公开(公告)号：US20080061405A1

公开(公告)日：2008-03-13

申请号：US11980062

申请日：2007-10-30

申请人： Yinon Degani ,  Yu Fan ,  Charley Gao ,  Kunguan Sun ,  Liguo Sun

发明人： Yinon Degani ,  Yu Fan ,  Charley Gao ,  Kunguan Sun ,  Liguo Sun

IPC分类号： H01L23/552

CPC分类号： H01L23/552 ,  H01L23/5225 ,  H01L23/66 ,  H01L2223/6622 ,  H01L2224/16 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/19011 ,  H01L2924/19103 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/0401

摘要： The specification describes a thin film Integrated Passive Device (IPD) design that achieves isolation between conductive runners by shielding the top and bottom regions of a noisy runner with metal shield plates. The shield plates are derived from metal interconnect layers. The invention can be implemented by merely modifying the mask pattern for the metal interconnect layers. No added elements or steps are needed to fabricate the IPDs. The invention is suitable for use in Multi-Chip Modules (MCMs) or other arrangements where digital circuits and RF circuits are in close proximity.

摘要翻译： 该规范描述了一种薄膜集成无源器件（IPD）设计，通过屏蔽带有金属屏蔽板的噪声转轮的顶部和底部区域来实现导电流道之间的隔离。 屏蔽板衍生自金属互连层。 本发明可以通过仅修改金属互连层的掩模图案来实现。 不需要添加元素或步骤来制造IPD。 本发明适用于数字电路和RF电路非常接近的多芯片模块（MCM）或其他布置。

公开(公告)号：US20060255434A1

公开(公告)日：2006-11-16

申请号：US11127889

申请日：2005-05-12

申请人： Yinon Degani ,  Yu Fan ,  Charley Gao ,  Kunguan Sun ,  Liguo Sun

发明人： Yinon Degani ,  Yu Fan ,  Charley Gao ,  Kunguan Sun ,  Liguo Sun

IPC分类号： H01L23/552

CPC分类号： H01L23/552 ,  H01L23/5225 ,  H01L23/66 ,  H01L2223/6622 ,  H01L2224/16 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/19011 ,  H01L2924/19103 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/0401

摘要： The specification describes a thin film Integrated Passive Device (IPD) design that achieves isolation between conductive runners by shielding the top and bottom regions of a noisy runner with metal shielding plates. The shielding plates are derived from metal interconnect layers. The invention can be implemented by merely modifying the mask pattern for the metal interconnect layers. No added elements or steps are needed to fabricate the IPDs. The invention is suitable for use in Multi-Chip Modules (MCMs) or other arrangements where digital circuits and RF circuits are in close proximity.

摘要翻译： 该规范描述了薄膜集成无源器件（IPD）设计，通过屏蔽带有金属屏蔽板的噪声转轮的顶部和底部区域来实现导电流道之间的隔离。 屏蔽板衍生自金属互连层。 本发明可以通过仅修改金属互连层的掩模图案来实现。 不需要添加元素或步骤来制造IPD。 本发明适用于数字电路和RF电路非常接近的多芯片模块（MCM）或其他布置。

公开(公告)号：US07795709B2

公开(公告)日：2010-09-14

申请号：US11980062

申请日：2007-10-30

申请人： Yinon Degani ,  Yu Fan ,  Charley Chunlei Gao ,  Kunguan Sun ,  Liguo Sun

发明人： Yinon Degani ,  Yu Fan ,  Charley Chunlei Gao ,  Kunguan Sun ,  Liguo Sun

IPC分类号： H01L23/552

CPC分类号： H01L23/552 ,  H01L23/5225 ,  H01L23/66 ,  H01L2223/6622 ,  H01L2224/16 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/19011 ,  H01L2924/19103 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/0401

摘要： The specification describes a thin film Integrated Passive Device (IPD) design that achieves isolation between conductive runners by shielding the top and bottom regions of a noisy runner with metal shield plates. The shield plates are derived from metal interconnect layers. The invention can be implemented by merely modifying the mask pattern for the metal interconnect layers. No added elements or steps are needed to fabricate the IPDs. The invention is suitable for use in Multi-Chip Modules (MCMs) or other arrangements where digital circuits and RF circuits are in close proximity.

