公开(公告)号：WO2017008251A1

公开(公告)日：2017-01-19

申请号：PCT/CN2015/083983

申请日：2015-07-14

Applicant: GOERTEK. INC

Inventor： ZOU, Quanbo ,  WANG, Zhe

IPC: H01L21/50

CPC classification number: H01L24/97 ,  H01L21/50 ,  H01L21/6835 ,  H01L22/14 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/92 ,  H01L24/94 ,  H01L25/0753 ,  H01L33/62 ,  H01L2221/68318 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/68354 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/29294 ,  H01L2224/293 ,  H01L2224/2939 ,  H01L2224/32013 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81005 ,  H01L2224/81011 ,  H01L2224/81121 ,  H01L2224/81143 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/81903 ,  H01L2224/81907 ,  H01L2224/83005 ,  H01L2224/83101 ,  H01L2224/83143 ,  H01L2224/83851 ,  H01L2224/83855 ,  H01L2224/92 ,  H01L2224/9211 ,  H01L2224/92125 ,  H01L2224/94 ,  H01L2224/95001 ,  H01L2224/95144 ,  H01L2224/95145 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2933/0033 ,  H01L2933/0066 ,  H01L2224/11 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/81 ,  H01L2224/83 ,  H01L2221/68304 ,  H01L21/78 ,  H01L22/10 ,  H01L2224/83104 ,  H01L2924/014

Abstract: An assembling method, a manufacturing method, a device and an electronic apparatus of flip-die are disclosed. The method for assembling a flip-die, comprises: temporarily bonding the flip-die (205) onto a laser-transparent first substrate (204), wherein bumps (202) of the flip-die (205) are located on the side of the flip-die (205) opposite to the first substrate (204); aligning the bumps (202) with pads (206) on a receiving substrate (207); irradiating the original substrate with laser (208) from the first substrate side to lift-off the flip-die (205) from the first substrate (204); and attaching the flip-die (205) on the receiving substrate (207). A faster assembly rate, a smaller chip size, and a lower profile can be achieved.

Abstract translation: 公开了一种组合方法，制造方法，装置以及倒装模具的电子装置。 用于组装翻盖的方法包括：将翻盖（205）暂时地接合到激光透明的第一基板（204）上，其中翻盖（205）的凸块（202）位于 所述翻盖（205）与所述第一基板（204）相对; 将凸起（202）与接收衬底（207）上的衬垫（206）对准; 用激光器（208）从第一衬底侧照射原始衬底以从第一衬底（204）提起翻盖（205）; 以及将所述翻盖（205）附接在所述接收基板（207）上。 可以实现更快的组装速度，更小的芯片尺寸和更低的轮廓。

公开(公告)号：WO2015015982A1

公开(公告)日：2015-02-05

申请号：PCT/JP2014/067396

申请日：2014-06-30

Applicant: 日東電工株式会社

Inventor： 飯野　智絵 ,  松村　健 ,  志賀　豪士 ,  盛田　浩介

IPC: H01L23/29 ,  H01L21/56 ,  H01L23/00 ,  H01L23/31

CPC classification number: H01L23/544 ,  H01L21/561 ,  H01L23/295 ,  H01L23/3128 ,  H01L24/02 ,  H01L24/11 ,  H01L24/16 ,  H01L24/17 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/73 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/92 ,  H01L24/94 ,  H01L24/97 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2223/54426 ,  H01L2223/54433 ,  H01L2223/54486 ,  H01L2224/02311 ,  H01L2224/02313 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/16146 ,  H01L2224/17181 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/73104 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/92 ,  H01L2224/9202 ,  H01L2224/94 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06568 ,  H01L2225/06582 ,  H01L2225/06593 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/18161 ,  H01L2224/81 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/0231 ,  H01L2224/11 ,  H01L2224/83 ,  H01L21/56 ,  H01L2223/544 ,  H01L21/304 ,  H01L21/78 ,  H01L2924/00014

Abstract: 　電子デバイスの封止に使用する熱硬化性の封止用シートであって、一方の面の表面粗さ（Ｒａ）が、硬化前において、３μｍ以下である封止用シート。

Abstract translation: 一种密封用热固性片材，用于密封电子设备。 用于密封的该片的一个表面在固化前的表面粗糙度（Ra）为3μm以下。

公开(公告)号：WO2015005571A1

公开(公告)日：2015-01-15

申请号：PCT/KR2014/003828

申请日：2014-04-30

Applicant: (주)실리콘화일

Inventor： 안희균

IPC: H01L27/146 ,  H01L23/488 ,  H01L23/48 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L27/14687 ,  H01L21/6835 ,  H01L24/02 ,  H01L24/03 ,  H01L24/92 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14685 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2221/68368 ,  H01L2224/0231 ,  H01L2224/03002 ,  H01L2224/92 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2221/683 ,  H01L21/304 ,  H01L21/76898 ,  H01L2224/03

