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    静電容量型トランスデューサ及び音響センサ
    2.
    发明申请
    静電容量型トランスデューサ及び音響センサ 审中-公开
    电容式传感器和声学传感器

    公开(公告)号：WO2016143867A1

    公开(公告)日：2016-09-15

    申请号：PCT/JP2016/057630

    申请日：2016-03-10

    Applicant: オムロン株式会社

    Inventor： 井上　匡志

    IPC: H04R19/04 ,  B81B3/00 ,  H01L29/84

    CPC classification number: H04R19/04 ,  B81B3/00 ,  B81B7/0061 ,  B81B2201/0257 ,  B81B2203/0127 ,  B81C1/00309 ,  H04R7/12 ,  H04R19/005 ,  H04R31/00

    Abstract: 　音響の検出時における周波数特性を良好に維持しつつ、過大な圧力が作用したときの振動電極膜の過剰な変形を抑制することによって振動電極膜の破損を回避することのできる技術を提供する。音響振動を振動電極膜１５とバックプレート１７における固定電極膜の間の静電容量の変化に変換して検出する音響センサにおいて、振動電極膜１５が過大な圧力を受けて変形した際に、バックプレート１７に一体に設けられた凸部１７ｂと振動電極膜１５の相対移動によって、凸部１７ｂと振動電極膜１５の一部との隙間により形成される空気流路の流路面積を増大させることで、振動電極膜１５に印加された圧力を解放する。

    Abstract translation: 提供了一种技术，其可以通过抑制由于过大的压力而受到振动电极膜的过度变形，同时在声学检测时保持良好的频率特性而避免对振动电极膜的损坏。 该声学传感器通过将所述声振动转换成背板17上的振动电极膜15和固定电极膜之间的电容变化来检测声振动，其中当振动电极膜15受到过大的压力而变形时， 一体地设置有背板17的突出部分17b与振动电极膜15之间的相对运动导致通过突出部分17b和一部分之间的间隙形成的空气流动通道的流动通道面积 振动电极膜15增加，从而释放施加到振动电极膜15上的压力。

    SENSORBAUTEIL
    3.
    发明申请
    SENSORBAUTEIL 审中-公开
    传感器部件

    公开(公告)号：WO2014033056A1

    公开(公告)日：2014-03-06

    申请号：PCT/EP2013/067512

    申请日：2013-08-23

    Applicant: ROBERT BOSCH GMBH

    Inventor： BENZEL, Hubert

    IPC: G01L19/00 ,  B81C1/00 ,  G01K7/16 ,  G01N27/16 ,  G01N27/22

    CPC classification number: G01L19/0092 ,  B81B2201/0264 ,  B81B2201/0278 ,  B81B2207/012 ,  B81C1/00309 ,  G01D5/245 ,  G01N27/223 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/1815 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

    Abstract: Es wird vorgeschlagen, die Sensorfunktionen eines Drucksensors (11), eines Temperatursensors (12) und eines Feuchtesensors (13) sowie eine Auswerteschaltung (14) für diese Sensorkomponenten (11, 12, 13) in einem Sensorbauteil (200) zu integrieren, wobei zumindest die Drucksensorkomponente (11) in einem MEMS-Bauelement (20) realisiert ist und das Gehäuse (27) des Sensorbauteils (200) mindestens eine Medienzugangsöffnung (28) für die Sensorkomponenten (11, 13) aufweist.

    Abstract translation: 所以建议的压力传感器（11），温度传感器（12）和湿度传感器（13）和用于这些传感器组件（11,12，13）的评估电路（14）的传感器的功能集成在一个传感器部分（200），其中至少 压力传感器组件（11）中的MEMS装置（20）以及用于所述传感器组件（11，13）的传感器元件（200）的至少一个媒体存取开口（28）的壳体（27）来实现。

    MULTIPLE DEGREE OF FREEDOM MEMS SENSOR CHIP AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME
    5.
    发明申请
    MULTIPLE DEGREE OF FREEDOM MEMS SENSOR CHIP AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME 审中-公开
    多种自由度MEMS传感器芯片及其制造方法

    公开(公告)号：WO2016145535A1

    公开(公告)日：2016-09-22

    申请号：PCT/CA2016/050303

    申请日：2016-03-17

    Applicant: MOTION ENGINE INC.

