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    Sulfonium salts and chemically amplified positive resist compositions
    1.
    发明授权
    Sulfonium salts and chemically amplified positive resist compositions 失效
    锍盐和化学增幅阳性抗蚀剂组合物

    公开(公告)号：US5880169A

    公开(公告)日：1999-03-09

    申请号：US742324

    申请日：1996-11-01

    申请人： Yoichi Osawa ,  Satoshi Watanabe ,  Katsuya Takemura ,  Shigehiro Nagura ,  Akinobu Tanaka ,  Yoshio Kawai

    发明人： Yoichi Osawa ,  Satoshi Watanabe ,  Katsuya Takemura ,  Shigehiro Nagura ,  Akinobu Tanaka ,  Yoshio Kawai

    IPC分类号： G03F7/004 ,  G03F7/039 ,  G03F7/038

    CPC分类号： G03F7/0045

    摘要： The invention provides a novel sulfonium salt having at least one acid labile group attached to a phenyl group in a molecule and a normal, branched or cyclic C.sub.1 -C.sub.20 alkylsulfonate anion. The novel sulfonium salt is effective for increasing the dissolution contrast between exposed and unexposed areas. Upon exposure, it generates an alkylsulfonic acid which is a weak acid, minimizing the influence of side reaction and deactivation during PEB step. The sulfonium salt is useful in a chemically amplified positive resist composition which lends itself to fine patterning and features high resolution.

    摘要翻译： 本发明提供了一种新的锍盐，其具有至少一个与分子中的苯基连接的酸不稳定基团以及正，支链或环状的C 1 -C 20烷基磺酸根阴离子。 新型锍盐对于增加曝光和未曝光区域之间的溶解度对比是有效的。 暴露后，产生弱酸的烷基磺酸，使PEB步骤中副反应和失活的影响最小化。 锍盐可用于化学放大的正性抗蚀剂组合物，其具有精细的图案化并具有高分辨率。

    Chemically amplified positive resist compositions
    3.
    发明授权
    Chemically amplified positive resist compositions 失效
    化学扩增的正性抗蚀剂组合物

    公开(公告)号：US5972559A

    公开(公告)日：1999-10-26

    申请号：US884503

    申请日：1997-06-27

    申请人： Satoshi Watanabe ,  Katsuya Takemura ,  Shigehiro Nagura

    发明人： Satoshi Watanabe ,  Katsuya Takemura ,  Shigehiro Nagura

    IPC分类号： G03F7/004 ,  G03F7/039 ,  H01L21/027

    CPC分类号： G03F7/039 ,  G03F7/0045 ,  Y10S430/106

    摘要： A chemically amplified positive resist composition is prepared by blending (A) an organic solvent, (B) a base resin in the form of a polyhydroxystyrene having some hydroxyl groups replaced by acid labile groups and a Mw of 3,000-300,000, (C) a photoacid generator, and (D) an aromatic compound having a group: --R.sup.13 --COOH in a molecule. The resist composition is sensitive to actinic radiation, especially KrF excimer laser and X-ray, has high sensitivity, resolution, and plasma etching resistance, and is effective for improving the footing and PED on nitride substrates.

    摘要翻译： 通过将（A）有机溶剂，（B）具有由酸不稳定基团取代的一些羟基的聚羟基苯乙烯形式的基础树脂和3,000-300,000的Mw（C）共混制备化学放大正性抗蚀剂组合物 光生酸发生剂，（D）分子中具有-R13-COOH基团的芳香族化合物。 抗蚀剂组合物对光化辐射敏感，特别是KrF准分子激光和X射线，具有高灵敏度，分辨率和等离子体耐蚀刻性，对于改善氮化物衬底上的基脚和PED是有效的。

    Positive resist composition
    5.
    发明授权
    Positive resist composition 失效
    正抗蚀剂组成

    公开(公告)号：US5612170A

    公开(公告)日：1997-03-18

    申请号：US569659

    申请日：1995-12-08

    申请人： Katsuya Takemura ,  Junji Tsuchiya ,  Toshinobu Ishihara ,  Akinobu Tanaka ,  Yoshio Kawai ,  Jiro Nakamura

    发明人： Katsuya Takemura ,  Junji Tsuchiya ,  Toshinobu Ishihara ,  Akinobu Tanaka ,  Yoshio Kawai ,  Jiro Nakamura

    IPC分类号： G03F7/004 ,  G03F7/075 ,  G03C1/73

    CPC分类号： G03F7/0045 ,  G03F7/0755 ,  G03F7/0757 ,  Y10S430/115 ,  Y10S430/122

    摘要： A positive resist composition based on a silicone polymer contains a photo acid generator which will decompose to generate an acid upon exposure to radiation. The silicone polymer includes hydroxybenzyl units wherein some OH groups are replaced by t-butoxycarbonyl, t-butoxycarbonylmethyl, trimethylsilyl or tetrahydropyranyl groups. In a first form, the photo acid generator is a specific onium salt having at least one phenyl group with a t-alkoxy, t-butoxycarbonyloxy or t-butoxycarbonylmethoxy substituent. In a second form, the composition further contains a nitrogenous compound. In a third form, the composition further contains a dissolution inhibitor in the form of a specific silicone compound. The composition is sensitive to high energy radiation and has high sensitivity and resolution.

