公开(公告)号：WO2018183755A1

公开(公告)日：2018-10-04

申请号：PCT/US2018/025265

申请日：2018-03-29

Applicant: LAM RESEARCH CORPORATION

Inventor： HUANG, Ludan ,  BROGAN, Lee J. ,  SPURLIN, Tighe A. ,  GHONGADI, Shantinath ,  REID, Jonathan David ,  RANJAN, Manish ,  PENNINGTON, Bryan ,  BERRY, Clifford Raymond

IPC: H01L21/66 ,  H01L21/288

Abstract: Methods and apparatus for determining whether a substrate includes an unacceptably high amount of oxide on its surface are described. The substrate is typically a substrate that is to be electroplated. The determination may be made directly in an electroplating apparatus, during an initial portion of an electroplating process. The determination may involve immersing the substrate in electrolyte with a particular applied voltage or applied current provided during or soon after immersion, and recording a current response or voltage response over this same timeframe. The applied current or applied voltage may be zero or non-zero. By comparing the current response or voltage response to a threshold current, threshold voltage, or threshold time, it can be determined whether the substrate included an unacceptably high amount of oxide on its surface. The threshold current, threshold voltage, and/or threshold time may be selected based on a calibration procedure.

公开(公告)号：WO2018110833A1

公开(公告)日：2018-06-21

申请号：PCT/KR2017/012444

申请日：2017-11-03

Applicant: 주식회사 웨이비스

Inventor： 이상민 ,  최철순 ,  송명근 ,  정연국 ,  구황섭 ,  김현제 ,  정희석

IPC: H01L29/778 ,  H01L21/768 ,  H01L21/28 ,  H01L21/027 ,  H01L29/40 ,  H01L21/288

CPC classification number: H01L21/027 ,  H01L21/28 ,  H01L21/288 ,  H01L21/768 ,  H01L29/40 ,  H01L29/778

Abstract: 본 발명은 고전자이동도 트랜지스터 및 그 제조방법에 관한 것으로, 기판의 상부에 순차적층되는 채널층, 장벽층 및 보호층과, 보호층의 개구 부분을 통해 노출되는 보호층의 하부층에 접촉되는 소스 전극, 드레인 전극 및 게이트 전극을 포함하는 고전자이동도 트랜지스터에 있어서, 상기 소스 전극과 상기 드레인 전극의 상부를 노출시키도록 상기 보호층 및 게이트 전극의 상부 전면에 위치하는 패시베이션층과, 상기 소스 전극과 상기 드레인 전극 각각의 상부에 위치하는 소스 전극 패드와 드레인 전극 패드와, 상기 소스 전극 패드에 연결되어 상기 게이트 전극 상의 상기 패시베이션층으로 연장된 전기도금 필드 플레이트를 포함한다.

公开(公告)号：WO2018074072A1

公开(公告)日：2018-04-26

申请号：PCT/JP2017/030991

申请日：2017-08-29

Applicant: 東京エレクトロン株式会社

Inventor： 藤田　啓一 ,  岩井　和俊 ,  水谷　信崇

IPC: C23C18/52 ,  C23C18/32 ,  H01L21/288 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522

Abstract: 【課題】基板の凹部内に金属配線層を形成することができ、基板表面に異物めっき層が残ることはない。 【解決手段】金属属配線層形成方法は、基板２の凹部３の底面３ａに設けられたタングステンまたはタングステン合金４上に、保護層としての第１めっき層７を形成する工程と、基板２の表面２ａ上の異物めっき層７ａを洗浄して除去する工程と、凹部３内の第１めっき層７上に第２めっき層８を形成する工程とを備えている。

Abstract translation:

A可以形成在基板的凹部内的金属布线层，所述异物镀层不会留在基板表面上。 金属属布线层的形成方法，在设置在基板2的凹部3的底面3a上的钨或钨合金4，作为保护层，形成第一电镀层7，基板2 通过洗涤的表面2a异物电镀层7a中，并在凹部3上形成第一电镀层7上的第二镀覆层8的工序中除去。

公开(公告)号：WO2018008891A3

公开(公告)日：2018-01-11

申请号：PCT/KR2017/006862

申请日：2017-06-29

Applicant: 성균관대학교 산학협력단

Inventor： 조형균 ,  김윤석 ,  백승기 ,  안철현

IPC: H01L31/0392 ,  H01L21/288 ,  H01L21/02 ,  H01L31/18 ,  H01L31/0224

Abstract: 본 발명은 기판 위에 비진공 상태의 전기증착을 이용하여 반투명막층이 형성되는 S1 단계; 및 반투명막층 위에 비진공 상태의 전기증착을 이용하여 활성층이 형성되는 S2 단계를 포함하며, 반투명막층에서 특정방향의 우선배향성이 정해지고, 활성층은 반투명막층에서 정해진 특정방향으로 성장하는 것을 특징으로 하는 가시광영역의 흡수성 특성을 갖는 산화물반도체 제조방법에 관한 것이다. 저온 전기증착 공정으로 성장된 p형 산화물 반도체의 단점인 높은 비저항 문제를, 금속 계면활성제를 통해 전기화학적 성장 거동을 제어하여 해결하는 효과가 있다.

