公开(公告)号：WO2014019598A1

公开(公告)日：2014-02-06

申请号：PCT/EP2012/064851

申请日：2012-07-30

Applicant: THALLNER, Erich

Inventor： THALLNER, Erich

IPC: H01L21/683

CPC classification number: B32B37/0076 ,  B32B7/045 ,  B32B37/18 ,  B32B2457/14 ,  H01L21/6835 ,  H01L23/10 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/544 ,  H01L24/05 ,  H01L24/08 ,  H01L24/13 ,  H01L24/14 ,  H01L24/16 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/73 ,  H01L24/75 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/92 ,  H01L24/94 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2221/68318 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2223/54426 ,  H01L2223/54493 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/05557 ,  H01L2224/05558 ,  H01L2224/0556 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/14145 ,  H01L2224/276 ,  H01L2224/29011 ,  H01L2224/29014 ,  H01L2224/2902 ,  H01L2224/29187 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32052 ,  H01L2224/32055 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32502 ,  H01L2224/32506 ,  H01L2224/73104 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/75251 ,  H01L2224/75253 ,  H01L2224/75822 ,  H01L2224/75824 ,  H01L2224/81143 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2224/831 ,  H01L2224/83193 ,  H01L2224/832 ,  H01L2224/83203 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2224/92125 ,  H01L2224/94 ,  H01L2225/06568 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/10155 ,  H01L2924/351 ,  Y10T156/10 ,  Y10T428/24826 ,  Y10T428/24942 ,  H01L2224/83 ,  H01L2224/291 ,  H01L2924/014 ,  H01L2224/81 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2924/00

Abstract: Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Bonden eines ersten Substrats (1) mit einem zweiten Substrat (7) mit folgenden Schritten, insbesondere folgendem Ablauf: • - Kontaktierung einer ersten Kontaktfläche (1k) des ersten Substrats (1) mit einer parallel zur ersten Kontaktfläche (1k) ausgerichteten zweiten Kontaktfläche (18k) des zweiten Substrats (7), wodurch eine gemeinsame Kontaktfläche (22) gebildet wird, • - Herstellung einer punktuellen, stoffschlüssigen Verbindung (11") zwischen dem ersten Substrat (1) und dem zweiten Substrat (7) außerhalb der gemeinsamen Kontaktfläche (22). Weiterhin betrifft die Erfindung eine korrespondierende Vorrichtung und einen Substratverbund aus einem ersten Substrat (1) und einem zweiten Substrat (7), bei dem eine erste Kontaktfläche (lk) des ersten Substrats (1) mit einer parallel zur ersten Kontaktfläche (1k) ausgerichteten zweiten Kontaktfläche (18k) des zweiten Substrats (7) eine gemeinsame Kontaktfläche (22) bildet, wobei außerhalb der gemeinsamen Kontaktfläche (22) eine punktuelle, stoffschlüssige Verbindung zwischen dem ersten Substrat (1) und dem zweiten Substrat (7) besteht.

Abstract translation: 本发明涉及一种方法，用于与第二基片（7），具有以下步骤接合第一基板（1），尤其是以下序列：。 - 接触第一衬底的第一接触表面（1K）（1）对准平行于第二基板（7），由此形成一个共同的接触表面（22）的第一接触表面（1K）的第二接触表面（18K）的平面中。 - 所述第一基板之间的选择性，材料锁定连接（11“）的制备（1）和第二基板（7）的共同接触面的外侧（22）此外，本发明涉及相应的设备和第一衬底的复合衬底（1） 和第二基板（7），其中，所述第一基板（1）与所述第二基板的平行对准的第一接触面（1K）的第二接触表面（18K）的第一接触表面（LK）（7）形成的共通的接触表面（22） 其中（1）和第二基板（7）有所述第一基板之间的共用接触表面（22）外的选择性，材料锁定连接。

公开(公告)号：WO2012152507A1

公开(公告)日：2012-11-15

申请号：PCT/EP2012/055840

申请日：2012-03-30

Applicant: THALLNER, Erich

Inventor： THALLNER, Erich

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/762

CPC classification number: H01L21/71 ,  H01L21/187 ,  H01L21/2007 ,  H01L21/67 ,  H01L21/67092

