公开(公告)号：WO2015193081A1

公开(公告)日：2015-12-23

申请号：PCT/EP2015/061969

申请日：2015-05-29

Applicant: ROBERT BOSCH GMBH

Inventor： STEUER, Benjamin ,  TOMASCHKO, Jochen ,  PINTER, Stefan ,  HABERER, Dietmar ,  ARMBRUSTER, Simon

IPC: B81C1/00

CPC classification number: H01L21/4803 ,  B81B1/00 ,  B81B2203/0315 ,  B81B2203/033 ,  B81B2203/0384 ,  B81C1/00103 ,  B81C1/0042 ,  B81C2201/013

Abstract: Ein Verfahren zum Ausbilden einer Kavität in einem Siliziumsubstrat, wobei eine Oberfläche des Siliziumsubstrats einen Verkippwinkel gegen eine erste Ebene des Siliziumsubstrats aufweist und wobei die erste Ebene eine {111}-Ebene des Siliziumsubstrats ist und Anordnen einer Ätzmaske auf der Oberfläche des Siliziumsubstrats. Die Ätzmaske weist eine erste Vorhaltestruktur auf, die in die Maskenöffnung hineinragt. Die Ätzmaske weist weiterhin einen ersten Ätzansatzbereich auf. Alle weiteren Kanten der Maskenöffnung außerhalb des ersten Ätzansatzbereichs werden im Wesentlichen parallel zu {111}-Ebenen des Siliziumsubstrats angeordnet. Als einen weiteren Schritt umfasst das Verfahren ein anisotropes Ätzen des Siliziumsubstrats während einer festgelegten Ätzdauer. Dabei ist eine Ätzrate in die -Richtungen des Siliziumsubstrats niedriger als in andere Raumrichtungen und die erste Vorhaltestruktur wird ausgehend von dem ersten Ätzansatzbereich in eine erste Unterätzrichtung unterätzt. Die Ätzdauer ist so festgelegt, dass sich durch das anisotrope Ätzen eine Kavität in dem Siliziumsubstrat ausbildet, die eine Öffnung an der Oberfläche des Siliziumsubstrats aufweist. Die Ätzdauer so festgelegt, dass nach Ablauf der Ätzdauer die erste Ebene des Siliziumsubstrats im Wesentlichen freigelegt ist und eine Bodenfläche der Kavität ausbildet.

Abstract translation: 形成在硅衬底中的空腔，所述的方法其特征在于，具有倾斜角与硅衬底的第一平面，并且其中所述第一平面是硅衬底的{111}面和硅衬底的表面上设置蚀刻掩模，在硅衬底的表面。 该蚀刻掩模具有伸入所述掩模开口的第一Vorhaltestruktur。 蚀刻掩模还包括第一Ätzansatzbereich。 第一Ätzansatzbereichs外侧掩模开口的所有其它边缘被布置在平行于所述硅衬底的{111}面大致。 作为进一步的步骤，该方法包括在硅衬底的过程中的预定时间的蚀刻各向异性蚀刻。 在这种情况下，在硅衬底的<111>方向上的蚀刻速率比在空间和第一Vorhaltestruktur，从在第一ÄtzansatzbereichUnterätzrichtung第一底切起始其它方向低。 蚀刻时间被设定为使得一个腔是通过在硅衬底的各向异性蚀刻，其在所述硅衬底的表面中的开口形成。 蚀刻时间来确定，以使蚀刻时间段之后，所述硅衬底的所述第一平面基本上暴露并且形成所述腔体的底表面上。