公开(公告)号：WO2017205182A1

公开(公告)日：2017-11-30

申请号：PCT/US2017/033337

申请日：2017-05-18

Applicant: APPLIED MATERIALS, INC.

Inventor： CUMMINGS, Charles, A. ,  BORJESSON, Mikael, R.

IPC: C25D21/12 ,  C25D17/00 ,  C25D7/12 ,  H01L21/288

Abstract: A system for controlling the operation of apparatus for electroplating semiconductor substrates includes operating in a high mode of operation in which an off-the-shelf power supply provides current or voltage that is directly used to produce the channel control signal and in a low mode of operation in which the off-the-shelf power supply biases a circuit that provides a current or voltage to produce the channel control signal.

Abstract translation: 用于控制用于电镀半导体衬底的设备的操作的系统包括以高操作模式操作，其中现成电源提供直接用于产生通道的电流或电压 控制信号和低操作模式，其中现成的电源偏置提供电流或电压以产生通道控制信号的电路。

公开(公告)号：WO2017090559A1

公开(公告)日：2017-06-01

申请号：PCT/JP2016/084483

申请日：2016-11-21

Applicant: 東レ株式会社

Inventor： 脇田潤史 ,  清水浩二 ,  河井翔太 ,  村瀬清一郎

IPC: H01L21/8246 ,  G03F7/004 ,  G03F7/038 ,  H01B1/22 ,  H01B5/16 ,  H01L21/288 ,  H01L27/105 ,  H01L27/28 ,  H01L29/786 ,  H01L51/05

CPC classification number: G03F7/004 ,  G03F7/038 ,  H01B1/22 ,  H01B5/16 ,  H01L21/288 ,  H01L27/105 ,  H01L27/28 ,  H01L29/786 ,  H01L51/05

Abstract: 駆動電圧が低く、塗布形成可能な強誘電体記憶素子を提供すること。少なくとも、第一の導電膜と、第二の導電膜と、前記第一の導電膜および前記第二の導電膜の間に設けられた強誘電体層を備える強誘電体記憶素子であって、前記強誘電体層が強誘電体粒子および有機成分を含有し、さらに前記強誘電体粒子の平均粒子径が３０～５００ｎｍである強誘電体記憶素子。

Abstract translation: 为了提供具有低驱动电压并能够形成涂层的铁电存储器元件。 至少一个第一导电膜，一第二导电膜，其具有第一导电膜和第二导电膜之间设置铁电体层的铁电存储元件， 铁电体层含有铁电粒子和有机组分，铁电存储器件是的铁电性粒子的30〜500nm的进一步平均粒径。

公开(公告)号：WO2017089610A1

公开(公告)日：2017-06-01

申请号：PCT/EP2016/079008

申请日：2016-11-28

Applicant: ATOTECH DEUTSCHLAND GMBH

Inventor： WALTER, Andreas ,  SUCHENTRUNK, Christof ,  BECK, Thomas ,  STEINBERGER, Gerhard ,  BERA, Holger ,  BRUNNER, Heiko ,  FROESE, Bernd

IPC: C23C18/44 ,  H01L21/288 ,  H05K3/24

CPC classification number: H05K3/187 ,  C23C18/1651 ,  C23C18/1683 ,  C23C18/32 ,  C23C18/44 ,  H01L21/288 ,  H05K3/244

Abstract: The invention relates to an aqueous plating bath composition and a method for depositing a palladium layer by electroless plating onto a substrate. The aqueous plating bath composition according to the invention comprises a source for palladium ions, a reducing agent for palladium ions and an unsaturated compound. The aqueous plating bath composition according to the invention has an improved stability against undesired decomposition due to the unsaturated compounds while keeping the deposition rate for palladium at the desired satisfying value. The aqueous plating bath composition has also a prolonged life time. The unsaturated compounds of the invention allow for adjusting the deposition rate to a satisfying range over the bath life time and for electrolessly depositing palladium layers at lower temperatures.

Abstract translation: 本发明涉及一种水性镀浴组合物和通过无电镀在基材上沉积钯层的方法。 根据本发明的含水镀浴组合物包含钯离子源，钯离子还原剂和不饱和化合物。 根据本发明的水性镀浴组合物具有改进的稳定性，以防止由于不饱和化合物引起的不希望的分解，同时将钯的沉积速率保持在期望的满意值。 含水电镀液组合物也具有延长的使用寿命。 本发明的不饱和化合物允许将沉积速率调节至浴寿命期间的满意范围，并且用于在较低温度下无电沉积钯层。

公开(公告)号：WO2017087253A1

公开(公告)日：2017-05-26

申请号：PCT/US2016/061415

申请日：2016-11-10

Applicant: APPLIED MATERIALS, INC.

