摘要:
본 발명은 반도체 장치 및 반도체 장치의 제조 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는, 다이본딩 공정 또는 와이어 본딩 공정 시 어느 정도 과도한 힘이 가해지더라도, 최상부 반도체 칩의 손상을 방지할 수 있는 반도체 장치 및 반도체 장치의 제조 방법에 관한 것이다.
摘要:
Disclosed is an apparatus (146) for sensing a pressure of a fluid medium. Said apparatus (146) comprises: - at least one housing (148) that has at least two pressure inlets (168, 169); - at least one sensor module (110) which is accommodated in the housing (148) and which comprises: • at least one support element (112) which includes at least one substrate (114), at least one molded compound (116) and at least one passage (120) that penetrates the entire support element (112); • at least one pressure sensor element (128) for sensing the pressure, which pressure sensor element (128) comprises at least one membrane and covers the passage (120); • at least one control and evaluation unit (134) which is at least partly enclosed by the molded compound (116). Also disclosed is a method for manufacturing the apparatus (146).
摘要:
Ein optoelektronisches Bauelement (100) umfasst eine Halbleiterschichtenfolge (1) mit einer aktiven Schicht (10), wobei die aktive Schicht (10) dazu eingerichtet ist, im bestimmungsgemäßen Betrieb elektromagnetische Strahlung zu erzeugen oder zu absorbieren. Weiter umfasst das Bauelement (100) eine erste Kontaktstruktur (11) und eine zweite Kontaktstruktur (12), über die die Halbleiterschichtenfolge (1) im bestimmungsgemäßen Betrieb elektrisch kontaktierbar ist. Im Betrieb sind die Kontaktstrukturen (11, 12) mit einer Spannung beaufschlagt, wobei sich eine betriebsbedingte Spannungsdifferenz ΔU bet zwischen den Kontaktstrukturen (11, 12) ausbildet. Bei Erhöhung der Spannungsdifferenz tritt ein erster Überschlag in oder an dem Bauelement (100) zwischen den beiden Kontaktstrukturen (11, 12) auf. Eine bei dem ersten Überschlag entstehende Funkenstrecke (3) zwischen den Kontaktstrukturen (11, 12) verläuft dabei überwiegend durch ein Umgebungsmedium in Form von Gas oder Vakuum und/oder durch einen Verguss. Der erste Überschlag tritt frühestens bei einer Spannungsdifferenz von 2∙ΔU bet auf.
摘要翻译:一种光电子器件(100)包括具有有源层(10)的半导体层序列(1),其中有源层(10)适于在正常操作期间产生电磁辐射 或吸收。 此外,部件(100)包括第一接触结构(11)和第二接触结构(12),半导体层序列(1)可以在期望的操作期间通过该第一接触结构和第二接触结构电接触。 在操作中,接触结构(11,12)经受电压,其中在接触结构(11,12)之间形成操作电压差ΔUmin。 随着电压差增大,第一翻转发生在两个接触结构(11,12)之间的装置(100)中或上。 在第一转向过程中在接触结构(11,12)之间出现的火花隙(3)主要通过气体或真空形式的环境介质和/或通过灌封。 第一次翻转最早出现在电压差为2?ΔU bet p>的地方。 P>
摘要:
A semiconductor package interconnect system may include a conductive pillar having a core (242), a first layer (244) surrounding the core (242), and a second layer (246) surrounding the first layer (244). The core (242) may be composed of a drawn copper wire, the first layer (244) may be composed of nickel, and the second layer (246) may be composed of a solder. A method for manufacturing a semiconductor package with such a conductive pillar may include placing a plurality of conductive pillars (240) on a substrate using a stencil process.
摘要:
실시 예의 발광 소자 패키지는 서로 전기적으로 이격된 제1 및 제2 리드 프레임과, 제1 또는 제2 리드 프레임 중 적어도 하나와 함께 캐비티를 정의하는 경사면을 포함하는 패키지 몸체와, 제1 또는 제2 리드 프레임 중 적어도 하나의 소자 영역에 배치된 적어도 하나의 소자부 및 적어도 하나의 소자부를 제1 또는 제2 리드 프레임 중 적어도 하나의 본딩 영역에 연결하는 적어도 하나의 와이어를 포함하고, 패키지 몸체는 적어도 하나의 소자부의 측부 모서리와 소자부의 하부면의 중심을 잇는 가상의 일직선의 연장선과 만나는 지점에서 본딩 영역을 노출시키도록 배치된 적어도 하나의 홈부를 포함할 수 있다.