MEMS-BAUELEMENT, VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES MEMS-BAUELEMENTS UND VERFAHREN ZUR HANDHABUNG EINES MEMS-BAUELEMENTS

    公开(公告)号:WO2009092361A3

    公开(公告)日:2009-07-30

    申请号:PCT/DE2009/000073

    申请日:2009-01-21

    Abstract: Es wird ein MEMS-Bauelement angegeben, das ein Substrat (1) aufweist, in dem wenigstens eine Kavität (2) vorhanden ist. Zu einer aktiven Seite des Substrats (1) hin ist die Kavität (2) verschlossen. Eine inaktive Seite ist gegenüber der aktiven Seite des Substrats (1) angeordnet, und das Substrat (1) ist auf der inaktiven Seite mit einer Abdeckfolie (3) bedeckt. Des Weiteren wird ein Verfahren zur Herstellung eines MEMS-Bauelements angegeben, das die folgenden Schritte aufweist. Im ersten Schritt werden Kavitäten (2) auf einem Substrat-Wafer (1) hergestellt, wobei die Kavitäten (2) zu einer aktiven Seite hin verschlossen sind und zu einer inaktiven Seite hin eine Öffnung aufweisen. In einem zweiten Schritt wird eine Abdeckfolie (3) auf die inaktive Seite des Substrat-Wafers (1) aufgebracht, wobei die Abdeckfolie (3) wenigstens im Bereich des Substrat-Wafers (1) zwischen den Kavitäten (2) mit dem Substrat-Wafer (1) verklebt ist.

    BAUELEMENT MIT REDUZIERTEM TEMPERATURGANG UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG
    4.
    发明申请
    BAUELEMENT MIT REDUZIERTEM TEMPERATURGANG UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG 审中-公开
    具有产生降低温度的过渡和方法的Component

    公开(公告)号:WO2009019308A2

    公开(公告)日:2009-02-12

    申请号:PCT/EP2008/060417

    申请日:2008-08-07

    CPC classification number: H03H9/02834 H03H9/02574 Y10T29/42

    Abstract: Es wird ein Bauelement vorgeschlagen, welches verschiedene Maßnahmen zur Absenkung des Temperaturgangs kombiniert. Das Bauelement kann ein piezoelektrisches Substrat aufweisen, und aus der Oberseite des Substrates können sich elektrisch leitende Bauelementstrukturen befinden. Die Unterseite des Substrates ist mit einer Kompensationsschicht mechanisch fest verbunden so dass eine mechanische Verspannung entsteht. Die Unterseite des Substrates und die Oberseite der Kompensationsschicht weisen eine Topographie auf.

    Abstract translation: 公开是结合各种措施以降低温度响应的装置。 该设备可以包括一个压电基片,并且从基板的导电部件的结构可以位于的顶部。 在基板的下侧与补偿层,使得机械应力机械连接牢固。 所述基板的与下侧上的补偿层的顶部有一个形貌。

    ELEKTRISCHES BAUELEMENT MIT VERKAPSELUNG UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG
    6.
    发明申请
    ELEKTRISCHES BAUELEMENT MIT VERKAPSELUNG UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG 审中-公开
    根据上述制造封装和方式电COMPONENT

    公开(公告)号:WO2005048452A1

    公开(公告)日:2005-05-26

    申请号:PCT/EP2004/011830

    申请日:2004-10-19

    CPC classification number: H03H9/1071 H03H9/02866

    Abstract: Zur Verkapselung eines elektrischen Bauelements wird vorgeschlagen, den Bauelementchip auf einer Trägerplatte aufzukleben und ihn elektrisch leitend mit auf der Oberfläche der Trägerplatte vorgesehenen metallischen Anschlussflächen zu verbinden, die wiederum mit metallischen Anschlusskontakten auf der Unterseite der Trägerplatte verbunden sind. Über dem Chip wird eine eine Ausnehmung aufweisende Kappe auf der Trägerplatte so aufgeklebt, dass im Inneren ein Hohlraum verbleibt. Mit Hilfe einer nachträglich verschliessbaren Ausgleichsöffnung wird eine sichere Verklebung ohne Verrutschen und ohne Beschädigung der Klebestellen ermöglicht.

    Abstract translation: 用于电气部件的封装建议胶合在载体板的元件芯片和连接它导电连接设置在支撑板的金属焊盘,它们又连接到承载板的下侧上的金属连接接触的表面上。 具有在承载板的凹部的盖被如此接合,有残留在内部在芯片的空腔。 使用后可密封的补偿打开一个安全的粘接不打滑,不损坏接头成为可能。

    BAUELEMENT MIT HERMETISCHER VERKAPSELUNG UND WAFERSCALE VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG
    7.
    发明申请
    BAUELEMENT MIT HERMETISCHER VERKAPSELUNG UND WAFERSCALE VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG 审中-公开
    建筑元素与密封和瓦斯化的制造方法

    公开(公告)号:WO2004044980A2

    公开(公告)日:2004-05-27

    申请号:PCT/EP2003/011448

    申请日:2003-10-15

    Inventor: PAHL, Wolfgang

    Abstract: Es wird ein Bauelement mit sandwichartigem Aufbau beschrieben, bei dem der Bauelementstrukturen tragende Chip mit einer Rahmenstruktur und einer diffusionsdichten Abdeckung so verklebt wird, dass die Bauelementstrukturen im Inneren des Aufbaus und vorzugsweise in einem Hohlraum angeordnet sind. Die Schichtübergänge des Aufbaus sind an den Seitenkanten mit einer Metallisierung geschützt. Durchkontaktierungen durch die Abdeckung verbinden Kontakte auf der Unterseiten der Abdekkung mit den Anschlussmetallisierungen der Bauelementstrukturen auf dem Chip. Die Durchkontaktierungen sind mit einer Unterseitenmetallisierung abgedichtet.

    Abstract translation:

    将描述在该组件的结构支撑芯片接合到框架结构和一个扩散防止盖,使得在该结构的内部的部件的结构和优选地被布置在组件的空腔中的夹层结构。 该结构的层长度在侧边被金属化。 通过盖子的过孔将盖子底面上的触点连接到芯片上器件结构的终端金属化。 过孔用底部金属化封口。

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