公开(公告)号：WO2017046257A1

公开(公告)日：2017-03-23

申请号：PCT/EP2016/071851

申请日：2016-09-15

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： WOJCIK, Andreas ,  HAUSHALTER, Martin

IPC: H01L33/00 ,  H01L33/48 ,  H01L33/54 ,  H01L33/58 ,  H01S5/022 ,  H01L33/62

CPC classification number: H01L33/486 ,  H01L33/00 ,  H01L33/54 ,  H01L33/62 ,  H01L2933/0033 ,  H01L2933/005 ,  H01S5/02216 ,  H01S5/02228 ,  H01S5/02244 ,  H01S5/02296

Abstract: Ein optoelektronisches Bauelement (1; 300) umfasst einen in einem Gehäuse (100; 310) angeordneten optoelektronischen Halbleiterchip (10) zur Emission elektromagnetischer Strahlung (14), wobei das Gehäuse (100; 310) eine Außenwandfläche (106; 311) und eine für die elektromagnetische Strahlung (14) transparente Austrittsfläche (104) aufweist. Die Austrittsfläche (104) ist gegenüber der Außenwandfläche (106; 311) in Richtung des Inneren des Gehäuses (100; 310) zurückversetzt und der optoelektronische Halbleiterchip (10) ist derart angeordnet, dass von dem optoelektronischen Halbleiterchip (10) in eine Emissionsrichtung (12) emittierte Strahlung durch die Austrittsfläche (104) aus dem optoelektronischen Bauelement (1; 300) austreten kann.

Abstract translation: 在壳体中;一个光电部件（300 1）（100; 310），其布置的光电子半导体芯片（10），用于发射电磁辐射（14），所述壳体（100; 310）具有外壁表面（106; 311），用于和一个 具有电磁辐射（14）透明出射面（104）。 出射面（104）的外壁表面（106; 311）相对于壳体（100; 310）的内部的方向向后设置和光电子半导体芯片（10）被布置成使得，在发射方向上的光电子半导体芯片（10）根据（12 辐射发射）通过光电子器件（1的出射面（104）; 300能逃脱）。

公开(公告)号：WO2016140137A1

公开(公告)日：2016-09-09

申请号：PCT/JP2016/055638

申请日：2016-02-25

Applicant: 住友電気工業株式会社

Inventor： 中西　裕美

IPC: H01S5/022

CPC classification number: G02B6/424 ,  G02B6/4206 ,  G02B6/4215 ,  G02B6/4237 ,  G02B6/4251 ,  G02B6/4271 ,  G02B6/4285 ,  G02B27/0916 ,  G02B27/0955 ,  H01S5/005 ,  H01S5/022 ,  H01S5/02296 ,  H01S5/4012

Abstract: コンパクト化と構成の自由度とを両立することが可能な光モジュールを提供する。光モジュール１は、光形成部２０と、出射窓４１を有し、光形成部２０を取り囲むように配置される保護部材１０，４０と、保護部材４０に接続され、出射窓４１を透過する光形成部２０からの光が通過する通光路１１２を有するアダプタ１１０と、アダプタ１１０に接続され、通光路１１２を通過する光が入射する光結合部品１２０と、を備える。光形成部２０は、半導体発光素子８１，８２，８３と、半導体発光素子８１，８２，８３から出射される光のスポットサイズを変換するレンズ９１，９２，９３と、を含む。光結合部品１２０は、光学部品１２５と、光学部品１２５を保持する保持部材１２３と、を含む。保持部材１２３とアダプタ１１０とが接続されている。

Abstract translation: 提供一种能够实现其结构的紧凑性和自由度的光学模块。 该光模块1具备：发光部20， 保护构件10,40，其设置有发射窗41，并且被设置成围绕光产生单元20; 连接到保护构件40的适配器110，并且设置有光通过路径112，来自光产生单元20的光通过该通路路径，所述光已经透射通过发射窗口41; 以及连接到适配器110的光耦合部件120，并且穿过光通路112的光入射到该光耦合部件120上。 光产生单元20包括：半导体发光元件81,82,83; 以及转换从半导体发光元件81,82,83发射的光的光斑尺寸的透镜91,92,93。光耦合部件120包括光学部件125和用于保持光学部件的保持部件123 保持构件123和适配器110连接。

