上切割的第一凹槽，将第二半导体激光器件衬底接合到具有第一沟槽的表面侧上，然后切割第一和第二 沿着至少第一凹槽的半导体激光器件衬底。

公开(公告)号：US20100080001A1

公开(公告)日：2010-04-01

申请号：US12568356

申请日：2009-09-28

申请人： Yasumitsu KUNOH ,  Yasuhiko NOMURA

发明人： Yasumitsu KUNOH ,  Yasuhiko NOMURA

IPC分类号： G02B27/18 ,  H01S5/30 ,  H01S5/20

CPC分类号： H01S5/34333 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/2004 ,  H01S5/2201 ,  H01S5/3202 ,  H01S5/3403 ,  H01S5/4087

摘要： This semiconductor laser device includes a substrate, a green semiconductor laser element, formed on a surface of the substrate, including a first active layer having a first major surface of a semipolar plane and a blue semiconductor laser element, formed on a surface of the substrate, including a second active layer having a second major surface of a surface of the semipolar plane, while the first active layer includes a first well layer having a compressive strain and having a thickness of at least about 3 nm, and the second active layer includes a second well layer having a compressive strain.

摘要翻译： 该半导体激光器件包括形成在基板的表面上的基板，绿色半导体激光元件，其包括形成在基板的表面上的具有半极性面的第一主表面的第一有源层和蓝色半导体激光元件 ，包括具有半极性表面的第二主表面的第二有源层，而第一有源层包括具有至少约3nm的厚度的压缩应变的第一阱层，并且第二有源层包括 具有压缩应变的第二阱层。