公开(公告)号：WO2013059762A1

公开(公告)日：2013-04-25

申请号：PCT/US2012061240

申请日：2012-10-21

申请人： UNIV CALIFORNIA ,  PAN TINGRUI ,  DING YUZHE ,  GARLAND SHAUN P ,  MENG YUAN

发明人： PAN TINGRUI ,  DING YUZHE ,  GARLAND SHAUN P ,  MENG YUAN

IPC分类号： C09J5/00 ,  C09J4/00 ,  C09J5/02 ,  C09J5/04 ,  C09J9/02

CPC分类号： B32B37/0038 ,  B32B37/14 ,  B32B38/0012 ,  C08G77/04 ,  C09J4/00 ,  C09J5/02 ,  C09J2203/326 ,  C09J2400/123 ,  C09J2400/126 ,  C09J2400/163 ,  C09J2400/166 ,  C09J2400/226 ,  C09J2400/228 ,  C09J2483/00 ,  H01L21/187 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/30 ,  H01L24/32 ,  H01L24/83 ,  H01L24/95 ,  H01L25/0657 ,  H01L2224/27003 ,  H01L2224/27334 ,  H01L2224/27416 ,  H01L2224/27436 ,  H01L2224/2744 ,  H01L2224/278 ,  H01L2224/29082 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/3011 ,  H01L2224/3012 ,  H01L2224/3015 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/325 ,  H01L2224/83002 ,  H01L2224/83009 ,  H01L2224/83143 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2224/95085 ,  H01L2924/15787 ,  Y10T156/1039 ,  Y10T156/1744 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00

摘要： One embodiment of the present invention provides a system for bonding a first substrate and a second substrate. During operation, the system starts by treating a first surface of the first substrate and a second surface of the second substrate with a hydrophilic treatment. The system then transfers a first oligomer layer onto the treated first surface and a second oligomer layer onto the treated second surface. Next, the system treats the first oligomer layer and the second oligomer layer for hydrophilic activation. The system subsequently brings the first oligomer layer into contact with the second oligomer layer, thereby allowing the two oligomer layers to adhere and form a single bonding layer between the first substrate and the second substrate. In particular, each of the first oligomer layer and the second oligomer layer is a polydimethylsiloxane (PDMS) layer.

摘要翻译： 本发明的一个实施例提供一种用于接合第一基板和第二基板的系统。 在操作期间，系统通过亲水处理处理第一基板的第一表面和第二基板的第二表面来开始。 然后，系统将第一低聚物层转移到经处理的第一表面上，将第二低聚物层转移到经处理的第二表面上。 接下来，该系统处理第一低聚物层和第二低聚物层以进行亲水活化。 该系统随后使第一低聚物层与第二低聚物层接触，从而允许两个低聚物层在第一基板和第二基板之间粘附并形成单个结合层。 特别地，第一低聚物层和第二低聚物层中的每一个是聚二甲基硅氧烷（PDMS）层。

公开(公告)号：WO2006038907A3

公开(公告)日：2007-06-14

申请号：PCT/US2004042404

申请日：2004-12-16

申请人： BOAZ PREMAKARAN T

发明人： BOAZ PREMAKARAN T

IPC分类号： H01L23/48 ,  B23K35/26 ,  B32B5/16 ,  B32B15/01 ,  C22C13/00 ,  H05K3/34

CPC分类号： C22C13/00 ,  B23K35/0238 ,  B23K35/262 ,  C22C12/00 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/29211 ,  H01L2224/29386 ,  H01L2224/325 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/09701 ,  H05K3/3463 ,  H05K2201/0209 ,  H05K2201/0212 ,  H05K2201/068 ,  Y10T428/12708 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/05442 ,  H01L2924/05342 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2224/29199 ,  H01L2224/29299 ,  H01L2224/2929

摘要： A lead-free solder composition (12) for soldering onto a substrate includes a solder having tin and silver; and additive (14) having a low coefficient of thermal expansion.