Abstract: 본 발명은, 웨이퍼의 패드를 형성하는 공정 중 패키징 공정에서 비아 배면에 패드를 형성하는 공정을 간단하게 수행하는 기술에 관한 것이다. 본 발명은, 웨이퍼를 제조하는 공정 중 패키징 공정에서, 마이크로렌즈의 상부에 글래스를 부착한 후 소자 웨이퍼로부터 핸들링 웨이퍼를 분리하여 상기 소자 웨이퍼에 형성된 금속층들이 밖으로 드러나도록 하는 단계; 및 상기 금속층들을 대상으로 패드들을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다.

Abstract translation: 本发明涉及一种用于在形成晶片垫的过程中在包装工艺中简单地执行在通孔的后表面上形成焊盘的工艺的技术。 本发明的特征在于在制造晶片的过程中的封装过程，该封装过程包括以下步骤：将玻璃附着到微透镜的上部，然后将处理晶片与元件晶片分离，从而暴露金属层 在元件晶片上形成到外部; 以及用于金属层的成形垫。

公开(公告)号：WO2014023320A1

公开(公告)日：2014-02-13

申请号：PCT/EP2012/003424

申请日：2012-08-10

Applicant: GOTTFRIED WILHELM LEIBNIZ UNIVERSITÄT HANNOVER ,  WURZ, Marc, Christopher ,  RISSING, Lutz ,  ZIMMERMANN, Stefan ,  COCHEMS, Philipp

Inventor： WURZ, Marc, Christopher ,  RISSING, Lutz ,  ZIMMERMANN, Stefan ,  COCHEMS, Philipp

IPC: H01L21/50 ,  H01L23/10

CPC classification number: H01L21/50 ,  B81C1/00293 ,  B81C2203/0118 ,  B81C2203/035 ,  H01L23/10 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/29011 ,  H01L2224/29019 ,  H01L2224/291 ,  H01L2224/29109 ,  H01L2224/29139 ,  H01L2224/29144 ,  H01L2224/29188 ,  H01L2224/81007 ,  H01L2224/8109 ,  H01L2224/81211 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/83007 ,  H01L2224/8309 ,  H01L2224/8312 ,  H01L2224/83211 ,  H01L2224/83815 ,  H01L2224/83825 ,  H01L2224/92 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/014 ,  H01L2224/81 ,  H01L2224/83 ,  H01L2924/00

Abstract: Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen eines hermetisch abgeschlossenen Gehäuses (22), in dem ein Unterdruck herrscht, aus einem ersten Bauteil (20) mit einer ersten Kontaktfläche (26), die mit einer Schicht aus einem ersten Bondelement (28) beschichtet ist, und wenigstens einem zweiten Bauteil (24) mit einer zweiten Kontaktfläche (30), die mit einer Schicht aus einem zweiten Bondelement (32) beschichtet ist, das eine höhere Solidustemperatur als das erste Bondelement (28) aufweist, wobei das Verfahren folgende Schritte aufweist: a) Positionieren des ersten Bauteils (20) und des zweiten Bauteils (24) in einem Behälter, sodass die erste Kontaktfläche (26) des ersten Bauteiles (20) an der zweiten Kontaktfläche (30) des zweiten Bauteiles (24) zumindest teilweise anliegt, b) Erzeugen eines Unterdrucks in dem Behälter, c) Erhöhen einer Temperatur (T) in dem Behälter auf ein Verbindungstemperaturwert (12), wobei das erste Bondelement (28) das zweite Bondelement (32) und der Verbindungstemperaturwert (12) derart ausgewählt sind, dass es zu einer Mischung (38) des ersten Bondelements (28) und des zweiten Bondelements (32) kommt, die eine Liquidustemperatur aufweist, die über dem Verbindungstemperaturwert (12) liegt.

