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    半導体装置、その製造方法及び電力変換装置
    1.
    发明申请
    半導体装置、その製造方法及び電力変換装置 审中-公开

    公开(公告)号：WO2019142320A1

    公开(公告)日：2019-07-25

    申请号：PCT/JP2018/001595

    申请日：2018-01-19

    Applicant: 三菱電機株式会社

    Inventor： 大島　功

    IPC: H01L21/52

    CPC classification number: H01L21/52

    Abstract: 絶縁基板（１）の電極（３）の上に環状に第１の位置決め樹脂（４）を形成する。第１の位置決め樹脂（４）の環の内側において電極（３）の上に、第１の位置決め樹脂（４）よりも厚みが薄い第１の板はんだ（５）を配置する。第１の板はんだ（５）の上に半導体チップ（６）を配置する。第１の板はんだ（５）を溶融して半導体チップ（６）の下面を電極（３）に接合する。

    半導体装置
    5.
    发明申请
    半導体装置 审中-公开
    半导体器件

    公开(公告)号：WO2018047913A1

    公开(公告)日：2018-03-15

    申请号：PCT/JP2017/032333

    申请日：2017-09-07

    Applicant: 株式会社デンソー ,  上村工業株式会社

    Inventor： 岩重　朝仁 ,  杉浦　和彦 ,  三輪　和弘 ,  佐久間　裕一 ,  黒坂　成吾 ,  小田　幸典

    IPC: H01L23/48 ,  H01L21/52

    CPC classification number: H01L21/52 ,  H01L23/48

    Abstract: 半導体装置（１）は、半導体素子（２）と、鉄族元素である第一成分とクロム以外の周期表第５族又は第６族遷移金属元素である第二成分とを含有するメタライズ層（３４）を最表面（３５）に有する金属部材であって前記最表面が前記半導体素子と対向するように配置された支持体（３）と、前記支持体の前記最表面と前記半導体素子との間に配置されていて前記最表面に接合されることで前記半導体素子を前記支持体に固定するように設けられた接合材（４）と、前記支持体と前記接合材と前記半導体素子との接合体（Ｓ）を覆うように設けられたモールド樹脂（６）と、を備えている。

    Abstract translation: 半导体装置（1）包括半导体元件（2），作为铁族元素的第一成分和作为元素周期表中除铬以外的过渡金属元素的第二成分 在最外表面（35）上具有金属化层（34）并且包含金属层（34）和其最外表面的金属构件的支撑构件（3）面向半导体元件; 设置在最外表面和半导体元件之间的接合材料，以便接合到最外表面以便将半导体元件固定到支撑件上， 以覆盖接合材料和半导体元件的接合体（S）的方式设置的模制树脂（6）。

    加熱接合用シート及びダイシングテープ付き加熱接合用シート
    6.
    发明申请
    加熱接合用シート及びダイシングテープ付き加熱接合用シート 审中-公开
    用于加热粘合的片材和用于与切割带热粘合的片材

    公开(公告)号：WO2017221613A1

    公开(公告)日：2017-12-28

    申请号：PCT/JP2017/019187

    申请日：2017-05-23

    Applicant: 日東電工株式会社

    Inventor： 本田　哲士 ,  菅生　悠樹 ,  鎌倉　菜穂

    IPC: H01L21/52 ,  C09J1/00 ,  C09J7/00 ,  C09J7/02 ,  C09J11/06 ,  C09J11/08 ,  H01L21/301

    CPC classification number: C09J1/00 ,  C09J7/00 ,  C09J11/06 ,  C09J11/08 ,  H01L21/52 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2924/00014

    Abstract: 有機成分による焼結性金属粒子の焼結の阻害を抑制してパワー半導体装置に十分な接合信頼性を付与可能な加熱接合シート、及び当該加熱接合用シートを有するダイシングテープ付き加熱接合用シートを提供する。加熱により焼結層となる前駆層を有する加熱接合用シートであって、前記前駆層は、焼結性金属粒子と有機成分とを含み、前記前駆層は、海島構造又は共連続構造である相分離構造を有し、前記前駆層の少なくとも一方の表面のＳＥＭ表面観察像において、前記相分離構造の各相が占める領域についての最大内接円の直径のうちの最大値が１μｍ以上５０μｍ以下である加熱接合用シート。

    Abstract translation: 具有

    授予的热粘合片材中，通过抑制与有机成分的烧结的金属颗粒的烧结的抑制的功率半导体装置的足够的粘接可靠性，和热粘合片材 提供用于与切割带热粘合的片材。 具有前体层包括通过加热烧结层，其中前体层包括烧结的金属颗粒和有机成分的热粘合片材，所述前体层为海岛结构或双连续结构相 具有分离的结构中，在表面的SEM表面观察图像中的至少一个的前体层，其中，每个相的相分离结构在1微米以上50μm以下占据的区域的最大内切圆的直径的最大值 用于热粘合的片材。

    電力用半導体装置および電力用半導体装置を製造する方法
    8.
    发明申请
    電力用半導体装置および電力用半導体装置を製造する方法 审中-公开
    功率半导体器件和制造功率半导体器件的方法