    Inventor： BOYSEL, Robert Mark

    IPC: B81B7/02 ,  G01C19/574 ,  G01D21/02 ,  G01L9/00 ,  G01P15/08 ,  G01P15/18 ,  G01R33/028

    CPC classification number: G01P15/097 ,  B81B7/0061 ,  B81B7/02 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2201/0242 ,  B81B2201/0264 ,  B81B2201/0292 ,  B81C1/00238 ,  B81C1/00309 ,  G01C19/5712 ,  G01C19/574 ,  G01C19/5762 ,  G01C19/5769 ,  G01D21/02 ,  G01L9/00 ,  G01L9/0045 ,  G01P15/0802 ,  G01P15/125 ,  G01P15/18 ,  G01R33/028 ,  G01R33/0286

    Abstract: A single Micro-Electro-Mechanical System (MEMS) sensor chip is provided, for measuring multiple parameters, referred to as multiple degrees of freedom (DOF). The sensor chip comprises a central MEMS wafer bonded to a top cap wafer and a bottom cap wafer, all three wafer being electrically conductive. The sensor comprises at least two distinct sensors, each patterned in the electrically conductive MEMS wafer and in at least one of the top and bottom cap wafer. Insulated conducting pathways extend from electrical connections on the top or bottom cap wafers, through at least one of the electrically conductive top cap and bottom cap wafers, and through the electrically conductive MEMS wafer, to the sensors, for conducting electrical signals between the sensors and the electrical connections. The two or more distinct sensors are enclosed by the top and bottom cap wafers and by the outer frame of MEMS wafer.

    Abstract translation: 提供单个微机电系统（MEMS）传感器芯片，用于测量称为多自由度（DOF）的多个参数。 传感器芯片包括结合到顶盖晶片和底盖晶片的中心MEMS晶片，所有三个晶片都是导电的。 传感器包括至少两个不同的传感器，每个传感器在导电MEMS晶片和顶盖和底盖晶片中的至少一个中被图案化。 绝缘导电通道从顶盖或底盖晶片上的电连接延伸穿过导电顶盖和底盖晶片中的至少一个，并通过导电MEMS晶片延伸到传感器，用于传导传感器与传感器之间的电信号 电气连接。 两个或更多个不同的传感器被顶盖和底盖晶片以及MEMS晶片的外框包围。

    MIKROFON MIT VERGRÖßERTEM RÜCKVOLUMEN UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG
    6.
    发明申请
    MIKROFON MIT VERGRÖßERTEM RÜCKVOLUMEN UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG 审中-公开
    麦克风放大后体积及其制备方法

    公开(公告)号：WO2015161940A1

    公开(公告)日：2015-10-29

    申请号：PCT/EP2015/053404

    申请日：2015-02-18

    Applicant: EPCOS AG

    Inventor： PAHL, Wolfgang

    IPC: H04R1/28 ,  H04R19/01 ,  H04R31/00

    CPC classification number: H04R1/222 ,  B81B7/0061 ,  B81B7/0064 ,  B81B2201/0257 ,  B81B2203/0127 ,  B81B2207/015 ,  B81C1/00309 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2924/16151 ,  H01L2924/16152 ,  H04R1/04 ,  H04R1/2807 ,  H04R19/016 ,  H04R19/04 ,  H04R31/006 ,  H04R2201/003

    Abstract: Für ein Mikrofon mit vergrößertem Rückvolumen wird ein Hohlraumgehäuse vorgeschlagen, das zumindest eine Bodenplatte und eine Abdeckung umfasst, die den Hohlraum definieren und umschließen. Auf der Bodenplatte istein Mikrofonwandler, üblicherweise ein MEMS-Bauteil neben einem Schallführungselement montiert. Mikrofonwandler und Schallführungselement sind mit einer Abtrennung gegen die Bodenplatte abgedichtet und trennen das Frontvolumen von einem Rückvolumen unterhalb der Abdeckung. Das Schallführungselementstellt einen Schallkanal zur Verfügung, der eine Öffnung in der Abdeckung mit dem Vorvolumen verbindet. Das Schallführungselement schließt dicht an die Abdeckung an und dichtet so den Schallkanal gegen das Rückvolumen ab.