摘要翻译： 用于焊接到基板上的无铅焊料组合物（12）包括具有锡和银的焊料; 和具有低热膨胀系数的添加剂（14）。

公开(公告)号：WO01033623A1

公开(公告)日：2001-05-10

申请号：PCT/JP1999/006021

申请日：1999-10-29

IPC分类号： H01L21/56 ,  H01L25/10 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L24/83 ,  H01L21/563 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L25/105 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/1134 ,  H01L2224/13016 ,  H01L2224/16237 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/293 ,  H01L2224/29499 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/325 ,  H01L2224/73203 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81385 ,  H01L2224/81903 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83385 ,  H01L2224/838 ,  H01L2224/83851 ,  H01L2225/1005 ,  H01L2225/1023 ,  H01L2225/107 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/0781 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/29075 ,  H01L2224/05599

摘要： A semiconductor flip chip (1) is positioned on a support substrate (2) precisely. A semiconductor device comprises a semiconductor chip having pads (1b) on its major surface (1a), a support substrate having a wiring section (2b) electrically connected to the pads, an insulating layer (2c) formed around the wiring section, and a recessed section (2f) which is made in a connection surface (2e) of the wiring section and of which the height from an mounting surface (2d) is lower than the insulating layer, a gold bump (4) positioned by the recessed section and interposed between the pads of the semiconductor chip and the wiring section, and an ACF (3) for ensuring the connection between the gold bump and the wiring section. When the semiconductor chip is mounted, the gold bump is precisely positioned on the wiring section.

摘要翻译： 半导体倒装芯片（1）精确地定位在支撑基板（2）上。 一种半导体器件包括其主表面（1a）上具有焊盘（1b）的半导体芯片，具有与焊盘电连接的布线部分（2b）的支撑基板，形成在布线部分周围的绝缘层（2c） 凹部（2f），其形成在布线部的连接面（2e）中，其从安装面（2d）的高度比绝缘层低，由凹部定位的金凸块（4）和 插入在半导体芯片的焊盘和布线部之间，以及用于确保金凸块和布线部之间的连接的ACF（3）。 当安装半导体芯片时，金凸块精确地定位在布线部分上。

公开(公告)号：WO2015004956A1

公开(公告)日：2015-01-15

申请号：PCT/JP2014/058852

申请日：2014-03-27

申请人： 三菱電機株式会社

发明人： 山▲崎▼　浩次 ,  荒木　健

IPC分类号： H01L21/52 ,  B23K20/00 ,  B23K35/14

CPC分类号： H01L24/49 ,  B23K20/004 ,  B23K35/3006 ,  C22C5/06 ,  H01L23/49 ,  H01L23/49513 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/43 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/83 ,  H01L24/85 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/26175 ,  H01L2224/2733 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/325 ,  H01L2224/32507 ,  H01L2224/4501 ,  H01L2224/45139 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/45155 ,  H01L2224/4516 ,  H01L2224/48225 ,  H01L2224/48499 ,  H01L2224/48507 ,  H01L2224/49173 ,  H01L2224/83011 ,  H01L2224/83014 ,  H01L2224/8309 ,  H01L2224/8314 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83203 ,  H01L2224/83385 ,  H01L2224/83439 ,  H01L2224/85801 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01026 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01031 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10254 ,  H01L2924/10272 ,  H01L2924/1033 ,  H01L2924/12 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/19107 ,  H01L2924/2064 ,  H01L2924/20641 ,  H01L2924/20751 ,  H01L2924/20752 ,  H01L2924/20753 ,  H01L2924/20754 ,  H01L2924/20755 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012

摘要： 　接合対象物間が接合された接合部において、ボイドが少ない高融点の金属間化合物を形成することを目的とする。　本発明の半導体装置（３０）は、実装基板（回路基板（１２））に形成された第１のＡｇ層（４）と、半導体素子（９）に形成された第２のＡｇ層（１０）との間に挟持された合金層（１３）を備え、合金層（１３）は、第１のＡｇ層（４）及び第２のＡｇ層（１０）のＡｇ成分と、Ｓｎによって形成されたＡｇ３Ｓｎの金属間化合物を有し、Ａｇを含んだ複数のワイヤ（５）が当該合金層（１３）の外周側から延伸して配置されたことを特徴とする。

摘要翻译： 本发明的目的是在物体接合的接头处形成具有高熔点和较少空隙的金属间化合物。 根据本发明的半导体器件（30）的特征在于，半导体器件（30）设置有夹在形成在安装基板（电路基板（12））上的第一Ag层（4） ）和形成在半导体元件（9）上的第二Ag层（10），合金层（13）包括由第一Ag层（4）的Ag成分和第二Ag层（10）形成的Ag 3 Sn的金属间化合物 ）和Sn，并且从合金层（13）的外周侧延伸设置有多个含Ag电极线（5）。

公开(公告)号：WO2013029656A1

公开(公告)日：2013-03-07

申请号：PCT/EP2011/064874

申请日：2011-08-30

申请人： EV GROUP E. THALLNER GMBH ,  MARTINSCHITZ, Klaus ,  WIMPLINGER, Markus ,  REBHAN, Bernhard ,  HINGERL, Kurt