Abstract translation: 本发明涉及一种用于制造其上涂有第一接合元件的层（28）密封的壳体（22），其中一个真空盛行的第一组分，（20），其具有第一接触表面（26）， 和至少一个具有第二接触表面（30），其上涂有第二粘接元件的层的第二组分（24）（32），其具有更高的固相线温度比所述第一接合元件（28）的方法，包括以下步骤： a）在容器中的第一构件（20）和所述第二部件（24）定位，以使第一部件（20）到所述第二部件的所述第二接触表面（30）的第一接触表面（26）（24）搁置在至少部分地 b）产生所述容器中的负压，C）在容器中的温度（T）（升高到粘接温度值12），其中所述第一接合元件（28），所述第二接合元件（32）的未 d中的化合物的温度值（12）被选择为使得将有第一接合元件（28）并具有上述接合温度值（12）的液相第二接合元件（32）的混合物（38）。

公开(公告)号：WO2014004504A1

公开(公告)日：2014-01-03

申请号：PCT/US2013/047612

申请日：2013-06-25

Applicant: RESEARCH TRIANGLE INSTITUTE, INTERNATIONAL

Inventor： VICK, Eric, Paul

IPC: H01L23/12 ,  H01L23/48

CPC classification number: H01L23/49827 ,  H01L21/02107 ,  H01L21/76898 ,  H01L24/24 ,  H01L24/29 ,  H01L24/80 ,  H01L24/82 ,  H01L24/83 ,  H01L24/92 ,  H01L24/94 ,  H01L24/95 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/162 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/24146 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/80203 ,  H01L2224/8036 ,  H01L2224/80896 ,  H01L2224/82031 ,  H01L2224/821 ,  H01L2224/83203 ,  H01L2224/8336 ,  H01L2224/92 ,  H01L2224/9202 ,  H01L2224/9212 ,  H01L2224/92144 ,  H01L2224/94 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/0675 ,  H01L2924/07025 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/80001 ,  H01L2224/82 ,  H05K3/4661 ,  H01L2224/83

Abstract: An electronic package may be fabricated by forming a first layer of insulating material on a first substrate such that the first layer covers a contact pad; forming an opening through the first layer to expose the contact pad; forming an un-patterned second layer on the first layer, the second layer including an adhesive having a viscosity less than that of the first layer, wherein a region of the second layer obstructs the contact pad; removing the region to re-expose the contact pad; aligning a second substrate with the first substrate such that a via of the second substrate is aligned with the opening; bonding the first substrate and the second substrate together at the second layer; and forming an interconnect in contact with the contact pad by depositing a conductive material through the via and the opening.

Abstract translation: 可以通过在第一基板上形成第一绝缘材料层来制造电子封装，使得第一层覆盖接触垫; 通过所述第一层形成开口以暴露所述接触垫; 在所述第一层上形成未图案化的第二层，所述第二层包括粘度小于所述第一层粘度的粘合剂，其中所述第二层的区域阻碍所述接触垫; 去除区域以重新暴露接触垫; 将第二基板与第一基板对准，使得第二基板的通孔与开口对准; 在第二层将第一基板和第二基板接合在一起; 以及通过通过所述通孔和所述开口沉积导电材料来形成与所述接触焊盘接触的互连。

公开(公告)号：WO2013102146A1

公开(公告)日：2013-07-04

申请号：PCT/US2012/072184

申请日：2012-12-28

Applicant: DECA TECHNOLOGIES, INC. ,  SCANLAN, Christopher

Inventor： SCANLAN, Christopher

IPC: H01L21/50 ,  H01L23/48

CPC classification number: H01L21/76838 ,  H01L21/56 ,  H01L21/561 ,  H01L21/563 ,  H01L21/568 ,  H01L21/78 ,  H01L23/28 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/48 ,  H01L23/562 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L24/92 ,  H01L24/94 ,  H01L24/96 ,  H01L24/97 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/2101 ,  H01L2224/214 ,  H01L2224/215 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/92 ,  H01L2224/94 ,  H01L2224/96 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2224/20 ,  H01L2224/11 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2224/83 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/19 ,  H01L23/3164 ,  H01L2224/03

Abstract: A method of manufacturing a semiconductor chip comprising placing a plurality of die units each having an active front surface and a back surface facing front surface up on an encapsulant layer, encapsulating the plurality of die units on the active surface of the encapsulant layer with an encapsulant covering a front surface and four side surfaces of each of the plurality of die units, and exposing, through the encapsulation on the front surface, conductive interconnects electrically connecting a die bond pad to redistribution layer.

