公开(公告)号：US20090072719A1

公开(公告)日：2009-03-19

申请号：US12078405

申请日：2008-03-31

申请人： Young-nam Kwon ,  Young-gu Lee ,  Jong-jin Park ,  Hyung-ik Lee ,  Sung Heo

发明人： Young-nam Kwon ,  Young-gu Lee ,  Jong-jin Park ,  Hyung-ik Lee ,  Sung Heo

IPC分类号： H01J1/63 ,  B32B7/02 ,  B32B9/00 ,  B32B27/36 ,  B32B27/40 ,  B32B27/08

CPC分类号： H05B33/22 ,  H01L23/3192 ,  H01L51/5256 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/12044 ,  Y10T428/26 ,  Y10T428/31507 ,  Y10T428/31721 ,  H01L2924/00

摘要： Example embodiments relate to a passivation film for protecting an electronic device. The passivation film may include a myelin layer. The myelin layer may have a thickness of about 100 Å to 10 μm. The passivation film may further include an inorganic film. Example embodiments also relate to an electronic display device including a substrate, an organic light-emitting device (OLED) disposed on the substrate, and a myelin layer disposed on the organic light-emitting device. A plurality of myelin layers and a plurality of inorganic films may be alternately stacked on the organic light-emitting device in lieu of a single myelin layer.

摘要翻译： 示例实施例涉及用于保护电子设备的钝化膜。 钝化膜可以包括髓磷脂层。 髓磷脂层可以具有约100至10um的厚度。 钝化膜还可以包括无机膜。 示例性实施例还涉及包括衬底，设置在衬底上的有机发光器件（OLED）和设置在有机发光器件上的髓磷脂层的电子显示器件。 多个髓鞘层和多个无机膜可以交替堆叠在有机发光装置上以代替单个髓磷脂层。

公开(公告)号：US20110001183A1

公开(公告)日：2011-01-06

申请号：US12659357

申请日：2010-03-05

申请人： Dong-Chul Yoo ,  Eun-Ha Lee ,  Hyung-Ik Lee ,  Ki-Hyun Hwang ,  Sung Heo ,  Han-Mei Choi ,  Yong-Koo Kyoung ,  Byong-Ju Kim

发明人： Dong-Chul Yoo ,  Eun-Ha Lee ,  Hyung-Ik Lee ,  Ki-Hyun Hwang ,  Sung Heo ,  Han-Mei Choi ,  Yong-Koo Kyoung ,  Byong-Ju Kim

IPC分类号： H01L29/792 ,  H01L21/28

CPC分类号： H01L27/11568 ,  H01L21/02145 ,  H01L21/022 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/28282 ,  H01L21/3141 ,  H01L27/11521

摘要： A memory device and a method of fabricating the same are provided. The memory device includes a tunneling dielectric layer on a substrate, a charge storage layer on the tunneling dielectric layer, a blocking dielectric layer on the charge storage layer, the blocking dielectric layer including a first dielectric layer having silicon oxide, a second dielectric layer on the first dielectric layer and having aluminum silicate, and a third dielectric layer formed on the second dielectric layer and having aluminum oxide, and an upper electrode on the blocking dielectric layer.

摘要翻译： 提供了一种存储器件及其制造方法。 存储器件包括在衬底上的隧道电介质层，隧道电介质层上的电荷存储层，电荷存储层上的阻挡介电层，阻挡电介质层包括具有氧化硅的第一电介质层， 所述第一电介质层具有硅酸铝，以及形成在所述第二电介质层上并具有氧化铝的第三电介质层和所述阻挡电介质层上的上电极。

公开(公告)号：US08294198B2

公开(公告)日：2012-10-23

申请号：US12704312

申请日：2010-02-11

申请人： Dong-Chul Yoo ,  Eun-Ha Lee ,  Byong-Ju Kim ,  Hyung-Ik Lee ,  Sung Heo ,  Han-Mei Choi ,  Chan-Hee Park ,  Ki-Hyun Hwang

发明人： Dong-Chul Yoo ,  Eun-Ha Lee ,  Byong-Ju Kim ,  Hyung-Ik Lee ,  Sung Heo ,  Han-Mei Choi ,  Chan-Hee Park ,  Ki-Hyun Hwang

