利索-全球专利检索

  1. 登录
  2. 注册

搜索结果

18 条记录 (耗时 0.018 秒)

    Photodetector and production method thereof
    1.
    发明授权
    Photodetector and production method thereof 有权
    光电检测器及其制造方法

    公开(公告)号：US07875906B2

    公开(公告)日：2011-01-25

    申请号：US12163039

    申请日：2008-06-27

    申请人： Youichi Nagai ,  Yasuhiro Iguchi ,  Kouhei Miura

    发明人： Youichi Nagai ,  Yasuhiro Iguchi ,  Kouhei Miura

    IPC分类号： H01L31/107

    CPC分类号： H01L27/14643 ,  H01L27/14694 ,  H01L31/101 ,  H01L31/184 ,  Y02E10/544 ,  Y02P70/521

    摘要： The invention offers a photodetector that has an N-containing InGaAs-based absorption layer having a sensitivity in the near-infrared region and that suppresses the dark current and a production method thereof. The photodetector is provided with an InP substrate 1, an N-containing InGaAs-based absorption layer 3 positioned above the InP substrate 1, a window layer 5 positioned above the N-containing InGaAs-based absorption layer 3, and an InGaAs buffer layer 4 positioned between the N-containing InGaAs-based absorption layer 3 and the window layer 5.

    摘要翻译： 本发明提供了一种具有在近红外区域具有灵敏度并且抑制暗电流的含N的InGaAs基吸收层的光电检测器及其制造方法。 光电检测器设置有InP基板1，位于InP基板1上方的含有N的InGaAs基吸收层3，位于含N的InGaAs基吸收层3上方的窗口层5和InGaAs缓冲层4 位于含N的InGaAs基吸收层3和窗口层5之间。

    PHOTODETECTOR AND PRODUCTION METHOD THEREOF
    5.
    发明申请
    PHOTODETECTOR AND PRODUCTION METHOD THEREOF 有权
    光电及其生产方法

    公开(公告)号：US20090001412A1

    公开(公告)日：2009-01-01

    申请号：US12163039

    申请日：2008-06-27

    申请人： Youichi Nagai ,  Yasuhiro Iguchi ,  Kouhei Miura

    发明人： Youichi Nagai ,  Yasuhiro Iguchi ,  Kouhei Miura

    IPC分类号： H01L31/0336 ,  H01L31/18

    CPC分类号： H01L27/14643 ,  H01L27/14694 ,  H01L31/101 ,  H01L31/184 ,  Y02E10/544 ,  Y02P70/521

    摘要： The invention offers a photodetector that has an N-containing InGaAs-based absorption layer having a sensitivity in the near-infrared region and that suppresses the dark current and a production method thereof. The photodetector is provided with an InP substrate 1, an N-containing InGaAs-based absorption layer 3 positioned above the InP substrate 1, a window layer 5 positioned above the N-containing InGaAs-based absorption layer 3, and an InGaAs buffer layer 4 positioned between the N-containing InGaAs-based absorption layer 3 and the window layer 5.

    摘要翻译： 本发明提供了一种具有在近红外区域具有灵敏度并且抑制暗电流的含N的InGaAs基吸收层的光电检测器及其制造方法。 光电检测器设置有InP基板1，位于InP基板1上方的含有N的InGaAs基吸收层3，位于含N的InGaAs基吸收层3上方的窗口层5和InGaAs缓冲层4 位于含N的InGaAs基吸收层3和窗口层5之间。

    Group III Nitride Semiconductor Device and Epitaxial Substrate
    7.
    发明申请
    Group III Nitride Semiconductor Device and Epitaxial Substrate 审中-公开
    第III族氮化物半导体器件和外延衬底

    公开(公告)号：US20080265258A1

    公开(公告)日：2008-10-30

    申请号：US11569066

    申请日：2006-03-03

    申请人： Tatsuya Tanabe ,  Makoto Kiyama ,  Kouhei Miura ,  Takashi Sakurada

    发明人： Tatsuya Tanabe ,  Makoto Kiyama ,  Kouhei Miura ,  Takashi Sakurada

    IPC分类号： H01L29/205 ,  H01L29/778

    CPC分类号： H01L29/66462 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02587 ,  H01L29/7787