公开(公告)号：WO2015189903A1

公开(公告)日：2015-12-17

申请号：PCT/JP2014/065267

申请日：2014-06-09

Applicant: 三菱電機株式会社

Inventor： 二村　政範 ,  竹田　滋紀 ,  立井　芳直 ,  杉浦　勢

IPC: H01L23/02 ,  H01L23/12

CPC classification number: H01L21/4817 ,  H01L21/288 ,  H01L21/4803 ,  H01L21/4857 ,  H01L21/486 ,  H01L23/055 ,  H01L23/08 ,  H01L23/13 ,  H01L23/49805 ,  H01L23/49822 ,  H01L23/49827 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 　半導体パッケージの貫通孔３０へのめっき層４０の形成に際し、第１および第２の積層体１０，２０に形成した第１および第２のキャビティ１５ａ，１５ｂ（，２５ａ，２５ｂ）を内側にして第１および第２の積層体１０，２０を重ね合わせて周縁領域Ｒ 0 に接着剤を用いて接合し、第１および第２の積層体１０，２０のキャビティを密閉空間にして、第１および第２の積層体１０，２０の接合面を含む一部を残して、貫通孔３０を形成する。そして貫通孔３０に、スルーホールめっきを行うことでめっき層４０を形成し、周縁領域Ｒ 0 は切り代すなわち切除領域として切除するとともに、ダイシングラインＤＬに沿って複数に分断し、半導体パッケージを形成するものである。

Abstract translation: 一种半导体封装生产方法，其中当在半导体封装的通孔（30）上形成镀层（40）时，第一和第二层压板（10,20）通过使用第一和第二层压板（10,20）重叠并粘合到边缘区域（R0） 形成在第一和第二层压板（10,20）中的第一和第二空腔（15a。15b（25a，25b））位于内部; 第一和第二层压板（10,20）中的空腔变成密封空间; 除了包括第一和第二层压板（10,20）的粘合表面的一个部分之外，还形成通孔（30）。 通过进行通孔电镀，在通孔（30）上形成镀层（40） 边缘区域（R0）被切割为边缘区域或截止区域，并沿着切割线（DL）分割成多个片段; 形成半导体封装。

公开(公告)号：WO2015140213A1

公开(公告)日：2015-09-24

申请号：PCT/EP2015/055687

申请日：2015-03-18

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： ZITZLSPERGER, Michael

IPC: B29C45/14 ,  H01L21/56

CPC classification number: B29C45/14655 ,  B29C43/18 ,  B29C45/0053 ,  B29C45/02 ,  B29C2043/181 ,  B29C2793/0072 ,  B29K2705/04 ,  B29L2031/3481 ,  H01L21/4803 ,  H01L21/561 ,  H01L21/565 ,  H01L23/043

Abstract: Es wird ein Verfahren zur Herstellung eines Gehäuses (31) für ein elektronisches Bauelement (40)angegeben, bei dem in einem dreidimensionalen Formprozess mit einem Kunststoff ein Gehäuseteileverbund (20) einer Mehrzahl zusammenhängender Kunststoffgehäuseteile (21) hergestellt wird unddurch ein Trennverfahren der Gehäuseteileverbund (20) in eine Mehrzahl einzelner Kunststoffgehäuseteile (21) zerteilt wird, von denen jedes zumindest einen Teil eines Gehäuses (31) bildet, wobei der Formprozess Transfer-Spritzpressen oder Formpressen ist,wobei für den Formprozess ein Formwerkzeug (90) verwendet wird, das Formstifte (93) aufweist, durch die beim Formprozess angeformte erste Seitenflächen (23) an jedem der Kunststoffgehäuseteile (21) erzeugt werden,wobei durch das Trennverfahren an jedem der Kunststoffgehäuseteile (21) zweite Seitenflächen (24) erzeugt werden undwobei die ersten und zweiten Seitenflächen (23, 24) Außenflächen der Kunststoffgehäuseteile (21) bilden. Weiterhin werden ein Verfahren zur Herstellung eines elektronischen Bauelements mit einem solchen Gehäuse, ein Gehäuse für ein elektronisches Bauelement und ein elektronisches Bauelement mit einem solchen Gehäuse angegeben.