    摘要翻译： 基于有机硅聚合物的正型抗蚀剂组合物含有光致酸产生剂，其将在暴露于辐射时分解产生酸。 有机硅聚合物包括其中一些OH基被叔丁氧基羰基，叔丁氧基羰基甲基，三甲基甲硅烷基或四氢吡喃基代替的羟基苄基单元。 在第一种形式中，光酸产生剂是具有至少一个具有叔烷氧基，叔丁氧基羰基氧基或叔丁氧基羰基甲氧基取代基的苯基的特定鎓盐。 在第二种形式中，组合物还含有含氮化合物。 在第三种形式中，组合物还含有特定硅氧烷化合物形式的溶解抑制剂。 该成分对高能辐射敏感，灵敏度高，分辨率高。

    Patterning process
    8.
    发明授权
    Patterning process 有权
    图案化过程

    公开(公告)号：US08741548B2

    公开(公告)日：2014-06-03

    申请号：US12194129

    申请日：2008-08-19

    申请人： Jun Hatakeyama ,  Takao Yoshihara ,  Katsuya Takemura ,  Yoshio Kawai

    发明人： Jun Hatakeyama ,  Takao Yoshihara ,  Katsuya Takemura ,  Yoshio Kawai

    IPC分类号： G03F7/30 ,  G03F7/40 ,  G03F7/38 ,  G03F7/039

    CPC分类号： G03F7/40 ,  G03F7/0035 ,  G03F7/0397 ,  G03F7/2041 ,  G03F7/38 ,  H01L21/0274 ,  H01L21/3081 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/32139

    摘要： A pattern is formed by applying a first positive resist composition onto a substrate, heat treatment, exposure, heat treatment and development to form a first resist pattern; causing the first resist pattern to crosslink and cure by irradiation of high-energy radiation of up to 180 nm wavelength or EB; further applying a second positive resist composition onto the substrate, heat treatment, exposure, heat treatment and development to form a second resist pattern. The double patterning process reduces the pitch between patterns to one half.

    摘要翻译： 通过将第一正性抗蚀剂组合物施加到基材上，热处理，曝光，热处理和显影以形成第一抗蚀剂图案而形成图案; 使得第一抗蚀剂图案通过辐射高达180nm波长或EB的高能量辐射而交联和固化; 进一步将第二正性抗蚀剂组合物施加到基材上，进行热处理，曝光，热处理和显影以形成第二抗蚀剂图案。 双重图案化工艺将图案之间的间距缩小到一半。

    Patterning process and resist composition
    9.
    发明授权
    Patterning process and resist composition 有权
    图案化过程和抗蚀剂组成

    公开(公告)号：US07741015B2

    公开(公告)日：2010-06-22

    申请号：US12029940

    申请日：2008-02-12

    申请人： Jun Hatakeyama ,  Takao Yoshihara ,  Takeshi Kinsho ,  Koji Hasegawa ,  Yoshio Kawai ,  Katsuya Takemura

    发明人： Jun Hatakeyama ,  Takao Yoshihara ,  Takeshi Kinsho ,  Koji Hasegawa ,  Yoshio Kawai ,  Katsuya Takemura

    IPC分类号： G03F7/004 ,  G03F7/30

    CPC分类号： G03F7/0035 ,  G03F7/0397 ,  Y10S430/111 ,  Y10S430/12 ,  Y10S430/121 ,  Y10S430/122 ,  Y10S430/123

    摘要： A pattern is formed by applying a positive resist composition comprising a polymer comprising 7-oxanorbornane ring-bearing recurring units and acid labile group-bearing recurring units and an acid generator onto a substrate to form a resist film, heat treating and exposing the resist film to radiation, heat treating and developing the resist film with a developer, and causing the resist film to crosslink and cure with the aid of acid and/or heat. A second resist pattern is then formed in the space area of the first resist pattern. The double patterning process reduces the pitch between patterns to one half.

    摘要翻译： 通过在基材上涂布含有包含含有7-氧代降冰片烷环的重复单元和含酸不稳定基团的重复单元的聚合物和酸产生剂的正性抗蚀剂组合物形成抗蚀剂膜，对抗蚀剂膜进行热处理和曝光来形成图案 用显影剂进行辐射，热处理和显影抗蚀剂膜，并使抗蚀剂膜在酸和/或热的帮助下交联和固化。 然后在第一抗蚀剂图案的空间区域中形成第二抗蚀剂图案。 双重图案化工艺将图案之间的间距缩小到一半。