    摘要： Affords Group III nitride semiconductor devices in which the leakage current from the Schottky electrode can be decreased. In a high electron mobility transistor 1, a supporting substrate 3 is composed of AlN, AlGaN, or GaN. An AlyGa1-yN epitaxial layer 5 has a surface roughness (RMS) of 0.25 mm or less, wherein the surface roughness is defined by a square area measuring 1 μm per side. A GaN epitaxial layer 7 is provided between the AlyGa1-yN supporting substrate 3 and the AlyGa1-yN epitaxial layer 5. A Schottky electrode 9 is provided on the AlyGa1-yN epitaxial layer 5. A first ohmic electrode 11 is provided on the AlyGa1-yN epitaxial layer 5. A second ohmic electrode 13 is provided on the AlyGa1-yN epitaxial layer 5. One of the first and second ohmic electrodes 11 and 13 constitutes a source electrode, and the other constitutes a drain electrode. The Schottky electrode 9 constitutes a gate electrode of the high electron mobility transistor 1.

    摘要翻译： 提供可以减少来自肖特基电极的漏电流的III族氮化物半导体器件。 在高电子迁移率晶体管1中，支撑基板3由AlN，AlGaN或GaN构成。 Al钇1-y N外延层5具有0.25mm或更小的表面粗糙度（RMS），其中表面粗糙度由测量1的正方形面积 妈妈每边。 在AlGaN外延层7之间设置有支撑衬底3的Al 1 Y y-N支撑衬底和Al 1 Al- 在N外延层5上设置肖特基电极9.设置第一欧姆电极11和第一欧姆电极11。 在Al钇1-y N外延层5上。第二欧姆电极13设置在Al钇1 Ga -Y / N外延层5.第一和第二欧姆电极11和13中的一个构成源电极，另一个构成漏电极。 肖特基电极9构成高电子迁移率晶体管1的栅电极。

    Group III nitride semiconductor device and epitaxial substrate
    8.
    发明授权
    Group III nitride semiconductor device and epitaxial substrate 有权
    III族氮化物半导体器件和外延衬底

    公开(公告)号：US08410524B2

    公开(公告)日：2013-04-02

    申请号：US11569500

    申请日：2006-03-06

    申请人： Tatsuya Tanabe ,  Kouhei Miura ,  Makoto Kiyama ,  Takashi Sakurada

    发明人： Tatsuya Tanabe ,  Kouhei Miura ,  Makoto Kiyama ,  Takashi Sakurada

    IPC分类号： H01L29/66

    CPC分类号： H01L29/7787 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L29/2003

    摘要： Affords Group III nitride semiconductor devices in which the leakage current from the Schottky electrode can be reduced. In a high electron mobility transistor 11, a supporting substrate 13 is composed of AlN, AlGaN, or GaN, specifically. An AlYGa1−YN epitaxial layer 15 has a full-width-at-half maximum of (0002) plane XRD of 150 sec or less. A GaN epitaxial layer 17 is provided between the gallium nitride supporting substrate and the AlYGa1−YN epitaxial layer (0

    摘要翻译： 提供可以减少来自肖特基电极的漏电流的III族氮化物半导体器件。 在高电子迁移率晶体管11中，支撑衬底13具体地由AlN，AlGaN或GaN构成。 AlYGa1-YN外延层15具有150秒或更小的（0002）面XRD的全宽度的最大值。 在氮化镓支撑衬底和AlYGa1-YN外延层（0

    Vertical gallium nitride semiconductor device and epitaxial substrate
    9.
    发明授权
    Vertical gallium nitride semiconductor device and epitaxial substrate 有权
    垂直氮化镓半导体器件和外延衬底

    公开(公告)号：US07872285B2

    公开(公告)日：2011-01-18

    申请号：US11569798

    申请日：2006-03-01

    申请人： Shin Hashimoto ,  Makoto Kiyama ,  Tatsuya Tanabe ,  Kouhei Miura ,  Takashi Sakurada

