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    HIGH DENSITY PLASMA GENERATING APPARATUS
    31.
    发明申请
    HIGH DENSITY PLASMA GENERATING APPARATUS 审中-公开
    高密度等离子体发生装置

    公开(公告)号：WO2011136512A3

    公开(公告)日：2012-03-08

    申请号：PCT/KR2011002974

    申请日：2011-04-25

    Applicant: TAINICS CO LTD ,  KIM JEONG TAE

    Inventor： KIM JEONG TAE

    IPC: H05H1/46 ,  H01L21/3065

    CPC classification number: H05H1/46 ,  H01J37/321 ,  H01J37/32669 ,  H05H2001/4667

    Abstract: The present invention relates to an inductively coupled high density plasma generating apparatus which stably etches surfaces of sapphire wafers used for producing high luminance LED chips. The apparatus comprises a reaction chamber which provides a space for generating plasma; an antenna system arranged above the reaction chamber to induce electric fields for generating plasma; a dielectric insulation plate interposed between the reaction chamber and the antenna system; and a plurality of permanent magnets arranged along the circumference of the dielectric insulating plate. The plurality of permanent magnets are sequentially arranged in such a manner that one of the magnetic poles of each permanent magnet is the same as one of the magnetic poles of the adjacent permanent magnet and the other of the magnetic poles of each permanent magnet is opposite to the other of the magnetic poles of the adjacent permanent magnet. The antenna system includes a plurality of antenna units arranged in different positions, and each antenna of the antenna units includes a power applying portion to which high frequency power is applied, a ground output portion, and a circular coil. The power applying portion and the ground output portion are arranged to form an opening. The above-described high density plasma generating apparatus can be valuably used in the formation of lens patterns on sapphire wafers, which requires high density plasma etching, as it provides effects of uniform etching using stable plasma.

    Abstract translation: 本发明涉及一种电感耦合高密度等离子体发生装置，其稳定地蚀刻用于制造高亮度LED芯片的蓝宝石晶片的表面。 该装置包括提供用于产生等离子体的空间的反应室; 天线系统，布置在反应室上方以引发用于产生等离子体的电场; 介于所述反应室和所述天线系统之间的绝缘绝缘板; 以及沿着介电绝缘板的圆周布置的多个永磁体。 多个永磁体按照这样一种方式依次布置，即每个永久磁铁的一个磁极与相邻的永久磁铁的一个磁极相同，并且每个永久磁铁的另一个磁极与 相邻永久磁铁的另一个磁极。 天线系统包括布置在不同位置的多个天线单元，并且天线单元的每个天线包括施加高频功率的功率施加部分，接地输出部分和圆形线圈。 电力施加部分和地面输出部分被布置成形成开口。 上述高密度等离子体生成装置可以有效地用于形成蓝宝石晶片上的透镜图案，这需要高密度等离子体蚀刻，因为它提供了使用稳定等离子体的均匀蚀刻的效果。

    PRE-CLEAN CHAMBER WITH REDUCED ION CURRENT
    32.
    发明申请
    PRE-CLEAN CHAMBER WITH REDUCED ION CURRENT 审中-公开
    具有降低离子电流的前清洁室

    公开(公告)号：WO2011163455A2

    公开(公告)日：2011-12-29

    申请号：PCT/US2011/041592

    申请日：2011-06-23

    Applicant: APPLIED MATERIALS, INC. ,  FORSTER, John, C. ,  HA, Tae Hong ,  NARASIMHAN, Murali, K. ,  FU, Xinyu ,  SUNDARRAJAN, Arvind ,  GUO, Xiaoxi

    Inventor： FORSTER, John, C. ,  HA, Tae Hong ,  NARASIMHAN, Murali, K. ,  FU, Xinyu ,  SUNDARRAJAN, Arvind ,  GUO, Xiaoxi

    IPC: H01L21/3065

    CPC classification number: H01J37/321 ,  H01J37/32357 ,  H01J37/32422

    Abstract: Apparatus for processing substrates are disclosed herein. In some embodiments, a substrate processing system may include a process chamber having a first volume to receive a plasma and a second volume for processing a substrate; a substrate support disposed in the second volume; and a plasma filter disposed in the process chamber between the first volume and the second volume such that a plasma formed in the first volume can only flow from the first volume to the second volume through the plasma filter. In some embodiments, the substrate processing system includes a process kit coupled to the process chamber, wherein the plasma filter is disposed in the process kit.

