中科微点-全球专利检索

  1. Login
  2. Sign Up

Search Results

217 records (took 0.024 seconds)

    VERTICAL FIELD-EFFECT TRANSISTOR AND METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF
    31.
    发明申请
    VERTICAL FIELD-EFFECT TRANSISTOR AND METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF 审中-公开
    垂直场效应晶体管及其制造方法

    公开(公告)号：WO2018019448A1

    公开(公告)日：2018-02-01

    申请号：PCT/EP2017/062743

    申请日：2017-05-26

    Applicant: SARALON GMBH

    Inventor： ALI, Moazzam ,  NAIR, Rakesh R.

    IPC: H01L51/10 ,  H01L51/40

    CPC classification number: H01L51/057 ,  H01L21/02527 ,  H01L21/02623 ,  H01L21/043 ,  H01L21/044 ,  H01L21/28255 ,  H01L21/288 ,  H01L21/6835 ,  H01L29/1606 ,  H01L29/45 ,  H01L29/78642 ,  H01L29/78684 ,  H01L29/78696 ,  H01L51/0004 ,  H01L51/0021 ,  H01L51/0022 ,  H01L51/0024 ,  H01L51/003 ,  H01L51/0035 ,  H01L51/0037 ,  H01L51/0048 ,  H01L51/0516 ,  H01L51/055 ,  H01L51/0558 ,  H01L51/105 ,  H01L2221/68363

    Abstract: A vertical channel field-effect transistor is taught. The vertical channel field-effect transistor comprises a primary substrate (510) and a secondary substrate. A bottom conducting layer (520) is provided on the primary substrate. A top conducting layer (530) is transferred from a secondary substrate to the primary substrate by using an insulating adhesive layer (570). The thickness of the insulating adhesive layer defines the channel length. The portion of the top conducting layer which is over the bottom conducting layer defines the maximum possible channel. At least one semiconducting layer (540) is provided on and around a perimeter of at least a portion of the channel width. At least one insulating layer (550) is provided on at least a portion of the at least one semiconducting layer. At least one gate conducting layer (560) provided on at least a portion of the at least one insulating layer.

    Abstract translation: 教导一种垂直沟道场效应晶体管。 垂直沟道场效应晶体管包括主衬底（510）和次衬底。 底部导电层（520）设置在主衬底上。 通过使用绝缘粘合剂层（570）将顶部导电层（530）从副衬底转移到主衬底。 绝缘粘合剂层的厚度限定了通道长度。 顶部导电层的位于底部导电层上的部分限定了最大可能的通道。 至少一个半导体层（540）设置在沟道宽度的至少一部分的周边上和周围。 至少一个绝缘层（550）设置在至少一个半导体层的至少一部分上。 至少一个栅极导电层（560）设置在至少一个绝缘层的至少一部分上。

    VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER HALBLEITENDEN FOLIE UND ELEKTRONISCHES BAUELEMENT
    32.
    发明申请
    VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER HALBLEITENDEN FOLIE UND ELEKTRONISCHES BAUELEMENT 审中-公开
    生产半导体薄膜的方法和电子元件

    公开(公告)号：WO2017153524A1

    公开(公告)日：2017-09-14

    申请号：PCT/EP2017/055547

    申请日：2017-03-09

    Applicant: FRIEDRICH-SCHILLER-UNIVERSITÄT JENA

    Inventor： TURCHANIN, Andrey ,  NICKEL, Bert

    IPC: H01L51/40

    CPC classification number: H01L51/003 ,  H01L51/0026 ,  H01L51/0558

    Abstract: Ein Verfahren zur Herstellung einer organischen, halbleitenden Folie umfassend die folgenden Schritte: Aufbringen (103) eines Films (230) aus einem organischen Material auf ein Trägersubstrat (200) mit einer Opferschicht z.B. ein wasserlöslicher Film (220) und Bestrahlung der Oberfläche (233) des Films (230) zur Bildung einer vernetzten Schicht (237). Die Folie kann in einem elektronischen Bauelement (300, 350) verwendet werden.

