Abstract:
본 발명은 동 커넥터를 구비한 판형 열교환기에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 열교환기와 연결을 위한 동(cooper)재 연결 배관과의 용접성을 높이기 위하여 판형 열교환기의 커넥터를 종래 스테인리스강(stainless steel)재에서 동(cooper)재로 대체한 동 커넥터를 구비한 판형 열교환기 및 이를 제작하는 방법에 관한 것이다. 이를 위하여, 상기 상하부 플레이트 및 열교환판(2) 사이에 황동납 플레이트를 삽입한 후 적층하여 조립체를 형성하는 과정(S11); 상기 포트홀에 동 커넥터를 황동납 링과 함께 또는 차례로 삽입하는 과정(S12); 상기 커넥터가 삽입된 조립체를 진공브레이징로에 장입 후 980~1050℃로 조립체 및 커넥터를 동시에 브레이징 접합시키는 과정(S13);을 포함하는 것을 특징으로 한다.
Abstract:
Die Erfindung betrifft einen Plattenwärmeübertrager (1), aufweisend eine Mehrzahl an parallelen Wärmeaustauschpassagen (3), die durch Trennplatten (4) voneinander getrennt sind, wobei die jeweilige Wärmeaustauschpassage (3) an zumindest einer Seite durch eine Randleiste (8) begrenzt ist, und wobei die jeweilige Randleiste (8) eine erste Oberfläche (81) und eine der ersten Oberfläche (81) abgewandte zweite Oberfläche (82) aufweist, und wobei die beiden Oberflächen (81, 82) mit je einer zugeordneten Trennplatte (4) verlötet sind. Erfindungsgemäß ist vorgesehen, dass die beiden Oberflächen (81, 82) jeweils eine Oberflächenstruktur (9) mit einer Mehrzahl an regelmäßig angeordneten Erhöhungen und Vertiefungen aufweisen, wobei der Abstand (B) einer Erhöhung zu einer benachbarter Erhöhung (802) oder einer Vertiefung zu einer benachbarten Vertiefung (801) im Bereich von 0,1 mm bis 2,5 mm liegt.
Abstract:
Die Erfindung betrifft ein Heizelement (17) mit einer Montageseite (31) für eine SMD-Montage auf einem Schaltungsträger (11). Weiterhin betrifft die Erfindung eine elektronische Baugruppe mit einer Leiterplatte (11), auf der die Heizelemente (17) montiert sind. Erfindungsgemäß ist vorgesehen, dass die Heizelemente ein Gehäuse (19) aufweisen, in dem eine reaktive Substanz (33) vorgesehen ist. In einem ebenfalls beanspruchten Verfahren zum Herstellen der elektronischen Baugruppe werden die Heizelemente erfindungsgemäß verwendet, um bei einer Reaktionstemperatur, die unterhalb der Fügetemperatur für die Lötverbindungen (28) liegt, zu reagieren. Dadurch wird es vorteilhaft möglich, die Prozesstemperaturen in einem Lötofen, in dem das Löten durchgeführt wird, abzusenken bzw. die Durchlaufzeiten der elektronischen Baugruppe zu verringern. Der daraus resultierende fehlende Wärmeeintrag wird durch die Heizelemente aufgebracht. Insbesondere können die Heizelemente auch eingesetzt werden, um eine ungleichmäßige Erwärmung der elektronischen Baugruppe im Lötofen auszugleichen.
Abstract:
In various embodiments, apparatuses for receiving and supporting one or more components during processing thereof at process temperatures greater than approximately 1000°C feature refractory metal shelves separated by refractory metal support posts.
Abstract:
Disclosed is a semi-amorphous, ductile brazing foil with a composition consisting essentially of NibalFeaCrbPcSidBeMof with approximately 30 atomic percent ≤ a ≤ approximately 70 atomic percent; approximately 0 atomic percent ≤ b ≤ approximately 20 atomic percent; approximately 9 atomic percent ≤ c ≤ approximately 16 atomic percent; approximately 0 atomic percent ≤ d ≤ approximately 4 atomic percent; e ≤ approximately 2 atomic percent; f ≤approximately 5 atomic percent; and the balance being Ni and other impurities; where c+d+e
Abstract translation:公开了一种半无定形的延性钎焊箔,其组成基本上由NibalFeaCrbPcSidBeMof组成,其中约30原子%≤a≤约70原子%; 约0原子%≤b≤约20原子%; 约9原子%≤c≤约16原子%; 约0原子%≤d≤约4原子%; e≤约2原子%; f≤5原子%; 余量为Ni和其他杂质; 其中c + d + e <约16原子%。