    公开(公告)号：WO2017126344A1

    公开(公告)日：2017-07-27

    申请号：PCT/JP2017/000314

    申请日：2017-01-06

    Applicant: 三菱電機株式会社

    Inventor： 山田　隆行 ,  別芝　範之 ,  村松　佑哉 ,  福　優 ,  中島　泰

    IPC: H01L21/52 ,  H01L29/12 ,  H01L29/78

    CPC classification number: H01L21/52 ,  H01L29/12 ,  H01L29/78

    Abstract: 電力用半導体装置は、基板と、基板の上に焼結性金属接合材を用いて接合された半導体素子とを備える。半導体素子は、母材と、母材の基板側の第１面に設けられた第１導電層と、母材の第１面に対向する第２面に設けられた第２導電層とを有する。第１導電層の厚さは、第２導電層の厚さの０．５倍以上２．０倍以下である。

    Abstract translation: 功率半导体器件包括衬底和使用可烧结金属接合材料接合在衬底上的半导体元件。 该半导体器件包括基体构件，设置在基体材料的基板侧的所述第一表面上的第一导电层，和设置在第二表面的基体材料的所述第一表面相对的第二导电层 。 第一导电层的厚度为第二导电层的厚度的0.5倍以上且2.0倍以下。

    LEAD FRAME WITH CONDUCTIVE CLIP FOR MOUNTING A SEMICONDUCTOR DIE WITH REDUCED CLIP SHIFTING
    9.
    发明申请
    LEAD FRAME WITH CONDUCTIVE CLIP FOR MOUNTING A SEMICONDUCTOR DIE WITH REDUCED CLIP SHIFTING 审中-公开
    带有导电夹片的导轨框架，用于安装半导体夹具，减少夹子移位

    公开(公告)号：WO2016200534A1

    公开(公告)日：2016-12-15

    申请号：PCT/US2016/031761

    申请日：2016-05-11

    Applicant: VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR LLC

    Inventor： DING, Hui-Ying ,  WANG, Pengnian ,  YU, Tao ,  LIU, Jun-Feng ,  BAI, Jun-Kai ,  PENG, Chih-Ping

    IPC: H01L23/495 ,  H01L23/433 ,  H01L23/31 ,  H01L23/64 ,  H01L33/48

    CPC classification number: H01L23/49575 ,  H01L21/52 ,  H01L21/56 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/49517 ,  H01L2021/6027 ,  H01L2021/60277 ,  H01L2224/33 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00012

    Abstract: A semiconductor assembly includes a semiconductor die comprising lower and upper electrical contacts. A lead frame having a lower die pad is electrically and mechanically connected to the lower electrical contact of the die. An upper conductive member has a first portion electrically and mechanically connected to the upper electrical contact of the die. A lead terminal has a surface portion electrically and mechanically connected to a second portion of the conductive member. The surface portion of the lead terminal and/or the second portion of the conductive member has a series of grooves disposed therein. Packaging material encapsulates the semiconductor die, at least a portion of the lead frame, at least a portion of the upper conducive member and at least a portion of the lead terminal.

    Abstract translation: 半导体组件包括包括下电极和上电触头的半导体管芯。 具有下管芯焊盘的引线框架电连接和机械连接到管芯的下电触头。 上导电构件具有电和机械地连接到管芯的上电接触件的第一部分。 引线端子具有电气和机械连接到导电构件的第二部分的表面部分。 引线端子的表面部分和/或导电部件的第二部分具有设置在其中的一系列凹槽。 包装材料封装半导体管芯，引线框架的至少一部分，上部导电构件的至少一部分和引线端子的至少一部分。

    圧接型半導体装置
    10.
    发明申请
    圧接型半導体装置 审中-公开
    压力接触半导体器件

    公开(公告)号：WO2016189953A1

    公开(公告)日：2016-12-01

    申请号：PCT/JP2016/059693

    申请日：2016-03-25

    Applicant: 三菱電機株式会社

    Inventor： 奥田　聡志 ,  古川　彰彦 ,  池田　知弘

    IPC: H01L21/52 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18

    CPC classification number: H01L21/52 ,  H01L24/72 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18

    Abstract: 圧接型半導体装置（１）において、第２の半導体チップ（１５）上の第２の中間電極（２５）は、１つ以上の第２の貫通孔（２８）を有する。１つ以上の第２の貫通孔（２８）は、筒体（５０）と第１の共通電極板（４０）と第２の共通電極板（４５）とによって気密封止される空間（４８）から流体的に分離されている。これにより、圧接型半導体装置（１）は、高い信頼性を有する。

    Abstract translation: 在该压接半导体器件（1）中，第二半导体芯片（15）上的第二中间电极（25）具有至少一个第二通孔（28）。 所述至少一个第二通孔（28）与由管状体（50），第一公共电极板（40）和第二公共电极板（45）气密密封的空间（48）流体分离。 因此，压接半导体装置（1）的可靠性高。

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