Abstract translation: 提供了一种方法，用于用于电子元件（40）产生的壳体（31），其中，在三维成型方法制备具有塑料的多个连续的塑料外壳部分（21）andby壳体部分化合物的分离过程的一个壳体部分复合物（20）（20 ）为（在多个单独的塑料外壳部分21）的部分，其中的每一个形成至少（壳体31），在模制过程传递成型或压缩成型，其特征在于，模具（90）被用于模制工艺的一部分，模具销（ 93）（通过在每个塑料外壳的部件（21）的模制过程的第一侧表面23）中整体形成的产生，其中（由分离过程到每个塑料外壳的部件21）第二侧面（24），并且其中产生所述第一和第二侧表面（23 24形式，）的塑料外壳部分（21）的外表面。 此外，对于具有这样的壳体的电子部件的方法，用于电子部件的外壳和电子部件被提供有这样的壳体。

公开(公告)号：WO2015133274A1

公开(公告)日：2015-09-11

申请号：PCT/JP2015/054415

申请日：2015-02-18

Applicant: デクセリアルズ株式会社

Inventor： 杉田　純一郎

IPC: H01L23/36 ,  H01L23/373 ,  H05K7/20

CPC classification number: H01L23/3737 ,  H01L21/4803 ,  H01L23/36 ,  H01L23/3735 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 　タックフリー層１１と熱伝導性層１２との間の界面破壊による剥離を防止する。　タックフリー層１１中の、ガラス転移温度が６０℃以上である熱可塑性樹脂２１に、メジアン径が０．５μｍ以上の無機フィラー２２を含有させ、接着面２６に凹凸を形成し、接着面２６と接触した熱伝導性層１２を配置する。接着面２６とは反対側の面の接着力を強くせずに、接着面２６の凹凸による投錨効果によってタックフリー層１１と熱伝導性層１２との間の接着力が強くなる。

Abstract translation: 本发明的目的是防止由无粘性层（11）和导热层（12）之间的界面断裂引起的分层。 在无粘性层（11）中，中值粒径为0.5μm的无机填料（22）包含在玻璃化转变温度大于或等于60℃的热塑性树脂（21）中。 剥离粘合剂表面（26），并且放置与粘合剂表面（26）接触的导热层（12）。 在不增强粘合剂表面（26）的相对侧上的表面的粘合力的情况下，由于锚固效果导致在无粘性层（11）和导热层（12）之间的粘合力增强 通过纹理粘合剂表面（26）。

公开(公告)号：WO2015129317A1

公开(公告)日：2015-09-03

申请号：PCT/JP2015/050896

申请日：2015-01-15

Applicant: 株式会社カネカ

Inventor： 沓水　真琴 ,  加藤　裕介 ,  西川　泰司 ,  太田　雄介

IPC: C01B31/04 ,  C04B35/52 ,  H01L23/373 ,  H05K7/20

CPC classification number: H01L23/3735 ,  B32B18/00 ,  C01B32/20 ,  C01P2004/20 ,  C01P2006/12 ,  C01P2006/82 ,  C04B35/522 ,  C04B2235/787 ,  C04B2237/363 ,  C04B2237/704 ,  C04B2237/82 ,  H01L21/4803 ,  H01L23/373 ,  H01L23/42 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 　グラファイト層が積層された高配向性グラファイト（１０）であって、含有する水の量が少ない高配向性グラファイト（１０）を用いることによって、構成成分である高配向性グラファイト（１０）が層間剥離を生じることがなく、使用時の信頼性が高く、かつ、良好な放熱性能を有する電子機器を実現することができる。

Abstract translation: 使用由层叠的石墨层形成并且具有低含水量的高取向石墨（10）可以制造在使用时具有高可靠性和优异的散热性能的电子设备，而不会使高度取向的石墨分层（ 10）这是一个结构部件。

公开(公告)号：WO2012086464A1

公开(公告)日：2012-06-28

申请号：PCT/JP2011/078770

申请日：2011-12-13

Applicant: 株式会社日立製作所 ,  根岸 芳典 ,  中野 広 ,  井出 英一 ,  赤星 晴夫 ,  原田 素子 ,  石井 利昭

Inventor： 根岸　芳典 ,  中野　広 ,  井出　英一 ,  赤星　晴夫 ,  原田　素子 ,  石井　利昭

IPC: H01L23/50 ,  H01L23/34

CPC classification number: H01L23/49568 ,  H01L21/4803 ,  H01L21/4807 ,  H01L21/481 ,  H01L21/4871 ,  H01L21/4878 ,  H01L21/4882 ,  H01L21/565 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/36 ,  H01L23/373 ,  H01L23/3731 ,  H01L23/3735 ,  H01L23/4334 ,  H01L23/49582 ,  H01L24/26 ,  H01L24/27 ,  H01L24/28 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/451 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48245 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