Inventor： MCHUGH, Paul, R. ,  WILSON, Gregory, J.

IPC: H01L21/288 ,  H01L21/28 ,  H01L21/67

CPC classification number: C25D21/18 ,  C25D3/38 ,  C25D17/001 ,  C25D17/002 ,  C25D17/10

Abstract: An electroplating system includes a processor has a vessel having a first or upper compartment and a second or lower compartment containing catholyte and anolyte, respectively, with an processor anionic membrane between them. An inert anode is located in the second compartment. A replenisher is connected to the vessel via catholyte return and supply lines and anolyte return and supply lines, to circulate catholyte and anolyte through compartments in the replenisher separated by a replenisher anionic membrane. The replenisher adds metal ions into the catholyte by moving ions from a bulk metal source, and moves anions from the anolyte through the anionic membrane and into the catholyte. Concentrations or metal ions and anions in the catholyte and the anolyte remain balanced.

Abstract translation: 电镀系统包括处理器，该处理器具有容器，该容器具有分别包含阴极电解液和阳极电解液的第一或上部隔室和第二或下部隔室，在它们之间具有处理器阴离子膜。 惰性阳极位于第二隔室内。 补充液通过阴极液返回和供应管线以及阳极电解液返回和供应管线连接到容器，以使阴极液和阳极液通过补充液阴极隔膜分隔的补充液中的隔室循环。 补充剂通过从大块金属源移动离子将金属离子添加到阴极电解液中，并且将阴离子中的阴离子从阴极电解液移动通过阴离子膜并进入阴极电解液。 阴极电解液和阳极电解液中的浓度或金属离子和阴离子保持平衡。

公开(公告)号：WO2017061194A1

公开(公告)日：2017-04-13

申请号：PCT/JP2016/075681

申请日：2016-09-01

Applicant: 浜松ホトニクス株式会社

Inventor： 村松　雅治 ,  鈴木　久則 ,  米田　康人 ,  大塚　慎也 ,  高橋　弘孝

IPC: H01L23/14 ,  H01L21/288 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/768 ,  H01L23/12 ,  H01L23/32 ,  H01L23/522 ,  H05K1/11 ,  H05K3/40

CPC classification number: H01L21/288 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/768 ,  H01L23/12 ,  H01L23/14 ,  H01L23/32 ,  H01L23/522 ,  H05K1/11 ,  H05K3/40

Abstract: 配線構造体は、貫通配線パターンを含む配線パターンが設けられた配線構造体であって、貫通配線パターンが配置された貫通孔を有するシリコン基板と、少なくとも配線パターンに沿って、貫通孔の内面を含むシリコン基板の表面に設けられた絶縁層と、配線パターンに沿って絶縁層上に設けられたボロン層と、ボロン層上に設けられた金属層と、備える。

Abstract translation: 该布线结构是具有包括贯通布线图形的布线图形的布线结构，该布线结构包括：具有贯通布线图案的通孔的硅基板; 绝缘层，其至少沿着所述布线图案设置，并且设置在所述硅基板的包括所述通孔的内表面的表面上; 沿着所述布线图案设置在所述绝缘层上的硼层; 以及设置在硼层上的金属层。

公开(公告)号：WO2017031063A1

公开(公告)日：2017-02-23

申请号：PCT/US2016/047048

申请日：2016-08-15

Applicant: APPLIED MATERIALS, INC.

Inventor： VAN VALKENBURG, Paul ,  MIKKOLA, Robert ,  KLOCKE, John, L. ,  MCHUGH, Paul, R. ,  WILSON, Gregory, J. ,  HANSON, Kyle, Moran ,  BERGMAN, Eric, J.

IPC: C25D17/00 ,  C25D21/10 ,  C25D5/08 ,  C25D5/02 ,  C25D17/06 ,  H01L21/288

CPC classification number: C25D21/10 ,  C25D17/001 ,  C25D17/002 ,  C25D17/008 ,  C25D17/06

Abstract: In electroplating apparatus, a paddle or agitator agitates electrolyte in a vessel to provide high velocity fluid flow at the surface of a wafer. The agitator is designed and/or moved to also selectively shield part of the wafer, for example the edge of the wafer, from the electric field in the vessel. Selectively shielding may be achieved by temporally shifting the average position of the agitator towards one side of the wafer, by omitting or shortening slots in the agitator, and/or by synchronizing movement of the agitator with rotation of the wafer.

Abstract translation: 在电镀装置中，桨或搅拌器搅动容器中的电解质以在晶片的表面提供高速流体流动。 搅拌器被设计和/或移动以也可以选择性地将晶片的一部分（例如晶片的边缘）从容器中的电场屏蔽。 选择性屏蔽可以通过将搅拌器的平均位置朝向晶片的一侧暂时移动，通过省略或缩短搅拌器中的槽，和/或通过使搅拌器与晶片的旋转同步运动来实现。