公开(公告)号：WO2023058368A1

公开(公告)日：2023-04-13

申请号：PCT/JP2022/032827

申请日：2022-08-31

Applicant: 日産化学株式会社

Inventor： 岸岡　高広

IPC: G03F7/38 ,  G03F1/60 ,  G03F1/82 ,  G03F7/038 ,  G03F7/20

Abstract: ガラス基板上に、露光により酸が発生する化学増幅型の感放射線性樹脂膜形成用組成物を用いて形成された感放射線性樹脂膜に対し、露光とその後の現像を行った際、露光部と未露光部との間での現像液溶解度に対する差を大きくして、良好なパターンを形成することができる方法を提供する。　ガラス基板の製造方法であって、前記ガラス基板上に形成された感放射線性樹脂膜を用いて光又は電子線の照射とその後の現像により前記感放射線性樹脂膜をパターン形成する前に、前記ガラス基板を酸で処理する前処理工程を含む、ガラス基板の製造方法である。

公开(公告)号：WO2014080840A1

公开(公告)日：2014-05-30

申请号：PCT/JP2013/080874

申请日：2013-11-15

Applicant: HOYA株式会社

Inventor： 宍戸　博明 ,  小湊　淳志 ,  野澤　順 ,  菊地　寿治

IPC: G03F1/50 ,  C03C17/34 ,  G03F1/60

CPC classification number: G03F1/50 ,  C03C3/06 ,  C03C17/3435 ,  C03C2218/32 ,  C03C2218/328 ,  C03C2218/34 ,  G03F1/38 ,  G03F1/60

Abstract: 　平坦度が悪化することを抑制したマスクブランク、転写用マスク、マスクブランクの製造方法、転写用マスクの製造方法、およびこの転写用マスクを用いた半導体デバイスの製造方法を提供する。　ガラス基板の主表面上に薄膜を備えるマスクブランクであって、前記ガラス基板は、水素含有量が７．４×１０ １８ 分子数／ｃｍ ３ 未満であり、前記薄膜は、タンタルを含有し、かつ水素を実質的に含有しない材料からなり、前記ガラス基板の主表面に接して形成されていることを特徴とする。

Abstract translation: 提供：在平坦度降低时抑制的掩模坯料; 传输掩码; 掩模毛坯的制造方法; 一种生产转印掩模的方法; 以及使用该转印掩模制造半导体器件的方法。 一种掩模坯料，其在玻璃基板的主表面上具有薄膜，其特征在于，所述玻璃基板的氢含量小于7.4×1018分/ cm 3; 并且所述薄膜形成为与所述玻璃基板的主表面接触，并且由包含钽但不基本上含有氢的材料形成。

公开(公告)号：WO2013157382A1

公开(公告)日：2013-10-24

申请号：PCT/JP2013/060001

申请日：2013-04-01

Applicant: 株式会社きもと

Inventor： 根岸　朋子

IPC: G03F1/48 ,  B32B17/10 ,  C08G59/24 ,  C08K5/17 ,  C08L63/00 ,  C08L83/04 ,  C09D7/12 ,  C09D163/00 ,  C09D183/04 ,  G03F1/60

CPC classification number: C09D163/00 ,  C08G59/24 ,  C08G59/50 ,  C09D183/04 ,  G03F1/48 ,  G03F1/60 ,  C08L83/04 ,  C08L63/00 ,  C08L83/00

Abstract: 　保護膜とした場合に、保護膜のハードコート性が優れ、クラックが発生せず、エポキシ樹脂とシリコーン樹脂の不相溶による塗膜の白化を防止することができるとともに、保護膜とした場合のガラスに対する接着性と耐光性を高めることができる。また、硬化剤としてアミン系化合物のみを含むため、保護液の保存安定性を向上させることができるガラスマスク用熱硬化型保護液を提供する。ガラスマスク用熱硬化型保護液を、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂及びシリコーンオイルを含み、前記エポキシ樹脂中の５０重量％以上１００重量％以下を水素化芳香族エポキシ樹脂で構成するものとする。

Abstract translation: 提供一种用于玻璃掩模的可热固化保护液。 当制成保护膜时，保护膜的硬涂层性能优异，不会发生裂纹，并且可以防止由于环氧树脂和硅树脂之间的不相容性引起的涂膜的白化。 当制成保护膜时，与玻璃的粘附性和光稳定性也可以增加。 由于仅含有胺化合物作为固化剂，因此能够提高保护液的保存稳定性。 用于玻璃掩模的可热固化保护液由硅树脂，环氧树脂和硅油组成，50重量％至100重量％的环氧树脂由氢化芳族环氧树脂构成。