Abstract: 　本発明は、放熱性を維持しつつ、ヒートシンクと絶縁樹脂シートの密着性を向上させることのできるパワーモジュールおよび該パワーモジュール用リードフレームを提供することを目的とする。ＣｕまたはＣｕ合金からなる導体板と、少なくとも該導体板の半導体素子を搭載する一方面とは反対側の他方面に形成されたＡｌ膜とを備えるリードフレームと、前記導体板の前記一方面に搭載された半導体素子と、少なくとも前記半導体素子と前記導体板を封止する封止樹脂と、前記Ａｌ膜を介して前記導体板と接着される絶縁樹脂シートとを具備することを特徴とするパワーモジュールである。

Abstract translation: 本发明的目的是提供一种功率模块，其能够在保持散热性能的同时提高绝缘树脂片与散热器的粘附性，并且还提供用于该功率模块的引线框架。 功率模块的特征在于包括：由Cu或Cu合金形成的导电板; 引线框架，至少设置有与安装有导电板的半导体元件的一侧相反的一侧形成的Al膜; 所述半导体元件安装在所述导电板的一侧; 至少密封半导体元件和导电板的密封树脂; 以及通过Al膜粘附到导电板的绝缘树脂片。

公开(公告)号：WO2011146211A1

公开(公告)日：2011-11-24

申请号：PCT/US2011/034097

申请日：2011-04-27

Applicant: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORP. ,  EMMA, Philip, G. ,  KURSUN, Eren ,  RIVERS, Jude, A.

Inventor： EMMA, Philip, G. ,  KURSUN, Eren ,  RIVERS, Jude, A.

IPC: H01L23/49

CPC classification number: H01L23/147 ,  H01L21/4803 ,  H01L23/13 ,  H01L23/5382 ,  H01L23/5389 ,  H01L25/0652 ,  H01L25/18 ,  H01L2225/06575 ,  H01L2225/06589 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/15311 ,  H05K3/30 ,  H05K3/465 ,  Y10T29/49128 ,  Y10T29/4913 ,  Y10T29/49137 ,  Y10T29/49146 ,  H01L2924/00

Abstract: Enhanced modularity in heterogeneous three-dimensional computer processing chip stacks includes a method of manufacture. The method includes preparing a host layer and integrating the host layer with at least one other layer in the stack. The host layer is prepared by forming cavities on the host layer for receiving chips pre-configured with heterogeneous properties relative to each other, disposing the chips in corresponding cavities on the host layer, and joining the chips to respective surfaces of the cavities thereby forming an element having a smooth surface with respect to the host layer and the chips.

Abstract translation: 异构三维计算机处理芯片堆栈中的增强的模块化包括制造方法。 该方法包括准备主机层并将主机层与栈中的至少一个其他层集成。 主体层通过在主体层上形成空腔来制备，用于接收相对于彼此预先配置有非均匀性质的芯片，将芯片设置在主体层上的相应空腔中，以及将芯片连接到空腔的相应表面，从而形成 元件具有相对于主体层和芯片的平滑表面。