    Abstract translation: 一种用于制造有机半导体膜的方法，包括以下步骤：将有机材料膜（230）施加（103）到具有例如牺牲层的支撑基板（200）上。 水溶性膜（220）以及照射膜（230）的表面（233）以形成交联层（237）。 该箔可用于电子元件（300,350）。

    レーザ照射方法および装置
    37.
    发明申请
    レーザ照射方法および装置 审中-公开
    激光辐射方法和器件

    公开(公告)号：WO2016162989A1

    公开(公告)日：2016-10-13

    申请号：PCT/JP2015/061038

    申请日：2015-04-08

    Applicant: 株式会社日本製鋼所

    Inventor： 山下　裕大 ,  佐藤　亮介 ,  井波　俊夫

    IPC: B23K26/073 ,  B23K26/402

    CPC classification number: B23K26/0054 ,  B23K26/0006 ,  B23K26/0057 ,  B23K26/0622 ,  B23K26/0732 ,  B23K26/082 ,  B23K26/0853 ,  B23K26/402 ,  B23K2203/172 ,  B23K2203/42 ,  B23K2203/54 ,  H01L21/02 ,  H01L21/268 ,  H01L51/003

    Abstract: 　ｙ方向に走査ライン間隔Ｐｙで並ぶ平行な複数のｘ方向の走査ラインを設定し、線状のレーザスポット（Ｗ）の長さ方向をｙ方向に向け、各走査ラインに沿ってレーザスポット（Ｗ）を加工対象物に対して相対移動しながら、幅方向ピッチΛの照射位置毎にレーザ照射する。その際、隣接する走査ライン上での照射位置をｘ方向に位置ずれ量Δｘだけ位置ずれさせると共に照射されたレーザ強度の累積値が略均等になるように走査ライン間隔Ｐｙおよび幅方向ピッチΛおよび位置ずれ量Δｘを決める。奇数番目の走査ライン上の照射位置での長軸Ｃｙの延長上におけるプロファイルの重複量と中間軸Ｍｙの延長上におけるプロファイルの重複量とに差が出ないので、強度不足の部分や強度過剰の部分を生じることなく線状のレーザスポットＷを用いてレーザ照射することが出来る。

    Abstract translation: 在本发明中，在y方向上配置扫描线间隙Py的x方向设置多条平行的扫描线，将线性激光光斑（W）的长度方向取向为y方向，将激光 沿着扫描线相对于待处理物品移动激光光点（W）而沿宽度方向间距Λ的每个照射位置照射。 此时，相邻的扫描线上的照射位置被x方向的位置偏移量Δx偏移，并且扫描线间隙Py，宽度方向间距Λ和位置偏移Δx被确定为使照射的激光的累积值 光强度基本均匀。 因此，在奇数扫描线上的照射位置的纵轴Cy的延伸部上的轮廓的叠加量以及中间轴线My的延伸部上的轮廓的叠加量不会出现差异。 因此，可以使用线性激光点W进行激光照射，而不会产生强度不足的部件和具有过度强度的部件。

    ELECTRICAL MULTILAYER LAMINATION TRANSFER FILMS
    38.
    发明申请
    ELECTRICAL MULTILAYER LAMINATION TRANSFER FILMS 审中-公开
    电气多层复合传输膜

    公开(公告)号：WO2016033211A3

    公开(公告)日：2016-04-14

    申请号：PCT/US2015046990

    申请日：2015-08-26

    Applicant: 3M INNOVATIVE PROPERTIES CO

    Inventor： WOLK MARTIN B ,  FREE MICHAEL BENTON ,  SCHMIDT DANIEL J ,  MEYER JUSTIN P ,  PELLERITE MARK J ,  JOHNSON STEPHEN A ,  COLLIER TERRY O ,  MA XIAOHUA

    IPC: B32B37/00 ,  H01L51/00 ,  H01L51/50

    CPC classification number: B32B38/0036 ,  B32B37/025 ,  B32B38/10 ,  B32B2457/00 ,  B32B2457/10 ,  H01G4/308 ,  H01L51/003 ,  H01M6/005 ,  H01M10/02

    Abstract: Transfer films, articles made therewith, and methods of making and using transfer films to form an electrical stack are disclosed. The transfer films (100) may include a plurality of co-extensive electrical protolayers (22, 23, 24) forming an electrical protolayer stack (20), at least selected or each electrical protolayer independently comprising at least 25 wt% sacrificial material and a thermally stable material and having a uniform thickness of less than 25 micrometers. The transfer films may include a plurality of co-extensive electrical protolayers forming an electrical protolayer stack, at least selected or each protolayer independently exhibiting a complex viscosity of between 103and 104Poise at a shear rate of 100/s when heated to a temperature between its Tg and Tdec.

    Abstract translation: 公开了转移膜，制成的制品以及制造和使用转移膜以形成电堆的方法。 转移膜（100）可以包括形成电原层堆叠（20）的多个共扩散的电沉积层（22,23,24），至少选择的或每个电原型层独立地包含至少25wt％的牺牲材料和 热稳定材料并具有小于25微米的均匀厚度。 转移膜可以包括形成电原始层堆叠的多个共扩散电沉积层，至少选择的或每个原层在100 / s的剪切速率下独立地表现出103至104Poise之间的复数粘度，当加热至其Tg 和Tdec。

Patent Agency Ranking