公开(公告)号：WO2013175773A1

公开(公告)日：2013-11-28

申请号：PCT/JP2013/003237

申请日：2013-05-21

Applicant: パナソニック株式会社

Inventor： 濱田　貴裕 ,  鈴木　信靖 ,  折田　賢児 ,  長尾　宣明

IPC: H01L33/50 ,  C09K11/00 ,  C09K11/08 ,  C09K11/80

CPC classification number: F21K9/56 ,  F21K9/64 ,  H01L33/50 ,  H01L33/501 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/16195 ,  H01S5/005 ,  H01S5/02212 ,  H01S5/02296 ,  H05B33/10 ,  H01L2924/00014

Abstract: 　本願に開示された波長変換素子は、複数の蛍光体粒子と、複数の蛍光体粒子の一部の間に位置し、ｃ軸に配向した酸化亜鉛によって構成された第１のマトリックスと、複数の蛍光体粒子の残りの部分の間に位置し、酸化亜鉛よりも屈折率が小さい材料によって構成された第２のマトリックスとを備える。

Abstract translation: 该波长转换元件设置有：多个荧光体颗粒; 位于一些荧光体颗粒之间并且包含沿着c轴对准的氧化锌的第一矩阵; 以及位于荧光体颗粒的剩余部分之间并且包括折射率小于氧化锌的材料的第二基体。

公开(公告)号：WO2013157372A1

公开(公告)日：2013-10-24

申请号：PCT/JP2013/059254

申请日：2013-03-28

Applicant: ウシオ電機株式会社

Inventor： 杉原　伸彦 ,  吉田　和弘 ,  藤田　堅太郎 ,  鮫島　貴紀

IPC: H01S3/109 ,  G02F1/37 ,  H01S5/14

CPC classification number: H01S5/0612 ,  G02F1/37 ,  G02F2001/3546 ,  H01S3/109 ,  H01S5/02296 ,  H01S5/0428 ,  H01S5/0604 ,  H01S5/0617 ,  H01S5/06804 ,  H01S5/06808 ,  H01S5/14 ,  H01S5/141 ,  H01S5/183 ,  H01S5/423

Abstract: 　レーザ光源装置において、フォトダイオード等の光検知装置を用いることなく、波長変換素子の波長変換効率の最適化を図り、安定した光出力を可能にすること。半導体レーザ２から出射した基本波光は、波長変換素子５で波長変換され出射する。点灯回路２０は上記半導体レーザ２に電力を供給し半導体レーザ２を点灯させる。制御部２１は、加熱手段７の給電量を制御して、波長変換素子５が最適な波長変換効率となる温度になるように制御する。制御部２１には素子温度検出手段Ｔｈ１と光源部温度検出手段Ｔｈ２により検出された温度が入力され、制御部２１は、光源部温度検出手段Ｔｈ２により検出された温度が極小となるときの波長変換素子５の温度を、最適な波長変換効率となる設定温度とし、加熱手段７による加熱量を制御して波長変換素子５の温度が上記設定温度になるように、波長変換素子５の温度をフィードバック制御する。

Abstract translation: 该激光光源装置优选波长转换元件的波长转换效率，而不使用诸如光电二极管的光学检测装置，并且可以稳定地输出光。 从半导体激光器（2）输出的基波波长通过波长转换元件（5）转换波长，并输出波长转换光。 照明电路（20）向半导体激光器（2）供电，并点亮半导体激光器（2）。 控制单元（21）控制加热装置（7）的供电量，并进行波长转换元件（5）处于波长转换元件具有最佳波长转换效率的温度的控制。 通过元件温度检测装置（Th1）和光源单元温度检测装置（Th2）检测的温度被输入到控制单元（21），控制单元（21）将波长转换元件（5）的温度 ，其中通过光源单元温度检测装置（Th2）检测到的温度极低，作为波长转换效率最佳的设定温度，并且反馈控制波长转换元件（5）的温度， 使得波长转换元件（5）的温度通过控制加热装置（7）的加热量而处于设定温度。