公开(公告)号：WO2013146991A1

公开(公告)日：2013-10-03

申请号：PCT/JP2013/059200

申请日：2013-03-28

Applicant: HOYA株式会社

Inventor： 浜本　和宏 ,  折原　敏彦 ,  小坂井　弘文 ,  臼井　洋一 ,  笑喜　勉 ,  堀川　順一

IPC: H01L21/027 ,  G03F1/22 ,  G03F1/60

CPC classification number: G03F1/22 ,  G03F1/50 ,  G03F1/60 ,  G03F7/2004 ,  H01L21/0332 ,  H01L21/0334

Abstract: 　リソグラフィーに使用されるマスクブランク用基板であって、前記基板の転写パターンが形成される側の主表面における１μｍ×１μｍの領域を、原子間力顕微鏡で測定して得られるベアリングエリア（％）とベアリング深さ（ｎｍ）との関係において、ベアリングエリア３０％をＢＡ ３０ 、ベアリングエリア７０％をＢＡ ７０ 、ベアリングエリア３０％及び７０％に対応するベアリング深さをそれぞれＢＤ ３０ 及びＢＤ ７０ と定義したときに、前記基板の主表面が、（ＢＡ ７０ －ＢＡ ３０ ）／（ＢＤ ７０ －ＢＤ ３０ ）≧３５０（％／ｎｍ）の関係式を満足し、かつ最大高さ（Ｒｍａｘ）≦１．２ｎｍとした構成としてある。

Abstract translation: 本发明提供一种光刻用掩模板的基板，其特征在于，通过用原子力显微镜测量得到的轴承面积（％）和轴承深度（nm）之间的关系为1μm×1μm的区域 在其上形成有转印图案的基板的主表面上，如果30％的轴承面积被定义为BA30，则作为BA70的轴承面积为70％，并且对应于轴承面积为30％和70％的轴承深度为 BD30和BD70分别满足关系式（BA70-BA30）/（BD70-BD30）> 350（％/ nm），最大高度为（Rmax）<= 1.2nm。

公开(公告)号：WO0249082A2

公开(公告)日：2002-06-20

申请号：PCT/US0148031

申请日：2001-12-11

Applicant: RODEL INC

Inventor： HENDRON JEFFREY J ,  BAKER ARTHUR RICHARD III ,  BOPP JAMES ,  CRKVENAC TODD

IPC: B24B1/00 ,  B24B37/04 ,  G03F1/00 ,  G03F1/24 ,  G03F1/60 ,  H01L21/304 ,  H01L21/683 ,  H01L21/687 ,  H01L21/00

CPC classification number: B82Y40/00 ,  B24B1/005 ,  B24B37/042 ,  B82Y10/00 ,  G03F1/24 ,  G03F1/60 ,  H01L21/02024 ,  H01L21/6831 ,  H01L21/68707

Abstract: A system and method for semiconductor processing using magnetorheological finishing (MRF) includes polishing of semiconductor substrates, ceramic bodies and glass lithography masks, to a high degree of flatness by the abrasive action of a magnetorheological fluid flowing in a magnetic field.

Abstract translation: 使用磁流变整理（MRF）的半导体处理的系统和方法包括通过在磁场中流动的磁流变流体的磨蚀作用将半导体衬底，陶瓷体和玻璃光刻掩模抛光到高度的平坦度。

公开(公告)号：WO01008163A1

公开(公告)日：2001-02-01

申请号：PCT/US2000/018798

申请日：2000-07-10

IPC: C03B8/04 ,  C03B20/00 ,  C03C17/36 ,  G02B5/08 ,  G02B5/10 ,  G02B5/26 ,  G02B5/28 ,  G02B17/06 ,  G03F1/00 ,  G03F1/24 ,  G03F1/60 ,  G03F7/20 ,  G21K1/06 ,  G21K5/02 ,  H01L21/027 ,  G21K5/00 ,  C23C14/02 ,  C23C28/00

CPC classification number: B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  C03B19/1415 ,  C03B2201/07 ,  C03B2201/42 ,  G02B5/0891 ,  G02B17/0615 ,  G02B17/0636 ,  G03F1/24 ,  G03F1/60 ,  G03F7/702 ,  G03F7/70233 ,  G03F7/70283 ,  G03F7/70891 ,  G03F7/70958 ,  G21K1/062 ,  G21K2201/064 ,  G21K2201/067

Abstract: The projection lithographic method for producing integrated circuits and forming patterns with extremely small feature dimensions includes an illumination sub-system (36) for producing and directing an extreme ultraviolet soft x-ray radiation lambda from an extreme ultraviolet soft x-ray source (38); a mask stage (22) illuminated by the extreme ultraviolet soft x-ray radiation lambda produced by illumination stage and the mask stage (22) includes a pattern when illuminated by radiation lambda . A protection sub-system includes reflective multilayer coated Ti doped high purity SiO2 glass defect free surface (32) and printed media subject wafer which has a radiation sensitive surface.

