Abstract:
An improved apparatus for temporary wafer bonding includes a temporary bonder cluster and a debonder cluster. The temporary bonder cluster includes temporary bonder modules that perform electronic wafer bonding processes including adhesive layer bonding, combination of an adhesive layer with a release layer bonding and a combination of a UV-light curable adhesive layer with a laser absorbing release layer bonding. The debonder cluster includes a thermal slide debonder, a mechanical debonder and a radiation debonder.
Abstract:
A system and method for peeling a semiconductor chip from a tape using a multistage ejector is disclosed. A housing in the multistage ejector houses a plural sets of tape removing contacts. A pick and place unit is moved slowly to have contact with the chip. A vacuum source is utilized for generating vacuum to suck the tape. Plural sets of contacts such as inner, middle and outer contacts are independently or together moved below the tape at various stages by utilizing their respective actuation mechanism. A controller can independently control the movements of each contact to effectively remove or loosen the tape from the chip. A pick and place unit can then pick up the chip easily without any damage to chip.
Abstract:
Vorrichtung zum Ablösen eines Wafers von einem mit dem Wafer durch eine Verbindungsschicht verbundenen Träger mit einer Aufnahmeeinrichtung zur Aufnahme eines aus dem Träger und dem Wafer bestehenden Träger-Wafer-Verbundes, einem Verbindungslösemittel zur Lösung der durch die Verbindungsschicht vorgesehenen Verbindung zwischen Träger und Wafer und Ablösungsmitteln zur Ablösung des Wafers von dem Träger oder zur Ablösung des Trägers von dem Wafer, wobei das Verbindungslösemittel in einem Temperaturbereich von 0 bis 350 °C, insbesondere von 10 bis 200 °C, vorzugsweise von 20 bis 80 °C, noch bevorzugter bei Umgebungstemperatur arbeitend ausgebildet ist. Weiterhin betrifft die Erfindung ein Verfahren zum Ablösen eines Wafers von einem mit dem Wafer durch eine Verbindungsschicht verbundenen Träger mit folgenden Schritten: Aufnahme eines aus dem Träger und dem Wafer bestehenden Träger-Wafer-Verbundes auf einer Aufnahmeeinrichtung, Lösung der durch die Verbindungsschicht vorgesehenen Verbindung zwischen Träger und Wafer durch ein Verbindungslösemittel und Ablösung des Wafers von dem Träger oder zur Ablösung des Trägers von dem Wafer durch Ablösungsrnitteln, wobei das Verbindungslösemittel in einem Temperaturbereich von bis 350 °C, insbesondere von 10 bis 200 °C, vorzugsweise von 20 bis 80 °C, noch bevorzugter bei Umgebungstemperatur arbeitet.
Abstract:
A chip pickup apparatus and a chip pickup method by which a chip can be picked up at a high speed without damaging the chip, and a chip peeling apparatus and a chip peeling method are provided. A chip pickup apparatus picks up the chip (6) adhered on a sheet (5) by holding the chip with a pickup nozzle (20) by suction. In the chip pickup apparatus, a sheet push up member (24) provided by spherically forming a flexible elastic body such as rubber is mounted on an abutting support surface on an upper surface of a peeling tool (22), a push up surface of the sheet push up member (24) is permitted to follow a lower surface of the sheet (5) in planar and abut to the sheet when the pickup nozzle (20) is brought down, and when the pickup nozzle (20) moves up with the chip (6), the lower surface of the sheet (5) is pushed up by deforming the push up surface into a curved shape which is convex upward. Thus, the sheet (5) and the chip (6) can be peeled from an outer end side of the chip.
Abstract:
An apparatus and method for separating a semiconductor die (303) from an adhesive tape (32) are disclosed. The apparatus includes a blade (34) mechanically coupled to a blade holder (36), wherein the blade (34) is inclined relative to the primary surface of the semiconductor die (303). The method further comprises lifting the semiconductor die (303) while it is attached to the adhesive tape (32) to assist disengagement. The blade (34) facilitates peeling of the semiconductor die (303) from the adhesive tape (32) while distributing stress exerted on the semiconductor die (303) over a larger surface area resulting in reduced die fractures (20).