摘要翻译： 该规范描述了一种薄膜集成无源器件（IPD）设计，通过屏蔽带有金属屏蔽板的噪声转轮的顶部和底部区域来实现导电流道之间的隔离。 屏蔽板衍生自金属互连层。 本发明可以通过仅修改金属互连层的掩模图案来实现。 不需要添加元素或步骤来制造IPD。 本发明适用于数字电路和RF电路非常接近的多芯片模块（MCM）或其他布置。

公开(公告)号：US20070215976A1

公开(公告)日：2007-09-20

申请号：US11378106

申请日：2006-03-17

申请人： Yinon Degani ,  Yu Fan ,  Charley Gao ,  Maureen Lau ,  Kunquan Sun ,  Liguo Sun

发明人： Yinon Degani ,  Yu Fan ,  Charley Gao ,  Maureen Lau ,  Kunquan Sun ,  Liguo Sun

IPC分类号： H01L29/00 ,  H01L21/20

CPC分类号： H01L27/016 ,  H01L21/84 ,  H01L23/66 ,  H01L27/13 ,  H01L28/10 ,  H01L28/20 ,  H01L28/40 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/16 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/19011 ,  H01L2924/19103 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05599

摘要： The specification describes an integrated passive device (IPD) that is formed on a silicon substrate covered with an oxide layer. Unwanted accumulated charge at the silicon/oxide interface are rendered immobile by creating trapping centers in the silicon surface. The trapping centers are produced by a polysilicon layer interposed between the silicon substrate and the oxide layer.

摘要翻译： 该说明书描述了形成在被氧化物层覆盖的硅衬底上的集成无源器件（IPD）。 在硅/氧化物界面处的不需要的积累电荷通过在硅表面中产生捕获中心而被固定。 捕获中心由介于硅衬底和氧化物层之间的多晶硅层制成。

公开(公告)号：US20060217102A1

公开(公告)日：2006-09-28

申请号：US11085977

申请日：2005-03-22

申请人： Yinon Degani ,  Yu Fan ,  Charley Gao ,  Kunquan Sun ,  Liguo Sun ,  King Tai

发明人： Yinon Degani ,  Yu Fan ,  Charley Gao ,  Kunquan Sun ,  Liguo Sun ,  King Tai

IPC分类号： H04B1/28

CPC分类号： H01L27/016

摘要： The specification describes an integrated passive device (IPD) designed to allow implementation of cellular RF and Wi-Fi RF in a single hand held device. To address the problem of RF interference a thin film RF high rejection bandpass filter is formed in an IPD implementation. The IPD implementation preferably uses silicon as the substrate material. This allows the thin film RF high rejection bandpass filter to be made using silicon processing technology, and thus produce low cost filters that still meet stringent performance requirements demanded due to the co-existing RF units. In preferred embodiments of the invention, wafer level processing using silicon substrates adds to the cost effective manufacture of the highly functional IPDs.

摘要翻译： 该规范描述了一种集成无源设备（IPD），设计用于在单个手持设备中实现蜂窝RF和Wi-Fi RF。 为了解决RF干扰的问题，在IPD实现中形成了薄膜RF高阻抗带通滤波器。 IPD实施优选使用硅作为基底材料。 这允许使用硅处理技术制造薄膜RF高阻抗带通滤波器，并因此产生仍然满足由于共存的RF单元要求的严格性能要求的低成本滤波器。 在本发明的优选实施例中，使用硅衬底的晶片级处理增加了高性能IPD的成本有效的制造。

公开(公告)号：US07692511B2

公开(公告)日：2010-04-06

申请号：US12077811

申请日：2008-03-21

申请人： Yinon Degani ,  Yu Fan ,  Charley Chunlei Gao ,  Kunquan Sun ,  Liguo Sun ,  Jian Cheng

发明人： Yinon Degani ,  Yu Fan ,  Charley Chunlei Gao ,  Kunquan Sun ,  Liguo Sun ,  Jian Cheng

IPC分类号： H03H7/42 ,  H01P3/08

CPC分类号： H01F17/0013 ,  H01F27/2804 ,  H01F2017/0046 ,  H03H7/42

摘要： Balun transformers are described wherein multiple transformer loops are implemented in a stacked design with the primary and secondary loops overlying one another. By aligning the loops in a vertical direction, instead of offsetting the loops, the area of the device is reduced. Multiple transformer loops are nested on each level, and the transformer loops on a given level are connected together using a crossover located on a different level.

摘要翻译： 描述了平衡 - 不平衡变压器，其中多个变压器回路以堆叠设计实现，其中主回路和次级回路彼此重叠。 通过在垂直方向上对准环路，而不是抵消环路，设备的面积减小。 多个变压器回路嵌套在每个级别上，并且给定级别上的变压器环路使用位于不同级别的交叉连接在一起。

公开(公告)号：US20090237175A1

公开(公告)日：2009-09-24

申请号：US12077811

申请日：2008-03-21

申请人： Yinon Degani ,  Yu Fan ,  Charley Chunlei Gao ,  Kunquan Sun ,  Liguo Sun ,  Jian Cheng

发明人： Yinon Degani ,  Yu Fan ,  Charley Chunlei Gao ,  Kunquan Sun ,  Liguo Sun ,  Jian Cheng

IPC分类号： H03H7/42

CPC分类号： H01F17/0013 ,  H01F27/2804 ,  H01F2017/0046 ,  H03H7/42

摘要： Balun transformers are described wherein multiple transformer loops are implemented in a stacked design with the primary and secondary loops overlying one another. By aligning the loops in a vertical direction, instead of offsetting the loops, the area of the device is reduced. Multiple transformer loops are nested on each level, and the transformer loops on a given level are connected together using a crossover located on a different level.