    发明人： Shin Hashimoto ,  Makoto Kiyama ,  Tatsuya Tanabe ,  Kouhei Miura ,  Takashi Sakurada

    IPC分类号： H01L29/66 ,  H01L29/207 ,  H01L29/20

    CPC分类号： H01L29/7802 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/8611 ,  H01L29/872

    摘要： Affords epitaxial substrates for vertical gallium nitride semiconductor devices that have a structure in which a gallium nitride film of n-type having a desired low carrier concentration can be provided on a gallium nitride substrate of n type. A gallium nitride epitaxial film (65) is provided on a gallium nitride substrate (63). A layer region (67) is provided in the gallium nitride substrate (63) and the gallium nitride epitaxial film (65). An interface between the gallium nitride substrate (43) and the gallium nitride epitaxial film (65) is positioned in the layer region (67). In the layer region (67), a peak value of donor impurity along an axis from the gallium nitride substrate (63) to the gallium nitride epitaxial film (65) is 1×1018 cm−3 or more. The donor impurity is at least either silicon or germanium.

    摘要翻译： 提供具有这样的结构的垂直氮化镓半导体器件的外延衬底，其中可以在n型氮化镓衬底上提供具有期望的低载流子浓度的n型氮化镓膜。 氮化镓外延膜（65）设置在氮化镓衬底（63）上。 在氮化镓衬底（63）和氮化镓外延膜（65）中设置一个层区（67）。 氮化镓衬底（43）和氮化镓外延膜（65）之间的界面位于层区（67）中。 在层区域（67）中，供体杂质从氮化镓衬底（63）到氮化镓外延膜（65）的峰的峰值为1×1018cm-3以上。 供体杂质至少是硅或锗。

    High Electron Mobility Transistor, Field-Effect Transistor, and Epitaxial Substrate
    10.
    发明申请
    High Electron Mobility Transistor, Field-Effect Transistor, and Epitaxial Substrate 有权
    高电子迁移率晶体管，场效应晶体管和外延基板

    公开(公告)号：US20100230723A1

    公开(公告)日：2010-09-16

    申请号：US12786440

    申请日：2010-05-25

    申请人： Shin Hashimoto ,  Makoto Kiyama ,  Takashi Sakurada ,  Tatsuya Tanabe ,  Kouhei Miura ,  Tomihito Miyazaki

    发明人： Shin Hashimoto ,  Makoto Kiyama ,  Takashi Sakurada ,  Tatsuya Tanabe ,  Kouhei Miura ,  Tomihito Miyazaki

    IPC分类号： H01L29/778 ,  H01L29/12

    CPC分类号： H01L29/7787 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02573 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/66462

    摘要： Affords high electron mobility transistors having a high-purity channel layer and a high-resistance buffer layer. A high electron mobility transistor (11) is provided with a supporting substrate (13) composed of gallium nitride, a buffer layer (15) composed of a first gallium nitride semiconductor, a channel layer (17) composed of a second gallium nitride semiconductor, a semiconductor layer (19) composed of a third gallium nitride semiconductor, and electrode structures (a gate electrode (21), a source electrode (23) and a drain electrode (25)) for the transistor (11). The band gap of the third gallium nitride semiconductor is broader than that of the second gallium nitride semiconductor. The carbon concentration NC1 of the first gallium nitride semiconductor is 4×1017 cm−3 or more. The carbon concentration NC2 of the second gallium nitride semiconductor is less than 4×1016 cm−3.

    摘要翻译： 提供具有高纯度沟道层和高电阻缓冲层的高电子迁移率晶体管。 高电子迁移率晶体管（11）设置有由氮化镓构成的支撑衬底（13），由第一氮化镓半导体构成的缓冲层（15），由第二氮化镓半导体构成的沟道层（17） 由第三氮化镓半导体构成的半导体层（19）和用于晶体管（11）的电极结构（栅电极（21），源电极（23）和漏电极（25））。 第三氮化镓半导体的带隙比第二氮化镓半导体的带隙宽。 第一氮化镓半导体的碳浓度NC1为4×1017cm-3以上。 第二氮化镓半导体的碳浓度NC2小于4×1016cm-3。