Abstract: Die vorliegende Erfindung betrifft eine Vorrichtung zum Bonden zweier Wafer (2, 3) an einer Verbindungsfläche (V) der Wafer (2, 3) wobei ein Druckübertragungsmittel mit einer Druckfläche (D) zur Beaufschlagung der Wafer (2, 3) mit einem Bonddruck an der Druckfläche (D) vorgesehen ist, dadurch gekennzeichnet, dass die Druckfläche (D) kleiner als die Verbindungsfläche (V) ist. Weiterhin betrifft die vorliegende Erfindung ein Verfahren zum Bonden zweier Wafer (2, 3) an einer Verbindungsfläche (V) der beiden Wafer (2, 3), wobei durch Druckübertragungsmittel (1) mit einer Druckfläche (D) zur Beaufschlagung der Wafer (2, 3) ein Bonddruck nacheinander auf Teilabschnitte der Verbindungsfläche (V) aufgebracht wird.

Abstract translation: 本发明涉及一种用于接合两个晶片的装置（2，3）在所述晶片的连接区域（V）（2,3），其中一个压力传递装置具有压力表面（D），用于与在接合压力加载在晶片（2，3） 设置在压力表面（D），其特征在于，所述压力表面（D）比所述连接区域（V）小。 此外，本发明涉及一种键合两个晶片的方法（2，3）在所述两个晶片中的一个连接区域（V）（2,3），所述压力传递装置（1）与压力面（D）（用于作用在晶片2 3）在序列上与连接区域（V）的部分的接合压力被施加。

公开(公告)号：WO2021239253A1

公开(公告)日：2021-12-02

申请号：PCT/EP2020/065012

申请日：2020-05-29

Applicant: THALLNER, Erich

Inventor： THALLNER, Erich

IPC: H01L21/683 ,  H01L21/6835 ,  H01L2221/68309

Abstract: Die Erfindung betrifft Verfahren zum temporären Bonden eines Produktsubstrats mit einem Trägersubstrat sowie zum Debonden eines Produktsubstrates von einem Trägersubstrat, entsprechende Vorrichtungen und einen Substratstapel.

公开(公告)号：WO2013185804A1

公开(公告)日：2013-12-19

申请号：PCT/EP2012/061117

申请日：2012-06-12

Applicant: THALLNER, Erich

Inventor： THALLNER, Erich

IPC: H01L21/683 ,  H01L21/68

CPC classification number: H01L21/6835 ,  H01L21/67092 ,  H01L2221/68327

Abstract: Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung einer Substrat-Produktsubstrat-Kombination durch Ausrichten, Kontaktieren und Bonden einer Kontaktseite (20) eines flächigen Substrats (2, 2') mit einer Stützfläche (50) eines Trägersubstrats (5, 5'), wobei das Substrat (2, 2') beim Kontaktieren einen größeren mittleren Durchmesser d1 aufweist als der mittlere Durchmesser d2 des Trägersubstrats (5, 5'). Darüber hinaus betrifft die Erfindung ein Substrat (2, 2') zur Herstellung einer Substrat-Produktsubstrat-Kombination durch Ausrichten, Kontaktieren und Bonden einer Kontaktseite (20) des flächigen Substrats (2, 2') mit einer Stützfläche (50) eines Trägersubstrats (5, 5'), wobei das Substrat (2, 2) einen Durchmesser d1 aufweist, der durch die Form des Querschnitts des Substrats (2, 2') an dessen Umfangskontur (2u) beim Rückdünnen verringerbar ist. Weiters betrifft die Erfindung eine korrespondierende Vorrichtung und eine Verwendung eines flächigen Substrats (2) mit einem mittleren Durchmesser d1 zum Ausrichten und Kontaktieren mit einem Trägersubstrat (5) mit einem mittleren Durchmesser d2 für die Weiterverarbeitung des flächigen Substrats (2), wobei der mittlere Durchmesser d1 größer als der mittlere Durchmesser d2 ist.