    Abstract translation: 本文公开了用于处理衬底的装置。 在一些实施例中，衬底处理系统可以包括具有接收等离子体的第一体积和用于处理衬底的第二体积的处理室; 设置在所述第二体积中的基板支撑件; 以及设置在第一体积和第二体积之间的处理室中的等离子体过滤器，使得形成在第一体积中的等离子体仅能够通过等离子体过滤器从第一体积流到第二体积。 在一些实施例中，衬底处理系统包括耦合到处理室的处理套件，其中等离子体过滤器设置在处理套件中。

    METHODS FOR FORMING NMOS EPI LAYERS
    33.
    发明申请
    METHODS FOR FORMING NMOS EPI LAYERS 审中-公开
    形成NMOS EPI层的方法

    公开(公告)号：WO2011084575A3

    公开(公告)日：2011-12-01

    申请号：PCT/US2010060708

    申请日：2010-12-16

    Applicant: APPLIED MATERIALS INC ,  TAYLOR MITCHELL C ,  FELCH SUSAN B

    Inventor： TAYLOR MITCHELL C ,  FELCH SUSAN B

    IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78

    CPC classification number: H01L21/67207 ,  H01J37/321 ,  H01J37/32357 ,  H01J37/32412 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/2018 ,  H01L21/2236 ,  H01L21/268 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/67167 ,  H01L21/6719 ,  H01L21/6831 ,  H01L29/165 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7848

    Abstract: NMOS transistors having controlled channel strain and junction resistance and methods for the fabrication of same are provided herein. In some embodiments, a method for forming an NMOS transistor may include (a) providing a substrate having a p-type silicon region; (b) depositing a silicon seed layer atop the p-type silicon region; (c) depositing a silicon-containing bulk layer comprising silicon, silicon and a lattice adjusting element or silicon and an n-type dopant atop the silicon seed layer; (d) implanting at least one of the lattice adjusting element or the n-type dopant which is absent from the silicon-containing bulk layer deposited in (c) into the silicon-containing bulk layer; and (e) annealing the silicon-containing bulk layer with an energy beam after implantation in (d). In some embodiments, the substrate may comprise a partially fabricated NMOS transistor device having a source/drain region defined therein.

    Abstract translation: 具有受控的通道应变和结电阻的NMOS晶体管及其制造方法在此提供。 在一些实施例中，用于形成NMOS晶体管的方法可以包括（a）提供具有p型硅区域的衬底; （b）在p型硅区域的顶部沉积硅晶种层; （c）在所述硅籽晶层的顶部沉积包含硅，硅和晶格调节元件或硅和n型掺杂剂的含硅体层; （d）将沉积在（c）中的含硅体积层中不存在的晶格调整元件或n型掺杂物中的至少一个注入到含硅体层中; 和（e）在（d）中植入之后用能量束对含硅体层进行退火。 在一些实施例中，衬底可以包括其中限定了源极/漏极区域的部分制造的NMOS晶体管器件。

    METHOD OF CONTROLLING TRENCH MICROLOADING USING PLASMA PULSING
    34.
    发明申请
    METHOD OF CONTROLLING TRENCH MICROLOADING USING PLASMA PULSING 审中-公开
    使用等离子体脉冲控制微孔微孔加工的方法

    公开(公告)号：WO2011087874A3

    公开(公告)日：2011-11-10

    申请号：PCT/US2010061976

    申请日：2010-12-23

    Applicant: APPLIED MATERIALS INC ,  LEE GENE H ,  YANG CHANSYUN DAVID ,  YANG LIMING

    Inventor： LEE GENE H ,  YANG CHANSYUN DAVID ,  YANG LIMING

    IPC: H01L21/76 ,  H01L21/3065

    CPC classification number: H01L21/3065 ,  H01J37/321 ,  H01J37/32155 ,  H01L21/308