发明人： MARTINSCHITZ, Klaus ,  WIMPLINGER, Markus ,  REBHAN, Bernhard ,  HINGERL, Kurt

IPC分类号： H01L21/60 ,  H01L23/488

CPC分类号： H01L21/76251 ,  B23K20/021 ,  B23K20/023 ,  B23K35/001 ,  B23K35/0255 ,  B23K35/262 ,  B23K35/302 ,  B23K2201/40 ,  H01L21/185 ,  H01L24/05 ,  H01L24/08 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/83 ,  H01L24/94 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/038 ,  H01L2224/0384 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/05557 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/0801 ,  H01L2224/08501 ,  H01L2224/2745 ,  H01L2224/27452 ,  H01L2224/275 ,  H01L2224/27505 ,  H01L2224/278 ,  H01L2224/2784 ,  H01L2224/29019 ,  H01L2224/2908 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/29124 ,  H01L2224/29144 ,  H01L2224/29147 ,  H01L2224/29166 ,  H01L2224/29181 ,  H01L2224/29184 ,  H01L2224/29211 ,  H01L2224/29311 ,  H01L2224/29347 ,  H01L2224/3201 ,  H01L2224/325 ,  H01L2224/32501 ,  H01L2224/7565 ,  H01L2224/83013 ,  H01L2224/83022 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83193 ,  H01L2224/83203 ,  H01L2224/83345 ,  H01L2224/83365 ,  H01L2224/83385 ,  H01L2224/838 ,  H01L2224/8383 ,  H01L2224/8384 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/1434 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2224/83

摘要： Die vorliegende Erfindung betrifft ein verfahren zum Bonden eines ersten Festkörpersubstrats (1 ) mit einem eine erstes Material enthaltenden zweiten Festkörpersubstrat (2) mit folgenden Schritten, insbesondere folgendem Ablauf: - Ausbildung oder Aufbringung einer ein zweites Material enthaltenden Funktionsschicht (5) auf das zweite Festkörpersubstrat (2), - Kontaktieren des ersten Festkörpersubstrats (1 ) mit dem zweiten Festkörpersubstrat (2) an der Funktionsschicht (5), - Zusammenpressen der Festkörpersubstrate (1, 2) zur Ausbildung eines permanenten Bonds zwischen dem ersten und dem zweiten Festkörpersubstrat (1, 2), zumindest teilweise verstärkt durch Festkörperdiffusion und/oder Phasenumwandlung des ersten Materials mit dem zweiten Material, wobei eine Volumenvergrößerung an der Funktionsschicht (5) bewirkt wird. Während des Bondens wird die Löslichkeitsgrenze des ersten Materials für das zweite Material nicht oder nur geringfügig überschritten, so dass Ausscheidung von intermetallischen Phasen möglichst weitgehend vermieden wird und dagegen Mischkristall ausgebildet wird. Das erste Material kann Kupfer und das zweite Material kann Zinn sein.

摘要翻译： 本发明涉及一种用于接合具有含第二固体基底（2）包括以下步骤，特别是下列序列中的第一材料的第一固体基材（1）： - 第二固体基材上的含第二材料的功能层（5）的形成或沉积 （2）， - 所述第一固态衬底（1）与第二固体基材（2）到所述功能层接触（5）， - 压缩所述固体底物（1,2），以形成所述第一和之间的永久键（第二固体基底1， 2）通过，由此增加在所述功能层的体积（5）被实现固态扩散和/或与所述第二材料的第一材料的相变，至少部分地加强。 在接合时，第一材料的第二材料中的溶解度不或仅略微超过，从而使沉淀避免尽可能金属间相和在另一方面，形成混晶。 所述第一材料可以是铜，并且第二材料可以是锡。

公开(公告)号：WO2010047139A1

公开(公告)日：2010-04-29

申请号：PCT/JP2009/057438

申请日：2009-04-13

申请人： 三菱電機株式会社 ,  前田 晃 ,  大津 健嗣 ,  山田 朗

发明人： 前田 晃 ,  大津 健嗣 ,  山田 朗

IPC分类号： B23K35/26 ,  B23K1/00 ,  C22C13/02 ,  H01L21/52

CPC分类号： C22C13/02 ,  B23K1/0016 ,  B23K35/24 ,  B23K35/262 ,  B23K2201/36 ,  B23K2201/40 ,  C22C1/02 ,  C22C13/00 ,  H01L24/05 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/05099 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/29 ,  H01L2224/29109 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/29298 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/325 ,  H01L2224/83455 ,  H01L2224/838 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01025 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01041 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/013 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/0133 ,  H01L2924/0134 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2224/29199 ,  H01L2224/29299 ,  H01L2224/2929