IPC分类号： H01L29/72

CPC分类号： H01L29/792 ,  H01L21/7605 ,  H01L21/7607 ,  H01L21/76224 ,  H01L27/11565 ,  H01L27/11568 ,  H01L29/4234

摘要： A semiconductor integrated circuit device is provided. The semiconductor integrated circuit device includes a plurality of isolation regions which are formed within a semiconductor substrate and define active regions. A tunnel layer and a trap seed layer are formed in each of the active regions and are sequentially stacked between the isolation regions. A trap layer is formed on the trap seed layer and protrudes further than a top surface of each of the isolation regions. A blocking layer is formed on the trap layer. A gate electrode is formed on the blocking layer.

摘要翻译： 提供了一种半导体集成电路器件。 半导体集成电路器件包括形成在半导体衬底内并限定有源区的多个隔离区。 在每个有源区域中形成隧道层和陷阱种子层，并且依次堆叠在隔离区域之间。 陷阱层形成在捕获种子层上并且比每个隔离区的顶表面更突出。 在捕获层上形成阻挡层。 在阻挡层上形成栅电极。

公开(公告)号：US08440527B2

公开(公告)日：2013-05-14

申请号：US12659357

申请日：2010-03-05

申请人： Dong-Chul Yoo ,  Eun-Ha Lee ,  Hyung-Ik Lee ,  Ki-Hyun Hwang ,  Sung Heo ,  Han-Mei Choi ,  Yong-Koo Kyoung ,  Byong-Ju Kim

发明人： Dong-Chul Yoo ,  Eun-Ha Lee ,  Hyung-Ik Lee ,  Ki-Hyun Hwang ,  Sung Heo ,  Han-Mei Choi ,  Yong-Koo Kyoung ,  Byong-Ju Kim

IPC分类号： H01L29/788 ,  H01L29/792 ,  H01L29/66 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L27/11568 ,  H01L21/02145 ,  H01L21/022 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/28282 ,  H01L21/3141 ,  H01L27/11521

摘要： A memory device and a method of fabricating the same are provided. The memory device includes a tunneling dielectric layer on a substrate, a charge storage layer on the tunneling dielectric layer, a blocking dielectric layer on the charge storage layer, the blocking dielectric layer including a first dielectric layer having silicon oxide, a second dielectric layer on the first dielectric layer and having aluminum silicate, and a third dielectric layer formed on the second dielectric layer and having aluminum oxide, and an upper electrode on the blocking dielectric layer.

摘要翻译： 提供了一种存储器件及其制造方法。 存储器件包括在衬底上的隧道电介质层，隧道电介质层上的电荷存储层，电荷存储层上的阻挡介电层，阻挡电介质层包括具有氧化硅的第一电介质层， 所述第一电介质层具有硅酸铝，以及形成在所述第二电介质层上并具有氧化铝的第三电介质层和所述阻挡电介质层上的上电极。

公开(公告)号：US20100200907A1

公开(公告)日：2010-08-12

申请号：US12704312

申请日：2010-02-11

申请人： Dong Chul Yoo ,  Eun-Ha Lee ,  Byong-Ju Kim ,  Hyung-Ik Lee ,  Sung Heo ,  Han-Mei Choi ,  Chan-Hee Park ,  Ki-Hyun Hwang

发明人： Dong Chul Yoo ,  Eun-Ha Lee ,  Byong-Ju Kim ,  Hyung-Ik Lee ,  Sung Heo ,  Han-Mei Choi ,  Chan-Hee Park ,  Ki-Hyun Hwang

IPC分类号： H01L29/792 ,  H01L21/762 ,  H01L21/28

CPC分类号： H01L29/792 ,  H01L21/7605 ,  H01L21/7607 ,  H01L21/76224 ,  H01L27/11565 ,  H01L27/11568 ,  H01L29/4234

摘要： A semiconductor integrated circuit device is provided. The semiconductor integrated circuit device includes a plurality of isolation regions which are formed within a semiconductor substrate and define active regions. A tunnel layer and a trap seed layer are formed in each of the active regions and are sequentially stacked between the isolation regions. A trap layer is formed on the trap seed layer and protrudes further than a top surface of each of the isolation regions. A blocking layer is formed on the trap layer. A gate electrode is formed on the blocking layer.