    Abstract translation: 对于具有空腔壳体提出的放大后容积，其包括至少一个底板和盖的麦克风，其限定所述空腔和包围。 在底板Istein麦克风换能器，通常安装旁边的一个声音引导元件的MEMS器件。 麦克风换能器和声音引导元件被密封与从底板的分离和断开盖下方一个卷的前容积。 声音引导元件提供连接声音通道，在盖中的开口与所述初始体积。 声音引导部件紧密地封闭靠盖，从而密封抵靠从所述后体积的声音通道。

    LOW-PROFILE MEMS THERMAL PRINTHEAD DIE HAVING BACKSIDE ELECTRICAL CONNECTIONS
    7.
    发明申请
    LOW-PROFILE MEMS THERMAL PRINTHEAD DIE HAVING BACKSIDE ELECTRICAL CONNECTIONS 审中-公开
    低配置型微电子热敏打印机背面电气连接

    公开(公告)号：WO2012106661A3

    公开(公告)日：2013-01-31

    申请号：PCT/US2012023862

    申请日：2012-02-03

    Applicant: KATEEVA INC ,  GOLDA DARIUSZ ,  KIM HYEUN-SU ,  GASSEND VALERIE

    Inventor： GOLDA DARIUSZ ,  KIM HYEUN-SU ,  GASSEND VALERIE

    IPC: B41J2/32 ,  H01L51/56

    CPC classification number: B41J2/3359 ,  B41J2/335 ,  B81C1/00309 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

    Abstract: A thermal printhead die is formed from an SOI structure as a MEMS device. The die has a printing surface, a buried oxide layer, and a mounting surface opposite the printing surface. A plurality of ink delivery sites are formed on the printing surface, each site having an ink-receiving and ink-dispensing structure. An ohmic heater is formed adjacent to each structure, and an under-bump metallization (UBM) pad is formed on the mounting surface and is electrically connected to the ohmic heater, so that ink received by the ink-delivery site and electrically heated by the ohmic heater may be delivered to a substrate by sublimation. A through-silicon-via (TSV) plug may be formed through the thickness of the die and electrically coupled through the buried oxide layer from the ohmic heater to the UBM pad. Layers of interconnect metal may connect the ohmic heater to the UBM pad and to the TSV plug.

    Abstract translation: 热打印头芯片由作为MEMS器件的SOI结构形成。 模具具有印刷表面，掩埋氧化物层和与印刷表面相对的安装表面。 在打印表面上形成多个墨水输送部位，每个部位都具有墨水接收和墨水分配结构。 在每个结构附近形成欧姆加热器，并且在安装表面上形成凸块下金属化（UBM）焊盘，并与欧姆加热器电连接，使得由油墨传送部位接收的电和由 欧姆加热器可以通过升华被输送到基板。 可以通过芯片的厚度形成贯通硅通孔（TSV）插头，并通过掩埋氧化层从欧姆加热器电耦合到UBM焊盘。 互连金属层可以将欧姆加热器连接到UBM焊盘和TSV插头。

    METHOD FOR THE PRODUCTION OF A MICROMECHANICAL COMPONENT COMPRISING A THROUGH-HOLE, COMPONENT PRODUCED USING SAID METHOD, AND USE THEREOF
    8.
    发明申请
    METHOD FOR THE PRODUCTION OF A MICROMECHANICAL COMPONENT COMPRISING A THROUGH-HOLE, COMPONENT PRODUCED USING SAID METHOD, AND USE THEREOF 审中-公开
    用于生产微机械结构与取得的程序或组件持续，开幕 ITS USE