摘要： 　はんだ合金（３）は、Ｓｂを５質量％以上１５質量％以下、Ｃｕを３質量％以上８質量％以下、Ｎｉを０．０１質量％以上０．１５質量％以下、Ｉｎを０．５質量％以上５質量％以下含んでいる。残部がＳｎおよび不可避的不純物を含んでいる。これにより、半導体素子（２）の割れを抑制し、さらにはんだ材の耐クラック性を向上させる高信頼なはんだ合金（３）および半導体装置（１）を得ることができる。

摘要翻译： 焊料合金（3）包含5〜15质量％的Sb，3-8质量％的Cu，0.01〜0.15质量％的Ni和0.5〜5质量％的In。 余量包括Sn和不可避免的杂质。 因此，可以获得高可靠性的焊料合金（3）和半导体元件（2）的开裂受限的半导体器件（1），并且另外还改善了焊料材料的抗裂纹性 。

公开(公告)号：WO01075963A1

公开(公告)日：2001-10-11

申请号：PCT/DE2001/000932

申请日：2001-03-12

IPC分类号： H01L23/36 ,  H01L21/58 ,  H01L21/60 ,  H01L23/373

CPC分类号： H01L24/83 ,  H01L23/3736 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L2224/29101 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/325 ,  H01L2224/83193 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/8384 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/07802 ,  H01L2924/07811 ,  H01L2924/1301 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/3512

摘要： The invention relates to a method for producing a heat-conducting connection between two work pieces (1, 2), which is characterized by first producing a porous sintered layer (3), interposed between the two work pieces (1, 2) and sintered onto every work piece (1, 2) across a certain area, and subsequently compacting the porous sintered layer (3) sintered onto the two work pieces (1, 2) by pressing the two work pieces (1, 2) against each other.

摘要翻译： 一种用于生产两个工件之间的热传导的连接方法（1，2），其中，第一多孔烧结层中的两个工件之间的热传导性的材料（3）（1，2）和在每个工件（1，2）表面的烧结 用相对压在一起的两个工件的制备，并随后在所述两个工件（1，2）表面上烧结多孔烧结层（3）（1，2）被压缩。

公开(公告)号：WO2012013514A1

公开(公告)日：2012-02-02

申请号：PCT/EP2011/062082

申请日：2011-07-14

申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  BARCHMANN, Bernd ,  KRÄUTER, Gertrud ,  MÜLLER, Klaus ,  STREITEL, Reinhard

发明人： BARCHMANN, Bernd ,  KRÄUTER, Gertrud ,  MÜLLER, Klaus ,  STREITEL, Reinhard

IPC分类号： H01L33/62 ,  H01L33/64 ,  H01L23/495 ,  H01L31/024

CPC分类号： H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/48 ,  H01L24/83 ,  H01L31/024 ,  H01L33/62 ,  H01L33/641 ,  H01L33/647 ,  H01L2224/29194 ,  H01L2224/29298 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/29344 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/325 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/8384 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01076 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/07811 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/181 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

摘要： Es handelt sich um ein elektronisches Bauelement (100a, 100b, 200), insbesondere ein optoelektronisches Bauelement. Das elektronische Bauelement weist ein Substrat (124, 224) mit mindestens einer Halbleiterchip-Kontaktschicht (110a, 110b, 210) auf. Auf der Halbleiterchip-Kontaktschicht (110a, 110b, 210) ist ein Halbleiterchip (102, 202) angeordnet. Zwischen der Halbleiterchip-Kontaktschicht (110a, 110b, 210) und einer dem Substrat (124, 224) zugewandten Kontaktfläche (104, 204) des Halbleiterchips (102, 202) ist eine Poren aufweisende Verbindungsschicht (106, 206) angeordnet.