公开(公告)号：WO2013054547A1

公开(公告)日：2013-04-18

申请号：PCT/JP2012/052785

申请日：2012-02-07

Applicant: ハリソン東芝ライティング株式会社 ,  武田 雄士 ,  木下 順一

Inventor： 武田　雄士 ,  木下　順一

IPC: H01S5/022

CPC classification number: H01S5/022 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01S5/005 ,  H01S5/02236 ,  H01S5/02276 ,  H01S5/02296 ,  H01S5/02476 ,  H01S5/0287 ,  H01S5/0425 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 　発光装置は、第１の電極と、第２の電極と、半導体レーザ素子と、ボンディングワイヤと、透光性枠部と、蓋部と、を有する。第１の電極は、凸部と、凸部の周りを囲む底面と、第１の面と、を有する。第２の電極は、 第１の電極の底面と対向する第１の面と、第２の面と、を有する。また第２の電極は、開口部と、第２の面から前記第１の面の方向に後退した段差部と、を有する。半導体レーザ素子は、凸部の上方に設けられ、発光層を有する。ボンディングワイヤは、半導体レーザ素子と、段差部と、を電気的に接続可能である。透光性枠部は、凸部と、半導体レーザ素子と、の周りをそれぞれ囲み、ガラスからなる。透光性枠部は、底面と接着されかつ第２の電極の第１の面と接着される。蓋部は、第２の電極の第２の面と接着される。半導体レーザ素子から放出されるレーザ光のうち、半値全角内の光成分は、透光性枠部から外方へ出射可能である。

Abstract translation: 发光装置包括第一电极，第二电极，半导体激光元件，接合线，半透明框架部分和盖部分。 第一电极具有突出部分，围绕突出部分的底表面和第一表面。 第二电极具有面向第一电极的底表面的第一表面，并具有第二表面。 此外，第二电极具有开口，以及从第二表面在第一表面的方向上后退的台阶部。 半导体激光元件设置在突出部分的上方，并具有发光层。 接合线能够电连接半导体激光元件和台阶部。 半透明框架部分包括玻璃并围绕突出部分和半导体激光元件。 半透明框架部分结合到底表面和第二电极的第一表面。 盖部分结合到第二电极的第二表面。 从半导体激光元件发出的激光中，能够从半透明灯框向外部输出半高的光分量的全宽。

公开(公告)号：WO2012115246A1

公开(公告)日：2012-08-30

申请号：PCT/JP2012/054635

申请日：2012-02-24

Applicant: ローム株式会社 ,  小比賀 晃 ,  北川 雅之

Inventor： 小比賀　晃 ,  北川　雅之

IPC: H01S5/022

CPC classification number: H04B10/503 ,  H01S5/005 ,  H01S5/02228 ,  H01S5/0228 ,  H01S5/02296 ,  H01S5/0683 ,  H01S5/183

Abstract: 　本発明の通信モジュールは、基板と、前記基板の表面に設けられ、互いに離れているレーザ素子および受光素子と、前記レーザ素子および前記受光素子を一括して封止する透明な樹脂パッケージと、前記レーザ素子の出射面に対して所定の距離を隔てて対向するように設けられ、前記レーザ素子が出射したレーザ光を拡散させるための拡散ユニットとを含み、前記レーザ素子と前記受光素子との距離Ｔは、下記式（１）を満たす、通信モジュール。　Ｔ≧ｔ 1 ・ｔａｎθ＋（ｔ 1 ＋ｔ 2 ）・ｔａｎθ´・・・（１） （式（１）中、ｔ 1 は前記レーザ素子の前記出射面と前記拡散ユニットとの距離を示し、θは前記レーザ素子の最大出射角を示し、ｔ 2 は前記基板の前記表面に対する前記出射面までの高さと前記受光素子の受光面までの高さとの差を示し、θ´は前記拡散ユニットの最大拡散角を示している。）

Abstract translation: 该通信模块包括：基板; 激光元件和光接收元件，其设置在基板的正面上并彼此分离; 一个半透明树脂封装，一次密封激光元件和光接收元件; 以及散射单元，其与激光元件的发射面相对设置有规定距离，以散射激光元件发射的激光。 激光元件和受光元件之间的距离（T）满足公式（1）：T = t1·tanθ +（t1 + t2）·tanθ'，其中t1是激光元件的发射面与散射单元之间的距离; ？ 是激光元件的最大发射角; t2是从基板的正面到出射面的高度与从基板的正面到受光元件的受光面的高度的差; 和？' 是散射单位的最大散射角。