    公开(公告)号：WO2010060684A3

    公开(公告)日：2011-02-24

    申请号：PCT/EP2009063469

    申请日：2009-10-15

    Applicant: BOSCH GMBH ROBERT ,  AHLES MARCUS ,  BENZEL HUBERT ,  WEBER HERIBERT

    Inventor： AHLES MARCUS ,  BENZEL HUBERT ,  WEBER HERIBERT

    IPC: B81C1/00

    CPC classification number: G01L9/0042 ,  B81B2203/0353 ,  B81C1/00087 ,  B81C1/00309 ,  B81C2201/0112 ,  B81C2201/014 ,  B81C2203/0118

    Abstract: The invention relates to a method for producing a micromechanical component, the component produced using said method, and a use of the micromechanical component during the production of a micromechanical sensor component. In order to produce the micromechanical component, a first structured layer is first produced on the front side of a semiconductor wafer, and the semiconductor wafer is etched from the front side using a first trench etching step in accordance with said first structured layer. A second structured layer is then applied to the rear side of the semiconductor wafer, and the semiconductor wafer is etched from the rear side using a second trench etching step in accordance with the second structured layer. The invention is characterized in that a through-hole from the front side to the rear side is produced in the semiconductor wafer using the first and the second trench etching step.

    Abstract translation: 本发明描述了一种用于制造微机械装置，通过该方法和生产的微机械传感器装置的使用微机械部件的制造的装置的方法。 为了制造微机械部件的最初产生在半导体晶片的前侧上的第一图案化层，在其依赖由第一Trenchätzschritts从正面侧的半导体晶片的装置进行蚀刻。 然后将第二图案化层被施加在半导体晶片的背面通过第二Trenchätzschritts从背面对半导体晶片的装置在它们的依赖性被蚀刻。 本发明的本质在于，在所述半导体晶片通过所述第一和第二Trenchätzschritts而形成从前方到后方的连续开口。

    INTERNAL BARRIER FOR ENCLOSED MEMS DEVICES
    10.
    发明申请
    INTERNAL BARRIER FOR ENCLOSED MEMS DEVICES 审中-公开
    用于封装的MEMS器件的内部障碍

    公开(公告)号：WO2016040897A1

    公开(公告)日：2016-03-17

    申请号：PCT/US2015/049832

    申请日：2015-09-11

    Applicant: INVENSENSE, INC.

    Inventor： HUANG, Anatole ,  SHIN, Jongwoo ,  SMEYS, Peter ,  ZHANG, Cerina ,  SHIN, Jong II

    IPC: B81C1/00

    CPC classification number: B81B7/0061 ,  B81B7/02 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2201/0242 ,  B81B2203/0353 ,  B81B2207/012 ,  B81B2207/07 ,  B81C1/00285 ,  B81C1/00309 ,  B81C2201/013 ,  B81C2203/0145 ,  B81C2203/0172 ,  B81C2203/035 ,  B81C2203/0785

    Abstract: A MEMS device having a channel configured to avoid particle contamination is disclosed. The MEMS device includes a MEMS substrate and a base substrate. The MEMS substrate includes a MEMS device area, a seal ring and a channel. The seal ring provides for dividing the MEMS device area into a plurality of cavities, wherein at least one of the plurality of cavities includes one or more vent holes. The channel is configured between the one or more vent holes and the MEMS device area. Preferably, the channel is configured to minimize particles entering the MEMS device area directly. The base substrate is coupled to the MEMS device substrate.

    Abstract translation: 公开了具有被配置为避免颗粒污染的通道的MEMS器件。 MEMS器件包括MEMS衬底和基底衬底。 MEMS衬底包括MEMS器件区域，密封环和沟道。 密封环提供将MEMS器件区域分成多个空腔，其中多个空腔中的至少一个包括一个或多个通气孔。 通道配置在一个或多个通气孔和MEMS器件区域之间。 优选地，通道被配置为使直接进入MEMS器件区域的颗粒最小化。 基底衬底耦合到MEMS器件衬底。

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