摘要翻译： 它是电子部件（100A，100B，200），特别是光电子器件。 所述电子部件包括：基板（124，224）具有至少一个半导体芯片的接触层（110A，110B，210）。 在半导体芯片的接触层（110A，110B，210）是一个半导体芯片（102，202）被布置。 半导体芯片接触层（110A，110B，210）和面向所述半导体芯片（102,202）的接触表面（104，204）的衬底（124，224）之间的是空隙化互连层（106，206）被布置。

公开(公告)号：WO2011108436A1

公开(公告)日：2011-09-09

申请号：PCT/JP2011/054133

申请日：2011-02-24

申请人： 国立大学法人大阪大学 ,  菅沼 克昭 ,  金 声俊

发明人： 菅沼　克昭 ,  金　声俊

IPC分类号： H01L21/52 ,  B23K35/28 ,  C22C18/00

CPC分类号： C22C18/00 ,  B23K35/282 ,  B23K2201/40 ,  H01L24/05 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/05187 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05664 ,  H01L2224/29 ,  H01L2224/291 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/29118 ,  H01L2224/29294 ,  H01L2224/29298 ,  H01L2224/293 ,  H01L2224/32227 ,  H01L2224/325 ,  H01L2224/32507 ,  H01L2224/83101 ,  H01L2224/83439 ,  H01L2224/83444 ,  H01L2224/83447 ,  H01L2224/83455 ,  H01L2224/83464 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01025 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01041 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/10272 ,  H01L2924/1033 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/05432 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2224/29199 ,  H01L2224/29299 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/014

摘要： 　本発明による基板１１０に半導体部材１２０を積層した半導体装置１００は、半導体部材１２０と基板１１０とは亜鉛を主成分とする半導体装置用接合材１３０を介して接合されている。また、基板１１０の表面および半導体部材１２０の表面の少なくとも一方に半導体装置用接合材１３０の拡散を防ぐコート層が設けられている。また、コート層１４０は、窒化物、炭化物または炭窒化物からなるバリア層１４１と、貴金属からなる保護層１４２とを積層して構成される。更に、バリア層１４１を構成する窒化物、炭化物または炭窒化物は、基板１１０に設けられた絶縁層１１１を構成する物質が有する自由エネルギーよりも小さい自由エネルギーを有するように選択される。

摘要翻译： 公开了一种半导体器件（100），其包括层叠在基板（110）上的半导体部件（120），其中半导体部件（120）和基板（110）通过半导体器件接合材料（130）彼此接合， 含锌为主要成分。 用于防止半导体器件接合材料（130）的扩散的涂层设置在基板（110）的表面和半导体部件（120）的表面中的至少一个上。 涂层（140）由包含氮化物，碳化物或碳氮化物的阻挡层（141）和包含贵金属的保护层（142）构成，其中阻挡层（141）和保护层（142） 彼此层压。 构成阻挡层（141）的氮化物，碳化物或碳氮化物被选择为具有小于形成在基板（110）上的构成绝缘层（111）的物质的自由能的自由能。

公开(公告)号：WO2003036692A2

公开(公告)日：2003-05-01

申请号：PCT/US2002/034516

申请日：2002-10-28

申请人： INTEL CORPORATION

发明人： GONZALEZ, Carlos ,  SHI, Songhua ,  DJUKIC, Milan

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： H01L21/563 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/29036 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/29386 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/325 ,  H01L2224/73203 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81903 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01087 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1433 ,  H01L2924/3511 ,  Y10T29/49144 ,  Y10T29/49146 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/05442 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/29075

摘要： High yield, high reliability, flip-chip integrated circuit (IC) packages are achieved utilizing a combination of heat and pressure to bond flip-chip die and to cure no-flow underfill material. The underfill comprises a filler or low coefficient of thermal expansion (CTE) material to decrease CTE of the cured underfill. The filler material can be selected from the group comprising silica, silicon oxide, silicon dioxide, silicon nitride, aluminum oxide, aluminum nitride, or a mixture thereof. The filler material may also increase the viscosity of the uncured underfill and/or increase the modulus of elasticity of the cured underfill. In some method embodiments, a thermocompression bonder is used to simultaneously provide solder bump reflow and underfill curing. Application of various methods to a component package, an electronic assembly, and an electronic system are also described.

摘要翻译： 利用热和压力的组合实现高产率，高可靠性，倒装芯片集成电路（IC）封装，以结合倒装芯片模具并固化无流动的底部填充材料。 底部填充物包括填充剂或低热膨胀系数（CTE）材料以降低固化的底部填充物的CTE。 填充材料可以选自二氧化硅，氧化硅，二氧化硅，氮化硅，氧化铝，氮化铝或其混合物。 填充材料还可以增加未固化的底部填充物的粘度和/或增加固化的底部填充物的弹性模量。 在一些方法实施例中，使用热压接合器来同时提供焊料凸点回流和底部填充固化。 还描述了将各种方法应用于组件封装，电子组件和电子系统。