公开(公告)号：WO2011121686A1

公开(公告)日：2011-10-06

申请号：PCT/JP2010/006334

申请日：2010-10-27

Applicant: 株式会社日立製作所 ,  ▲高▼井 俊明 ,  崎川 幸夫

Inventor： ▲高▼井　俊明　 ,  崎川　幸夫

IPC: H01L23/02 ,  H01L21/52 ,  H01L31/02 ,  H01L33/52

CPC classification number: H01L23/10 ,  H01L21/50 ,  H01L24/05 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/83 ,  H01L27/14618 ,  H01L33/0079 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/2732 ,  H01L2224/2745 ,  H01L2224/29082 ,  H01L2224/291 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/29294 ,  H01L2224/293 ,  H01L2224/29324 ,  H01L2224/29355 ,  H01L2224/29363 ,  H01L2224/29366 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32237 ,  H01L2224/83011 ,  H01L2224/83121 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83193 ,  H01L2224/8321 ,  H01L2224/83444 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/8381 ,  H01L2224/83815 ,  H01L2224/83862 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/15159 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2924/3651 ,  H01L2924/3656 ,  H01S5/02208 ,  H01S5/02272 ,  H01S5/02296 ,  H01S5/423 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2224/81121 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2924/00

Abstract: 　低コストかつ簡便なプロセスにより、ウェハ接合時の反りを低減した、ウェハ接合半導体装置を提供する。　第１のウェハ基板と第２のウェハ基板を接合するウェハ接合半導体装置の製造方法において、予め第１のウェハ基板と第２のウェハ基板のウェハ接合面側に、加熱時に接合機能を有する接合部材を形成する第１の工程と、第１の工程により形成された前記接合部材の表面に、反応性を有する少なくとも２つの粉体材料を含んだフラックスペーストを供給する第２の工程と、第２の工程により供給された前記フラックスペーストの反応を開始させるための励起を行う第３の工程とを含む、ウェハ接合半導体装置の製造方法。

Abstract translation: 公开了一种晶片接合的半导体器件，其中通过简单的工艺以低成本降低了晶片接合时产生的翘曲。 制造第一晶片基板和第二晶片基板的晶片接合半导体器件的制造方法包括：第一工序，其中预先在第一晶片基板的晶片接合面侧形成具有加热时的接合功能的接合部件，以及 第二晶片基板; 第二步骤，其中将包含至少两种反应性粉末材料的助焊剂供给到在第一步骤中形成的接合部件的表面; 以及第三步骤，其中进行激发以使得在第二步骤中供应的助焊剂浆料开始反应。

公开(公告)号：WO2011111334A1

公开(公告)日：2011-09-15

申请号：PCT/JP2011/001178

申请日：2011-03-01

Applicant: 株式会社 東芝 ,  東芝マテリアル株式会社 ,  中川 勝利 ,  大屋 恭正 ,  船山 欣能 ,  碓井 大地

Inventor： 中川　勝利 ,  大屋　恭正 ,  船山　欣能 ,  碓井　大地

IPC: H01L33/48 ,  H01S5/022

CPC classification number: H01L33/501 ,  H01L33/02 ,  H01L33/504 ,  H01L33/505 ,  H01L33/56 ,  H01S5/005 ,  H01S5/02228 ,  H01S5/02296

Abstract: 　実施形態の発光装置１は、平板状のアルミナ基板２と、その上に実装された半導体発光素子３と、蛍光体層４とを具備している。蛍光体層４は、半導体発光素子３の上面及び側面を覆うように設けられたシリコーン樹脂層５と、半導体発光素子３から出射された光により励起されて可視光を発光する蛍光体６とを有している。蛍光体６はシリコーン樹脂層５中に分散されている。アルミナ基板２は５％以上６０％以下の吸水率を有し、かつアルミナ基板２とシリコーン樹脂層５との密着強度が１Ｎ以上とされている。