公开(公告)号：WO2011118787A1

公开(公告)日：2011-09-29

申请号：PCT/JP2011/057402

申请日：2011-03-25

Applicant: パナソニック電工株式会社 ,  友井田 亮 ,  中谷 友洋 ,  田浦 巧 ,  奥村 真

Inventor： 友井田　亮 ,  中谷　友洋 ,  田浦　巧 ,  奥村　真

IPC: H01L29/84 ,  G01P15/08 ,  G01P15/125 ,  H01L23/14 ,  H01L23/15

CPC classification number: H01L23/15 ,  B81C1/00507 ,  B81C2201/0104 ,  B81C2201/0125 ,  G01P15/0802 ,  G01P15/125 ,  G01P2015/0831 ,  G01P2015/088 ,  H01L21/4803 ,  H01L23/5389 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/49171 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 　迅速にガラスを埋め込み、且つ、ボイドを抑制する。　シリコン基板本体５１の主面に凹部５２を形成する。シリコン基板本体５１の主面にガラス基板５４の第１の主面を重ね合わせる。ガラス基板５４に熱を加えて軟化させて、ガラス基板５４の一部をシリコン基板本体５１の凹部５２に埋め込む。ガラス基板５４を冷却する。ガラス基板５４のうち、シリコン基板本体５１の凹部５２に埋め込まれた部分を残し、他の部分を除去する。ガラス基板５４の一部をシリコン基板本体５１の凹部５２に埋め込む時に、凹部５２の内部と外部の間を貫通する貫通孔５３が形成されている。

Abstract translation: 所公开的玻璃嵌入式硅衬底的制造方法能够快速地嵌入玻璃并抑制空隙。 凹部（52）形成在硅基板主体（51）的主面上。 玻璃基板（54）的第一主表面重叠在硅基板主体（51）的主表面上。 玻璃基板（54）通过加热而软化，玻璃基板（54）的一部分埋设在硅基板主体（51）的凹部（52）中。 玻璃基板（54）被冷却。 嵌入硅基板主体（51）的凹部（52）中的玻璃基板（54）的一部分留下，另一部分被除去。 当玻璃基板（54）的一部分嵌入在硅基板主体（51）的凹部（52）中时，形成连接凹部的内部部分和外部部分的通孔（53） 52）。

公开(公告)号：WO2009003464A3

公开(公告)日：2009-03-12

申请号：PCT/DE2008001109

申请日：2008-07-03

Applicant: LAUTERBACH CHRISTL ,  STEINHAGE AXEL

Inventor： LAUTERBACH CHRISTL ,  STEINHAGE AXEL

IPC: B32B3/08 ,  A41D1/00 ,  G06K19/077

CPC classification number: B32B3/08 ,  B32B5/245 ,  B32B5/26 ,  B32B5/32 ,  B32B21/047 ,  B32B21/10 ,  B32B2307/206 ,  B32B2457/00 ,  H01L21/4803 ,  H01L21/56 ,  H01L23/13 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/50 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/8388 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/19043

Abstract: The invention relates to a surface-covering structure (0) which comprises a first layer (1, 21), a recess (2, 22) in the first layer (1) and at least one electronic module (4, 8) in the recess (2, 22).

Abstract translation: 的表面覆盖结构（0）具有在所述凹部（2，22）的第一层（1，21），在第一层（1）的凹部（2，22），和至少一个电子模块（4,8）。

公开(公告)号：WO2008060447A2

公开(公告)日：2008-05-22

申请号：PCT/US2007/023590

申请日：2007-11-09

Applicant: QUANTUM LEAP PACKAGING, INC.

Inventor： ZIMMERMAN, Michael, A.

IPC: H01L23/48

CPC classification number: H01L23/142 ,  H01L21/4803 ,  H01L23/047 ,  H01L23/10 ,  H01L23/4924 ,  H01L23/562 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/48 ,  H01L2224/29101 ,  H01L2224/29109 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/29144 ,  H01L2224/29183 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/32506 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83444 ,  H01L2224/83455 ,  H01L2224/83805 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/0104 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/0133 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/16195 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

Abstract: A microcircuit package having a ductile layer between a copper flange and die attach. The ductile layer absorbs the stress between the flange and semiconductor device mounted on the flange, and can substantially reduce the stress applied to the semiconductor device. In addition, the package provides the combination of copper flange and polymeric dielectric with a TCE close to copper, which results in a low stress structure of improved reliability and conductivity.

Abstract translation: 在铜法兰和管芯附着之间具有延展层的微电路封装。 韧性层吸收安装在凸缘上的凸缘和半导体器件之间的应力，并且可以显着减小施加到半导体器件的应力。 此外，该封装还提供了铜法兰和聚合物电介质的组合，以及与铜接近的TCE，从而产生低应力结构，从而提高了可靠性和导电性。