摘要翻译： 提供了一种半导体集成电路器件。 半导体集成电路器件包括形成在半导体衬底内并限定有源区的多个隔离区。 在每个有源区域中形成隧道层和陷阱种子层，并且依次堆叠在隔离区域之间。 陷阱层形成在捕获种子层上并且比每个隔离区的顶表面进一步突出。 在捕获层上形成阻挡层。 在阻挡层上形成栅电极。

公开(公告)号：US08115189B2

公开(公告)日：2012-02-14

申请号：US12434117

申请日：2009-05-01

申请人： Gyeongsu Park ,  Eunkyung Lee ,  Jaehak Lee ,  Byounglyong Choi ,  Jaegwan Chung ,  Sung Heo

发明人： Gyeongsu Park ,  Eunkyung Lee ,  Jaehak Lee ,  Byounglyong Choi ,  Jaegwan Chung ,  Sung Heo

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L29/00 ,  H01L47/00 ,  H01L31/00 ,  H01L21/31 ,  H01L21/469 ,  G02B6/036 ,  G02B6/02

CPC分类号： H01L29/0665 ,  B82Y10/00 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/0676 ,  H01L31/03529 ,  Y02E10/50 ,  Y10S977/762 ,  Y10S977/774

摘要： Provided are a silica nanowire that includes silicon nanodots and a method of preparing the same. The silica nanowire has excellent capacitance characteristics and improved light absorption ability, and thus can be effectively used in a variety of fields, such as various semiconductor devices including CTF memory, image sensors, photodetectors, light emitting diodes, laser diodes, and the like.

摘要翻译： 提供了包含硅纳米点的二氧化硅纳米线及其制备方法。 二氧化硅纳米线具有优异的电容特性和光吸收能力的改善，因此可以有效地用于各种领域，例如包括CTF存储器，图像传感器，光电检测器，发光二极管，激光二极管等的各种半导体器件。

公开(公告)号：US20080203488A1

公开(公告)日：2008-08-28

申请号：US12007433

申请日：2008-01-10

申请人： Young-su Chung ,  Hyung-suk Jung ,  Sung Heo ,  Hion-suck Baik

发明人： Young-su Chung ,  Hyung-suk Jung ,  Sung Heo ,  Hion-suck Baik

IPC分类号： H01L29/00 ,  H01L21/8238

CPC分类号： H01L29/517 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/823842 ,  H01L29/4966

摘要： Example embodiments provide a complementary metal-oxide semiconductor (CMOS) semiconductor device and a method of fabricating the CMOS semiconductor device. The CMOS semiconductor device may include gates in the nMOS and pMOS areas, polycrystalline silicon (poly-Si) capping layers, metal nitride layers underneath the poly-Si capping layers, and a gate insulating layer underneath the gate. The metal nitride layers of the nMOS and pMOS areas may be formed of the same type of material and may have different work functions. Since a metal gate is formed of identical types of metal nitride layers, a process may be simplified, yield may be increased, and a higher-performance CMOS semiconductor device may be obtained.

摘要翻译： 示例性实施例提供互补金属氧化物半导体（CMOS）半导体器件和制造CMOS半导体器件的方法。 CMOS半导体器件可以包括nMOS和pMOS区域中的栅极，多晶硅（多晶硅）覆盖层，多晶硅覆盖层下面的金属氮化物层以及栅极下方的栅极绝缘层。 nMOS和pMOS区域的金属氮化物层可以由相同类型的材料形成，并且可以具有不同的功函数。 由于金属栅极由相同类型的金属氮化物层形成，所以可以简化工艺，可以提高产率，并且可以获得更高性能的CMOS半导体器件。

公开(公告)号：US07919820B2

公开(公告)日：2011-04-05

申请号：US12007433

申请日：2008-01-10

申请人： Young-su Chung ,  Hyung-suk Jung ,  Sung Heo ,  Hion-suck Baik

发明人： Young-su Chung ,  Hyung-suk Jung ,  Sung Heo ,  Hion-suck Baik

IPC分类号： H01L29/00

CPC分类号： H01L29/517 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/823842 ,  H01L29/4966