Abstract translation: 公开了一种设置有平面氧化铝基板（2），安装在氧化铝基板（2）上的半导体发光元件（3））和荧光体层（4）的发光装置（1）。 荧光体层（4）设置有覆盖半导体发光元件（3）的上表面和侧面的硅树脂层（5）和发射可见光的荧光体（6） 通过由半导体发光元件（3）发射的光而被激发。 荧光体（6）分散在有机硅树脂层（5）中。 氧化铝基板（2）的吸水率为5％〜60％，氧化铝基板（2）和硅树脂层（5）之间的粘合强度为1N以上。

公开(公告)号：WO2009074951A3

公开(公告)日：2010-02-25

申请号：PCT/IB2008055159

申请日：2008-12-09

Applicant: KONINKL PHILIPS ELECTRONICS NV ,  SCHEMMANN MARCEL F C

Inventor： SCHEMMANN MARCEL F C

IPC: H01S5/026 ,  G01P3/36 ,  G06F3/03 ,  H01S5/183

CPC classification number: H01S5/187 ,  G06F3/0317 ,  H01L31/1105 ,  H01L31/167 ,  H01L31/184 ,  H01S5/02296 ,  H01S5/0264 ,  H01S5/183 ,  H01S5/18388

Abstract: The present invention relates to a semiconductor laser for use in an optical module for measuring distances and/or movements, using the self-mixing effect. The semiconductor laser comprises a layer structure including an active region (3) embedded between two layer sequences (1, 2) and further comprises a photodetector arranged to measure an intensity of an optical field resonating in said laser. The photodetector is a phototransistor composed of an emitter layer (e), a collector layer (c) and a base layer (b), each of which being a bulk layer and forming part of one of said layer sequences (1, 2). With the proposed semiconductor laser an optical module based on this laser can be manufactured more easily, at lower costs and in a smaller size than known modules.

Abstract translation: 本发明涉及一种用于光学模块的半导体激光器，用于使用自混合效应来测量距离和/或移动。 半导体激光器包括层结构，该层结构包括嵌入在两个层序列（1,2）之间的有源区（3），并且还包括光电检测器，被布置为测量在所述激光中谐振的光场的强度。 光电检测器是由发射极层（e），集电极层（c）和基极层（b）组成的光电晶体管，每个层是主体层，并形成所述层序列（1,2）之一的一部分。 利用所提出的半导体激光器，可以以比已知的模块更低的成本和更小的尺寸更容易地制造基于该激光器的光学模块。

公开(公告)号：WO2009103056A2

公开(公告)日：2009-08-20

申请号：PCT/US2009/034269

申请日：2009-02-17

Applicant: JANSEN, Michael

Inventor： JANSEN, Michael

IPC: H01S5/04 ,  H01S5/183 ,  H01S5/125

CPC classification number: H01S5/183 ,  H01S3/109 ,  H01S5/005 ,  H01S5/0092 ,  H01S5/02236 ,  H01S5/02296 ,  H01S5/026 ,  H01S5/0286 ,  H01S5/14 ,  H01S5/423 ,  H01S5/5018 ,  H01S5/5036 ,  H01S5/5081

Abstract: A semiconductor surface emitting optical amplifier chip utilizes a zigzag optical path within an optical amplifier chip. The zigzag optical path couples two or more gain elements. Each individual gain element has a circular aperture and includes a gain region and at least one distributed Bragg reflector. In one implementation the optical amplifier chip includes at least two gain elements that are spaced apart and have a fill factor no greater than 0.5. As a result the total optical gain may be increased. The optical amplifier chip may be operated as a superluminescent LED. Alternately, the optical amplifier chip may be used with external optical elements to form an extended cavity laser. Individual gain elements may be operated in a reverse biased mode to support gain-switching or mode-locking.

Abstract translation: 半导体表面发射光学放大器芯片利用光学放大器芯片内的曲折光路。 锯齿形光路耦合两个或更多增益元件。 每个单独的增益元件具有圆形孔径并且包括增益区域和至少一个分布式布拉格反射器。 在一个实施方式中，光学放大器芯片包括至少两个增益元件，所述增益元件间隔开并且具有不大于0.5的填充因子。 结果总光学增益可能会增加。 光学放大器芯片可以作为超发光LED来操作。 或者，光学放大器芯片可以与外部光学元件一起使用以形成扩展腔式激光器。 单独的增益元件可以在反向偏置模式下工作，以支持增益切换或模式锁定。