    Abstract: Methods and apparatus for controlling microloading, such as within cell microloading between adjacent cells or isolated / dense microloading between areas of isolated or dense features during shallow trench isolation (STI) fabrication processes, or other trench fabrication processes, are provided herein. In some embodiments, a method for fabricating STI structures may include providing a substrate having a patterned mask layer formed thereon corresponding to one or more STI structures to be etched; etching the substrate through the patterned mask layer using a plasma formed from a process gas to form one or more STI structure recesses on the substrate; and pulsing the plasma for at least a portion of etching the substrate to control at least one of a depth or width of the one or more STI structure recesses.

    Abstract translation: 本文提供了用于在浅沟槽隔离（STI）制造工艺或其他沟槽制造工艺期间控制微负载的方法和设备，例如在相邻电池之间的电池微负载内或隔离或致密部件区域之间的隔离/致密微负载。 在一些实施例中，用于制造STI结构的方法可以包括：提供衬底，该衬底上形成有与待蚀刻的一个或多个STI结构对应的图案化掩模层; 使用由工艺气体形成的等离子体来蚀刻穿过所述图案化掩模层的所述衬底，以在所述衬底上形成一个或多个STI结构凹槽; 以及对所述衬底的至少一部分脉冲所述等离子体以控制所述一个或多个STI结构凹槽的深度或宽度中的至少一个。

    シリコン酸化膜の形成方法、及びプラズマ酸化処理装置
    35.
    发明申请
    シリコン酸化膜の形成方法、及びプラズマ酸化処理装置 审中-公开
    硅氧烷膜成型方法和等离子体氧化装置

    公开(公告)号：WO2011114961A1

    公开(公告)日：2011-09-22

    申请号：PCT/JP2011/055482

    申请日：2011-03-09

    Applicant: 東京エレクトロン株式会社 ,  壁 義郎 ,  大田尾 修一郎 ,  佐藤 吉宏

    Inventor： 壁　義郎 ,  大田尾　修一郎 ,  佐藤　吉宏

    IPC: H01L21/316 ,  H01L21/31

    CPC classification number: H01L21/02164 ,  H01J37/321 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/3244 ,  H01L21/02236 ,  H01L21/32105

    Abstract: 　処理容器１内を排気装置２４により減圧排気しながら、ガス供給装置１８の不活性ガス供給源１９ａおよびオゾン含有ガス供給源１９ｂから、不活性ガスおよびＯ ２ とＯ ３ との合計の体積に対するＯ ３ の体積比率が５０％以上であるオゾン含有ガスを所定の流量でガス導入部１５を介して処理容器１内に導入する。マイクロ波発生装置３９で発生させた所定周波数例えば２．４５ＧＨｚのマイクロ波を、平面アンテナ３１から透過板２８を経て処理容器１に放射し、不活性ガスおよびオゾン含有ガスをプラズマ化する。このマイクロ波励起プラズマによりウエハＷ表面にシリコン酸化膜を形成する。プラズマ酸化処理の間、載置台２に高周波電源４４から所定の周波数およびパワーの高周波電力を供給してもよい。

    Abstract translation: 在使用排气装置（24）在处理容器（1）内产生真空的同时，将引入具有50％或更高体积比的O 3与惰性气体总体积O 2和O 3的含臭氧气体 经由气体引入部分（15）从气体供应系统（18）中的惰性气体供应源（19a）和含臭氧的气体供应源（19b）到处理容器（1）内部的预定流速， 。 处理容器（1）通过微波发生装置（39）从平坦天线通过传输板（28）以预定频率（例如2.45GHz）辐射微波，从而将惰性气体和含臭氧气体转化为等离子体 。 微波激发的等离子体在晶片W表面上形成氧化硅膜。 在等离子体氧化期间，也可以从高频电源（44）向具有预定频率的高频电力的级（2）供给电力。

    PROCESS CHAMBER GAS FLOW IMPROVEMENTS
    36.
    发明申请
    PROCESS CHAMBER GAS FLOW IMPROVEMENTS 审中-公开
    工艺室气体流量改进