Abstract translation: 本发明涉及一种方法，用于通过对准，接触和“与载体基板（5，5的支撑表面（50））结合的平坦衬底（2,2）”的接触侧（20）一种制造衬底产品衬底组合，其中所述 底物（2,2“）更大的平均直径d具有与所述载体基片（5,5的平均直径D2接触时”）。 此外，本发明涉及一种底物（2,2“），用于产生通过对准，接触并接合所述平坦的基板（2，2的接触侧（20）的衬底产品衬底组合”与载体基板的支撑表面（50））（ 5，5“），其中所述衬底（2,2）的直径D1，由基板（2，2的横截面的形状”在其周边轮廓（2U））时backthinning被减小。 此外，本发明提供了一种相应的装置和有关一个使用具有用于对准，并用（5）具有用于所述平面基底（2）的进一步处理的平均直径为d2的载体基片接触的平均直径d1处的平坦的基板（2），其中所述平均直径 d1大于平均直径D2大。

公开(公告)号：WO2013185803A1

公开(公告)日：2013-12-19

申请号：PCT/EP2012/061109

申请日：2012-06-12

Applicant: THALLNER, Erich

Inventor： THALLNER, Erich

IPC: H01L21/68 ,  H01L21/67

CPC classification number: H01L21/68 ,  H01L21/67121 ,  H01L21/67346 ,  H01L21/67736 ,  H01L21/681 ,  H01L21/682 ,  Y10T428/21

Abstract: Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung zum Ausrichten und Kontaktieren eines flächigen Substrats (2, 2') mit einem Trägersubstrat (5, 5') für die Weiterverarbeitung des Substrats (2, 2'). Darüber hinaus betrifft die Erfindung ein korrespondierendes Verfahren und eine Verwendung eines flächigen Substrats (2, 2') mit einem mittleren Durchmesser d1 zum Ausrichten und Kontaktieren mit einem Trägersubstrat (5, 5') mit einem mittleren Durchmesser d2 für die Weiterverarbeitung des flächigen Substrats (2, 21), wobei der mittlere Durchmesser d1 größer als der mittlere Durchmesser d2 ist.

Abstract translation: 本发明涉及一种设备，用于“与载体基板（5,5对基板（2，2“）的进一步处理）对准并接触在平坦的基底（2,2”）。 此外，本发明涉及一种相应的方法和一种使用一个平的基底（2,2“），其具有用于对准并与载体基板（5,5接触的平均直径D1”），具有用于所述平面基底的进一步处理的平均直径D2（ 2，21），其中，所述平均直径d1大于平均直径D2大。

公开(公告)号：WO2011120538A1

公开(公告)日：2011-10-06

申请号：PCT/EP2010/002065

申请日：2010-03-31

Applicant: EV GROUP GMBH ,  THALLNER, Erich ,  WIMPLINGER, Markus ,  KAST, Michael

Inventor： THALLNER, Erich ,  WIMPLINGER, Markus ,  KAST, Michael

IPC: G02B3/00 ,  B29D11/00

CPC classification number: G02B3/0031 ,  B29D11/00375

Abstract: Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung einer Mikrolinse mit einem Trägerwafer, bei dem eine Linse in einer Öffnung des Trägerwafers durch Prägen der Linse in den Trägerwafer eingeformt wird sowie eine korrespondierende Vorrichtung zur Ausübung des Verfahrens und eine mit dem Verfahren hergestellte Mikrolinse. Weiterhin betrifft die Erfindung eine Vorrichtung zur Herstellung einer Mikrolinse sowie eine Mikrolinse.

Abstract translation: 本发明涉及一种用于制造具有载体晶片，其中，在所述载体晶片的开口的透镜是通过压花加工在载体晶片的透镜以及用于执行该方法的相应的装置和由该方法制造的微透镜形成的微透镜的方法。 此外，本发明涉及一种用于制造微透镜的装置，和一个微透镜。

公开(公告)号：WO2007112833A1

公开(公告)日：2007-10-11

申请号：PCT/EP2007/002206

申请日：2007-03-13

Applicant: THALLNER, Erich

Inventor： THALLNER, Erich

IPC: H01L21/00

CPC classification number: H01L21/6715 ,  G03F7/162

Abstract: Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung (1) und ein Verfahren zum Beschichten eines mikro- und/oder nanostrukturierten Struktursubstrats (8). Erfindungsgemäß erfolgt die Beschichtung in einer Vakuumkammer (3). Während oder nach der Beschickung der Vakuumkammer (3) mit Beschichtungssubstanz wir das Druckniveau in der Vakuumkammer (3) erhöht.

