公开(公告)号：WO2011108436A1

公开(公告)日：2011-09-09

申请号：PCT/JP2011/054133

申请日：2011-02-24

申请人： 国立大学法人大阪大学 ,  菅沼 克昭 ,  金 声俊

发明人： 菅沼　克昭 ,  金　声俊

IPC分类号： H01L21/52 ,  B23K35/28 ,  C22C18/00

CPC分类号： C22C18/00 ,  B23K35/282 ,  B23K2201/40 ,  H01L24/05 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/05187 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05664 ,  H01L2224/29 ,  H01L2224/291 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/29118 ,  H01L2224/29294 ,  H01L2224/29298 ,  H01L2224/293 ,  H01L2224/32227 ,  H01L2224/325 ,  H01L2224/32507 ,  H01L2224/83101 ,  H01L2224/83439 ,  H01L2224/83444 ,  H01L2224/83447 ,  H01L2224/83455 ,  H01L2224/83464 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01025 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01041 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/10272 ,  H01L2924/1033 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/05432 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2224/29199 ,  H01L2224/29299 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/014

摘要： 　本発明による基板１１０に半導体部材１２０を積層した半導体装置１００は、半導体部材１２０と基板１１０とは亜鉛を主成分とする半導体装置用接合材１３０を介して接合されている。また、基板１１０の表面および半導体部材１２０の表面の少なくとも一方に半導体装置用接合材１３０の拡散を防ぐコート層が設けられている。また、コート層１４０は、窒化物、炭化物または炭窒化物からなるバリア層１４１と、貴金属からなる保護層１４２とを積層して構成される。更に、バリア層１４１を構成する窒化物、炭化物または炭窒化物は、基板１１０に設けられた絶縁層１１１を構成する物質が有する自由エネルギーよりも小さい自由エネルギーを有するように選択される。

摘要翻译： 公开了一种半导体器件（100），其包括层叠在基板（110）上的半导体部件（120），其中半导体部件（120）和基板（110）通过半导体器件接合材料（130）彼此接合， 含锌为主要成分。 用于防止半导体器件接合材料（130）的扩散的涂层设置在基板（110）的表面和半导体部件（120）的表面中的至少一个上。 涂层（140）由包含氮化物，碳化物或碳氮化物的阻挡层（141）和包含贵金属的保护层（142）构成，其中阻挡层（141）和保护层（142） 彼此层压。 构成阻挡层（141）的氮化物，碳化物或碳氮化物被选择为具有小于形成在基板（110）上的构成绝缘层（111）的物质的自由能的自由能。