Abstract translation: 一种制造半导体芯片的方法，包括将具有活性前表面和背面的前表面的多个模具单元放置在密封剂层上，用密封剂将多个模具单元封装在密封剂层的活性表面上 覆盖多个模具单元中的每一个的前表面和四个侧表面，并且通过前表面上的封装暴露导电互连件，以将管芯接合焊盘电连接到再分配层。

公开(公告)号：WO2013102137A2

公开(公告)日：2013-07-04

申请号：PCT/US2012/072164

申请日：2012-12-28

Applicant: DECA TECHNOLOGIES, INC. ,  SCANLAN, Christopher

Inventor： SCANLAN, Christopher

IPC: H01L23/498 ,  H01L21/56 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L21/56 ,  H01L21/561 ,  H01L21/568 ,  H01L21/78 ,  H01L23/31 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/48 ,  H01L23/562 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L24/92 ,  H01L24/94 ,  H01L24/96 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/2101 ,  H01L2224/214 ,  H01L2224/215 ,  H01L2224/92 ,  H01L2224/94 ,  H01L2224/96 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2224/20 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/014 ,  H01L2224/11 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/0105 ,  H01L23/3164 ,  H01L2924/00

Abstract: A method for manufacturing a device package may include constructing a spacer element coupled with a surface of a semiconductor die unit, where the spacer element is configured to create a gap between the semiconductor die unit and a surface of a carrier, and encapsulating the semiconductor die unit within a mold compound, where the encapsulating includes introducing the mold compound into the gap.

Abstract translation: 用于制造器件封装的方法可以包括构造与半导体管芯单元的表面耦合的间隔元件，其中间隔元件构造成在半导体管芯单元和载体的表面之间产生间隙，并且封装半导体管芯 单元在模具化合物中，其中包封包括将模具化合物引入到间隙中。

公开(公告)号：WO2012005435A9

公开(公告)日：2012-02-16

申请号：PCT/KR2011002628

申请日：2011-04-13

Applicant: LG INNOTEK CO LTD ,  LEE HYUNG EUI ,  PARK CHUNG SIK ,  CHUN HYUN A ,  EOM SAI RAN

Inventor： LEE HYUNG EUI ,  PARK CHUNG SIK ,  CHUN HYUN A ,  EOM SAI RAN

IPC: H01L23/48 ,  H01L23/043

CPC classification number: H01L21/4832 ,  H01L23/49548 ,  H01L23/49582 ,  H01L24/29 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/83 ,  H01L24/85 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48639 ,  H01L2224/48644 ,  H01L2224/48647 ,  H01L2224/48655 ,  H01L2224/48664 ,  H01L2224/48839 ,  H01L2224/48844 ,  H01L2224/48847 ,  H01L2224/48855 ,  H01L2224/48864 ,  H01L2224/83 ,  H01L2224/85439 ,  H01L2224/85444 ,  H01L2224/85447 ,  H01L2224/85455 ,  H01L2224/85464 ,  H01L2224/92 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/15156 ,  H01L2924/157 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/85 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: The present invention relates to a manufacturing method of a chip package, the method comprising: forming first leads and second leads, both having conductivity, on the top and bottom surfaces of a metal substrate; half-etching the top surface of the metal substrate to form a lead portion under the first leads and to form a die pad portion whose bottom is connected to the lead portion; attaching a chip onto the die pad portion and electrically connecting the chip and the first leads by a connector; forming an insulative molding portion on the metal substrate to bury the chip and the connector; and etching the bottom of the metal substrate to short-circuit the lead portion and the die pad portion, and a chip package manufactured using the same. Accordingly, the distance between a chip and first leads can be reduced by forming a conventional bump-shaped I/O pad in a lead shape, thus lead to cost reduction. Moreover, a large number of signal transmission systems can be reliably realized in a micro-pattern due to the lead shape. Moreover, the stability of the product can be improved by treating the thickness of the lead portion in the final step of the process.

Abstract translation: 本发明涉及一种芯片封装的制造方法，该方法包括：在金属基板的顶表面和底表面上形成具有导电性的第一引线和第二引线; 半蚀刻金属基板的顶表面，以在第一引线下方形成引线部分并形成其底部连接到引线部分的芯片焊盘部分; 将芯片附接到芯片焊盘部分上并通过连接器电连接芯片和第一引线; 在所述金属基板上形成绝缘成型部，以埋设所述芯片和所述连接器; 并且蚀刻金属基板的底部以使引线部分和芯片焊盘部分短路，以及使用其形成的芯片封装。 因此，可以通过形成引线形状的传统的凸起形状的I / O焊盘来减小芯片与第一引线之间的距离，从而降低成本。 此外，由于引线形状，可以以微图案可靠地实现大量的信号传输系统。 此外，通过在该方法的最后步骤中处理引线部分的厚度可以提高产品的稳定性。