摘要翻译： 描述了平衡 - 不平衡变压器，其中多个变压器回路以堆叠设计实现，其中主回路和次级回路彼此重叠。 通过在垂直方向上对准环路，而不是抵消环路，设备的面积减小。 多个变压器回路嵌套在每个级别上，并且给定级别上的变压器环路使用位于不同级别的交叉连接在一起。

公开(公告)号：US07936043B2

公开(公告)日：2011-05-03

申请号：US11378106

申请日：2006-03-17

申请人： Yinon Degani ,  Yu Fan ,  Charley Chunlei Gao ,  Maureen Lau ,  Kunquan Sun ,  Liguo Sun

发明人： Yinon Degani ,  Yu Fan ,  Charley Chunlei Gao ,  Maureen Lau ,  Kunquan Sun ,  Liguo Sun

IPC分类号： H01L29/00

CPC分类号： H01L27/016 ,  H01L21/84 ,  H01L23/66 ,  H01L27/13 ,  H01L28/10 ,  H01L28/20 ,  H01L28/40 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/16 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/19011 ,  H01L2924/19103 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05599

摘要： The specification describes an integrated passive device (IPD) that is formed on a silicon substrate covered with an oxide layer. Unwanted accumulated charge at the silicon/oxide interface are rendered immobile by creating trapping centers in the silicon surface. The trapping centers are produced by a polysilicon layer interposed between the silicon substrate and the oxide layer.

摘要翻译： 该说明书描述了形成在被氧化物层覆盖的硅衬底上的集成无源器件（IPD）。 在硅/氧化物界面处的不需要的积累电荷通过在硅表面中产生捕获中心而被固定。 捕获中心由介于硅衬底和氧化物层之间的多晶硅层制成。

公开(公告)号：US20090184416A1

公开(公告)日：2009-07-23

申请号：US12009805

申请日：2008-01-22

申请人： Yinon Degani ,  Yu Fan ,  Charley Chunlei Gao ,  Kunquan Sun ,  Liquo Sun

发明人： Yinon Degani ,  Yu Fan ,  Charley Chunlei Gao ,  Kunquan Sun ,  Liquo Sun

IPC分类号： H01L23/36 ,  H01L21/58

CPC分类号： H01L25/16 ,  H01L23/66 ,  H01L2223/6672 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15321 ,  H01L2924/19103 ,  H01L2924/19104

摘要： An RF/IPD package with improved thermal management is described. The IPD substrate is attached to a system substrate with a thin RF chip mounted in the standoff between the IPD substrate and the system substrate. RF interconnections are made between the top of the RF chip and the bottom of the IPD substrate. Heat sinking is provided by bonding a heat sink layer on the RF chip to a heat sink layer on the system substrate. The heat sink may also serve as a ground plane connection. Combinations of other types of integrated devices may be fabricated using this approach.

摘要翻译： 描述了具有改进的热管理的RF / IPD封装。 IPD基板通过安装在IPD基板和系统基板之间的支架中的薄RF芯片连接到系统基板。 在RF芯片的顶部和IPD基板的底部之间形成RF互连。 通过将RF芯片上的散热层结合到系统基板上的散热层来提供散热。 散热器也可以用作接地平面连接。 可以使用这种方法来组合其他类型的集成装置。

公开(公告)号：US07355264B2

公开(公告)日：2008-04-08

申请号：US11520254

申请日：2006-09-13

申请人： Yinon Degani ,  Yinchao Chen ,  Yu Fan ,  Charley Chunlei Gao ,  Kunquan Sun ,  Liquo Sun

发明人： Yinon Degani ,  Yinchao Chen ,  Yu Fan ,  Charley Chunlei Gao ,  Kunquan Sun ,  Liquo Sun

IPC分类号： H01L23/48

CPC分类号： H01F17/0006 ,  H01F2017/002 ,  H01F2017/0086 ,  H01L27/0641 ,  H01L28/10 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： The specification describes flip bonded dual substrate inductors wherein a portion of the inductor is constructed on a base IPD substrate, a mating portion of the inductor is constructed on a cover (second) substrate. The cover substrate is then flip bonded to the base substrate, thus mating the two portions of the inductor. Using this approach, a two level inductor can be constructed without using a multilevel substrate. Using two two-level substrates yields a four-level flip bonded dual substrate inductor.

摘要翻译： 该说明书描述了翻转接合双衬底电感器，其中电感器的一部分构造在基底IPD衬底上，电感器的配合部分构造在覆盖（第二）衬底上。 然后将覆盖基板翻转接合到基底基板，从而将电感器的两部分配合。 使用这种方法，可以在不使用多层衬底的情况下构建双电平电感器。 使用两个两级基板产生四电平翻转接合双基板电感。