    公开(公告)号：WO2011100293A2

    公开(公告)日：2011-08-18

    申请号：PCT/US2011/024153

    申请日：2011-02-09

    Applicant: APPLIED MATERIALS, INC. ,  DETMAR, Stanley ,  WEST, Brian T. ,  SCHAUER, Ronald Vern

    Inventor： DETMAR, Stanley ,  WEST, Brian T. ,  SCHAUER, Ronald Vern

    IPC: H01L21/3065

    CPC classification number: H01J37/32449 ,  H01J37/321 ,  H01J37/3244 ,  H01J2237/334

    Abstract: Embodiments of the present invention generally provide plasma etch process chamber improvements. An improved gas injection nozzle is provided for use at a central location of the lid of the chamber. The gas injection nozzle may be used in an existing plasma etch chamber and is configured to provide a series of conic gas flows across the surface of a substrate positioned within the chamber. In one embodiment, an improved exhaust kit for use in the plasma etch chamber is provided. The exhaust kit includes apparatus that may be used in an existing plasma etch chamber and is configured to provide annular flow of exhaust gases from the processing region of the chamber.

    Abstract translation: 本发明的实施例通常提供等离子蚀刻处理室改进。 提供了一种改进的气体注射喷嘴，用于室的盖子的中心位置。 气体喷嘴可以用在现有的等离子体蚀刻室中，并且被配置为提供穿过位于室内的基底表面的一系列锥形气体流。 在一个实施例中，提供了用于在等离子体蚀刻室中使用的改进的排气套件。 排气套件包括可用于现有等离子体蚀刻室中并且被配置为提供来自腔室的处理区域的废气的环形流的设备。

    プラズマ装置
    38.
    发明申请
    プラズマ装置 审中-公开
    等离子体装置

    公开(公告)号：WO2011061787A1

    公开(公告)日：2011-05-26

    申请号：PCT/JP2009/006169

    申请日：2009-11-17

    Applicant: 日新電機株式会社 ,  清滝和雄 ,  林司

    Inventor： 清滝和雄 ,  林司

    IPC: H05H1/46

    CPC classification number: H05H1/46 ,  H01J37/321

    Abstract: 　プラズマ装置（１００）は、接地されたチャンバ（１）と、チャンバ（１）の天井（１１）に固定された外周アンテナ群（２１）と、外周アンテナ群（２１）よりも内側に設けられ、かつ、前記天井（１１）に固定された内周アンテナ群（１１）とを備える。外周アンテナ群（２１）は、天井（１１）を貫通するとともに、外周アンテナ群（２１）が設けられた領域の幅方向に１個存在し、領域の周方向に１個以上存在するように配置されたｎ（ｎは整数）個のアンテナ（２０）を含む。内周アンテナ群（２２）は、天井（１１）を貫通するように配置されたｍ（ｍは整数）個のアンテナ（２０）を含む。ｎ個のアンテナ（２０）のうち少なくとも一部は、高周波電力が印加される一方端（２０Ａ－１）と、一方端（２０Ａ－１）よりもチャンバの側壁（５０Ａ，５０Ｂ，５０Ｃ，５０Ｄ）側に配置され、かつ、接地された他方端（２０Ｂ－１）とを有する。

    Abstract translation: 公开了一种设置有接地室（1）的等离子体装置（100），固定到室（1）的屋顶（11）的外周天线组（21）和内周天线组（22） 比外周天线组（21）进一步向内侧安装并固定在屋顶（11）上。 外周天线组（21）包含n个天线（20）（n是整数），其以所述天线（20）穿透屋顶（11）的方式布置，一个天线位于 其中安装有外圆周天线组（21）的区域和至少一个天线位于该区域的圆周方向上。 内圆周天线组（22）包含m个天线（20）（m是整数），其布置成使得所述天线（20）穿透屋顶（11）。 n个天线（20）中的至少一些具有施加高频电流的第一端（20A-1）和更靠近室侧壁（50A）布置的第二接地端（20B-1） ，50B，50C，50D）。

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