公开(公告)号：WO2011155406A1

公开(公告)日：2011-12-15

申请号：PCT/JP2011/062795

申请日：2011-06-03

Applicant: 日東電工株式会社 ,  井上 剛一 ,  菅生 悠樹 ,  三隅 貞仁 ,  松村 健 ,  高本 尚英

Inventor： 井上　剛一 ,  菅生　悠樹 ,  三隅　貞仁 ,  松村　　健 ,  高本　尚英

IPC: H01L21/52

CPC classification number: H01L23/295 ,  H01L21/6836 ,  H01L23/3121 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/33 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/83 ,  H01L24/85 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/27436 ,  H01L2224/29 ,  H01L2224/29101 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/29298 ,  H01L2224/32014 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83855 ,  H01L2224/85 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2224/92 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/20103 ,  H01L2924/20104 ,  H01L2924/20105 ,  H01L2924/20106 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2224/78 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2224/29199 ,  H01L2224/29299 ,  H01L2224/2929

Abstract: 　熱硬化型ダイボンドフィルムを介して半導体チップを被着体上にダイボンディングする際に、当該半導体チップに対し充填材を介して局所的な応力が加わるのを防止し、これにより半導体チップの破損を低減することが可能な熱硬化型ダイボンドフィルム及びそれを備えたダイシング・ダイボンドフィルムを提供する。本発明の熱硬化型ダイボンドフィルムは、接着剤組成物及び微粒子からなる充填材を含む熱硬化型ダイボンドフィルムであって、前記熱硬化型ダイボンドフィルムの厚さをＹ（μｍ）とし、前記充填材の最大粒径をＸ（μｍ）としたときの比率Ｘ／Ｙ（－）が１以下である。

Abstract translation: 公开了一种可热固化的芯片接合膜，其通过热可固化的芯片键合，能够防止半导体芯片在目标材料的芯片接合期间通过填料在半导体芯片上局部施加应力 膜，从而减少半导体芯片的断裂; 以及包含该可热固化的芯片接合薄膜的切割/芯片接合薄膜。 可热固化的芯片接合膜含有包含粘合剂组合物和微粒的填料，其中X / Y（ - ）比为1以下，其中Y（μm）表示可热固化的芯片接合膜的厚度 X（μm）表示填料的最大粒径。

公开(公告)号：WO2011061695A3

公开(公告)日：2011-07-14

申请号：PCT/IB2010055226

申请日：2010-11-17

Applicant: OC OERLIKON BALZERS AG ,  RIETZLER WOLFGANG ,  SCHOLTE VAN MAST BART

Inventor： RIETZLER WOLFGANG ,  SCHOLTE VAN MAST BART

IPC: H01L23/14 ,  H01L21/56 ,  H01L23/31 ,  H01L23/538

CPC classification number: H01L24/96 ,  C23C14/22 ,  H01J37/321 ,  H01J37/3244 ,  H01J2237/32 ,  H01L21/561 ,  H01L21/568 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/67167 ,  H01L21/67207 ,  H01L21/67236 ,  H01L21/6835 ,  H01L23/147 ,  H01L23/293 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/19 ,  H01L24/97 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/20 ,  H01L2224/92 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/18162 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2924/3641 ,  H01L2224/96 ,  H01L2224/82 ,  H01L2924/00

Abstract: A method of processing a substrate (1) that displays out-gassing when placed in a vacuum comprises placing the substrate in a vacuum and performing an out-gassing treatment by heating the substrate (1) to a temperature T1 and removing gaseous contamination emitted from the substrate (1) until the out-gassing rate is determined by the diffusion of the substrate's con¬ tamination and thus essentially a steady state has been established. Afterwards, the temperature is lowered to a temperature T2 at which the diffusion rate of the substrate's contamination is lower than at T1. The substrate (1) is further processed at said temperature T2 until the substrate (1) has been covered with a film (16) comprising a metal.

Abstract translation: 处理放置在真空中时显示放气的基底（1）的方法包括将基底放置在真空中，并通过将基底（1）加热到温度T1并除去从其中释放的气体污染物来执行放气处理 直到基材（1）的排气速率由基材的污染扩散确定并且因此基本上稳定状态已经建立。 之后，将温度降低至基板污染物的扩散速率低于T1时的温度T2。 在所述温度T2下进一步处理衬底（1），直到衬底（1）已经被包含金属的膜（16）覆盖。