摘要： Example embodiments provide a complementary metal-oxide semiconductor (CMOS) semiconductor device and a method of fabricating the CMOS semiconductor device. The CMOS semiconductor device may include gates in the nMOS and pMOS areas, polycrystalline silicon (poly-Si) capping layers, metal nitride layers underneath the poly-Si capping layers, and a gate insulating layer underneath the gate. The metal nitride layers of the nMOS and pMOS areas may be formed of the same type of material and may have different work functions. Since a metal gate is formed of identical types of metal nitride layers, a process may be simplified, yield may be increased, and a higher-performance CMOS semiconductor device may be obtained.

摘要翻译： 示例性实施例提供互补金属氧化物半导体（CMOS）半导体器件和制造CMOS半导体器件的方法。 CMOS半导体器件可以包括nMOS和pMOS区域中的栅极，多晶硅（多晶硅）覆盖层，多晶硅覆盖层下面的金属氮化物层以及栅极下方的栅极绝缘层。 nMOS和pMOS区域的金属氮化物层可以由相同类型的材料形成，并且可以具有不同的功函数。 由于金属栅极由相同类型的金属氮化物层形成，所以可以简化工艺，可以提高产率，并且可以获得更高性能的CMOS半导体器件。

公开(公告)号：US20090173927A1

公开(公告)日：2009-07-09

申请号：US12232961

申请日：2008-09-26

申请人： Cheol-kyu Kim ,  Min-ho Kwon ,  Yoon-ho Khang ,  Youn-seon Kang ,  Tae-yon Lee ,  Sung Heo ,  Ki-bum Kim ,  Sung-wook Nam ,  Dong-bok Lee

发明人： Cheol-kyu Kim ,  Min-ho Kwon ,  Yoon-ho Khang ,  Youn-seon Kang ,  Tae-yon Lee ,  Sung Heo ,  Ki-bum Kim ,  Sung-wook Nam ,  Dong-bok Lee

IPC分类号： H01L29/02 ,  H01L21/44

CPC分类号： H01L45/126 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/144 ,  H01L45/16

摘要： Provided are a storage node, phase change memory device and methods of manufacturing and operating the same. The storage node may include an electrode, a phase change layer, and an anti-diffusion layer between the electrode and the phase change layer and including a silicide compound. The phase change memory device may include the storage node and a switching device connected to the storage node.

摘要翻译： 提供了一种存储节点，相变存储器件及其制造和操作方法。 存储节点可以包括在电极和相变层之间的电极，相变层和抗扩散层，并且包括硅化物化合物。 相变存储器件可以包括存储节点和连接到存储节点的交换设备。

公开(公告)号：US08698122B2

公开(公告)日：2014-04-15

申请号：US13644147

申请日：2012-10-03

申请人： Gyeong-su Park ,  In-yong Song ,  Sung Heo ,  Dong-wook Kwak ,  Hoon Young Cho ,  Han-su Kim ,  Jae-man Choi ,  Moon-seok Kwon

发明人： Gyeong-su Park ,  In-yong Song ,  Sung Heo ,  Dong-wook Kwak ,  Hoon Young Cho ,  Han-su Kim ,  Jae-man Choi ,  Moon-seok Kwon

IPC分类号： H01L29/06

CPC分类号： H01L29/0665 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02603 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02645 ,  H01L21/02653 ,  H01L29/0676 ,  H01L29/125 ,  H01L29/16 ,  H01L29/775

摘要： A silicon nanowire including metal nanoclusters formed on a surface thereof at a high density. The metal nanocluster improves electrical and optical characteristics of the silicon nanowire, and thus can be usefully used in various electrical devices such as a lithium battery, a solar cell, a bio sensor, a memory device, or the like.

摘要翻译： 包括在其表面上以高密度形成的金属纳米团簇的硅纳米线。 金属纳米簇改善了硅纳米线的电气和光学特性，因此可以有用地用于诸如锂电池，太阳能电池，生物传感器，存储器件等的各种电气装置中。