Abstract translation: 本发明涉及一种用于涂布微结构化和/或纳米结构化结构基底（8）的装置（1）和方法。 发明＆AUML;大街 涂层发生在真空室（3）中。 在用涂层物质涂覆真空室（3）期间或之后，我们增加真空室（3）中的压力水平。

公开(公告)号：WO2015197132A1

公开(公告)日：2015-12-30

申请号：PCT/EP2014/063687

申请日：2014-06-27

Applicant: THALLNER, Erich

Inventor： THALLNER, Erich

IPC: H01L21/67 ,  B32B43/00 ,  H01L21/683

CPC classification number: H01L21/67092 ,  B32B37/08 ,  B32B43/006 ,  B32B2309/105 ,  B32B2457/00 ,  H01L21/67103 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/6836 ,  H01L21/68714 ,  H01L2221/68318 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2221/68381

Abstract: Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zum Lösen eines mit einem zweiten Substrat (4) durch eine Verbindungsschicht (3, 3', 3", 3"', 3IV) verbundenen ersten Substrats (2) von dem zweiten Substrat (4) durch Versprödung der Verbindungsschicht (3, 3', 3", 3'", 3 IV ). Weiterhin betrifft die vorliegende Erfindung eine korrespondierende Vorrichtung. Darüber hinaus betrifft die vorliegende Erfindung ein Verfahren zum Bonden eines ersten Substrats (2) mit einem zweiten Substrat (4) mit einer, insbesondere durch Abkühlung, versprödbaren Verbindungsschicht (3, 3', 3", 3''', 3 IV ). Weiterhin betrifft die vorliegende Erfindung eine Verwendung eines versprödbaren Materials zur Herstellung einer Verbindungsschicht (3, 3', 3", 3'", 3 IV ) zwischen einem ersten Substrat (2) und einem zweiten Substrat (4) zur Ausbildung eines aus dem ersten Substrat (2), dem zweiten Substrat (4) und der dazwischen angeordneten Verbindungsschicht (3, 3', 3", 3"', 3 IV ) gebildeten Substratstapels (1, 1', 1", 1 "', 1 IV , 1 V ). Außerdem betrifft die vorliegende Erfindung einen Substratstapel, gebildet aus einem ersten Substrat (2), einem zweiten Substrat (4) und einer dazwischen angeordneten Verbindungsschicht (3, 3', 3", 3"', 3 IV ), wobei die Verbindungsschicht (3, 3', 3", 3'", 3 IV ) aus einem versprödbaren Material gebildet ist. Daneben betrifft die vorliegende Erfindung einen Probenhalter zur Halterung eines ersten Substrats (2) beim Lösen des ersten Substrats (2) von einem zweiten Substrat (4) mit durch Temperaturabsenkung aktivierbaren Fixiermitteln.

Abstract translation: 本发明第一基片（2）通过的脆化第二基片（4）的涉及一种方法，用于通过连接到粘接层（3,3”，3”，3" ”，3 IV）求解的第二基板（4），所述 连接层（3，3”，3”，3' ”，3IV）。 此外，本发明涉及一种相应的装置。 此外，本发明通过冷却，versprödbaren连接层（3，3”，3”，3' ‘’，3IV）涉及到与第二基板（4）与接合第一基片（2），特别的方法。此外， 本发明涉及一种用于在第一衬底（2）和第二衬底之间的化合物层（3，3”，3”，3' ”，3IV）的制备中使用的versprödbaren材料（4）以形成（从第一衬底 2）在第二衬底（4）和中间连接层（3,3 '3 “3" '3 IV）形成的基片叠（1，1'，1”，1" '，1 IV，1 V）。另外， 本发明涉及一种衬底叠层，第一衬底（2），第二基板（4）和插入的粘接层（3,3”，3”，3" ”，3 IV），其中所述粘结层（3，3的形成 ”，3”，3' ”，3IV）是versprödbaren材料形成。另外，本 发明中，为了通过降低温度定影在第二基板（4）具有可活化的所述第一衬底（2）的释放支撑第一衬底（2）一个样品架上。

公开(公告)号：WO2010105793A1

公开(公告)日：2010-09-23

申请号：PCT/EP2010/001630

申请日：2010-03-16

Applicant: EV GROUP GMBH ,  THALLNER, Erich

Inventor： THALLNER, Erich

IPC: H01L21/00

CPC classification number: B32B43/006 ,  H01L21/67092 ,  Y10S156/93 ,  Y10S156/931 ,  Y10S156/932 ,  Y10S156/941 ,  Y10S156/943 ,  Y10T156/1111 ,  Y10T156/19 ,  Y10T156/1911 ,  Y10T156/1917 ,  Y10T156/1944 ,  Y10T156/1967

Abstract: Vorrichtung zum Ablösen eines Wafers von einem mit dem Wafer durch eine Verbindungsschicht verbundenen Träger mit einer Aufnahmeeinrichtung zur Aufnahme eines aus dem Träger und dem Wafer bestehenden Träger-Wafer-Verbundes, einem Verbindungslösemittel zur Lösung der durch die Verbindungsschicht vorgesehenen Verbindung zwischen Träger und Wafer und Ablösungsmitteln zur Ablösung des Wafers von dem Träger oder zur Ablösung des Trägers von dem Wafer, wobei das Verbindungslösemittel in einem Temperaturbereich von 0 bis 350 °C, insbesondere von 10 bis 200 °C, vorzugsweise von 20 bis 80 °C, noch bevorzugter bei Umgebungstemperatur arbeitend ausgebildet ist. Weiterhin betrifft die Erfindung ein Verfahren zum Ablösen eines Wafers von einem mit dem Wafer durch eine Verbindungsschicht verbundenen Träger mit folgenden Schritten: Aufnahme eines aus dem Träger und dem Wafer bestehenden Träger-Wafer-Verbundes auf einer Aufnahmeeinrichtung, Lösung der durch die Verbindungsschicht vorgesehenen Verbindung zwischen Träger und Wafer durch ein Verbindungslösemittel und Ablösung des Wafers von dem Träger oder zur Ablösung des Trägers von dem Wafer durch Ablösungsrnitteln, wobei das Verbindungslösemittel in einem Temperaturbereich von bis 350 °C, insbesondere von 10 bis 200 °C, vorzugsweise von 20 bis 80 °C, noch bevorzugter bei Umgebungstemperatur arbeitet.

Abstract translation: 用于从由具有接收装置，用于接收由所述载体和所述晶片载体晶片复合，用于解决由载体和晶片和分离装置之间的链路层连接所提供的连接解除单元的基团的连接支撑连接到所述晶片的一部分释放晶片的装置 从载体或从晶片分离所述载体晶片的脱离，在一个温度范围内的化合物的溶剂为0〜350℃，特别是10至200℃，优选为20〜80℃，更优选在环境温度下工作的 形成。 此外，本发明涉及一种方法，用于分离通过结合层载体包括以下步骤连接到所述晶片的一部分的晶片：接收由所述载体的组和所述晶片载体晶片复合到接收设备，溶液通过之间的链路层连接设置 载体和晶片通过从载体或从由Ablösungsrnitteln，晶片分离所述载体的结合溶剂和晶片的脱离，其中，所述化合物的溶剂的温度范围内达到350℃，特别是10〜200℃，优选从20至80° ℃，更优选操作在环境温度下。

公开(公告)号：WO2007112833B1

公开(公告)日：2007-12-06

申请号：PCT/EP2007002206

申请日：2007-03-13

Applicant: THALLNER ERICH

Inventor： THALLNER ERICH

IPC: B81C99/00 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L21/6715 ,  G03F7/162

Abstract: The invention relates to a device (1) and a method for coating a micro- and/or nano-structured structural substrate (8). According to the invention, coating proceeds in a vacuum chamber (3). The pressure level in the vacuum chamber (3) is increased while or after the coating substance is fed to the vacuum chamber (3).

Abstract translation: 本发明涉及一种装置（1）和用于涂覆微的方法和/或纳米结构化基底（8）。 根据本发明的涂层是在真空腔室（3）中进行。 与涂层物质我们期间或真空腔室（3）在真空腔室（3）中的压力水平的装载后上升。