Abstract translation: 用于制造集成电路和具有极小特征尺寸的图案的投影光刻方法包括用于产生和引导来自极紫外线软X射线源（38）的极紫外线软X射线辐射λ的照明子系统（36） ; 由照明级产生的极紫外线软X射线辐射λ照射的掩模台（22）和掩模台（22）包括当被辐射λ照射时的图案。 保护子系统包括具有辐射敏感表面的反射多层涂覆的Ti掺杂的高纯度SiO 2玻璃无缺陷表面（32）和印刷媒体对象晶片。

公开(公告)号：WO2021172449A1

公开(公告)日：2021-09-02

申请号：PCT/JP2021/007155

申请日：2021-02-25

Applicant: ＡＧＣ株式会社

Inventor： 東　慎也 ,  宮本　尚明 ,  古川　智己

IPC: C03C15/00 ,  C03C23/00 ,  G03F1/24 ,  G03F1/60

Abstract: ガラス基板の製造方法は、下記（Ａ）～（Ｄ）を有する。（Ａ）Ｔｉドープ石英ガラスで形成されたガラス基板を、処理容器の内部に収容する。（Ｂ）前記処理容器の内部に乾燥ガスを供給し、前記処理容器の内部の水蒸気分圧を４００Ｐａ未満に調整する。（Ｃ）前記処理容器の内部の加工ヘッドにハロゲン含有ガスを供給し、前記ハロゲン含有ガスをプラズマ化し、ハロゲンラジカルを生成する。（Ｄ）前記水蒸気分圧が４００Ｐａ未満の状態で、前記加工ヘッドと前記ガラス基板とを相対的に移動しながら、前記ハロゲンラジカルで前記ガラス基板をエッチングする。前記ガラス基板をエッチングする際に、前記ガラス基板の全体の温度が９０℃以上である。

公开(公告)号：WO2019149477A1

公开(公告)日：2019-08-08

申请号：PCT/EP2019/050306

申请日：2019-01-08

Applicant: ASML NETHERLANDS B.V.

Inventor： KUMAR, Nitish ,  QUINTANILHA, Richard ,  VAN KRAAIJ, Markus, Gerardus, Martinus, Maria ,  TSIGUTKIN, Konstantin ,  COENE, Willem, Marie, Julia, Marcel

IPC: G03F7/20 ,  G03F1/22 ,  G03F1/24 ,  G03F1/60 ,  G03F1/84 ,  G02F1/37 ,  G01N21/956 ,  G21K1/06

Abstract: Disclosed is a method of inspection for defects on a substrate, such as a reflective reticle substrate, and associated apparatuses. The method comprises performing the inspection using first inspection radiation obtained from a high harmonic generation source and having one or more first wavelengths within a first wavelength range of between 20nm and 150nm. Also disclosed is a method comprising performing (310) a coarse inspection using first inspection radiation having one or more first wavelengths within a first wavelength range; and performing (320) a fine inspection using second inspection radiation having one or more second wavelengths within a second wavelength range, said second wavelength range comprising wavelengths shorter than said first wavelength range.

公开(公告)号：WO2019035636A1

公开(公告)日：2019-02-21

申请号：PCT/KR2018/009329

申请日：2018-08-14

Applicant: 주식회사 엘지화학

Inventor： 송철옥 ,  이승헌 ,  황지영 ,  서한민 ,  배남석 ,  박진우 ,  유정선

IPC: G03F1/58 ,  G03F1/60 ,  G03F7/00 ,  G03F7/20

Abstract: 본 출원은 기판 및 그 제조 방법을 제공한다. 본 출원에서는 순차 형성된 기재층, 흑색층 및 스페이서를 포함하는 구조의 기판에서 상기 스페이서의 기재층 또는 흑색층에 대한 밀착성이 우수하고, 적합한 암색화 특성이 확보된 기판을 제공할 수 있고, 또한, 상기와 같은 기판을 열처리 등의 별도의 처리 없이도, 이물의 발생 등의 부작용이 없이 효과적으로 제조할 수 있는 제조 방법이 제공될 수 있다.

公开(公告)号：WO2015144700A3

公开(公告)日：2015-11-12

申请号：PCT/EP2015056250

申请日：2015-03-24

Applicant: ZEISS CARL SMS LTD ,  ZEISS CARL SMT GMBH

Inventor： DMITRIEV VLADIMIR ,  GEH BERND

IPC: G03F1/60 ,  G03F1/72 ,  G03F7/20 ,  G21K1/06 ,  H01L21/66

CPC classification number: G03F7/70283 ,  B82Y40/00 ,  G03F1/60 ,  G03F1/72 ,  G03F7/0002 ,  G03F7/70316 ,  G03F7/70591 ,  G21K1/062 ,  H01L22/12 ,  H01L22/20

Abstract: The invention relates to a method for generating a predetermined three-dimensional contour of a component and/or a wafer, comprising: (a) determining a deviation of an existing three-dimensional contour of the component and/or the wafer from the predetermined three-dimensional contour; (b) calculating at least one three-dimensional arrangement of laser pulses having one or more parameter sets defining the laser pulses for correcting the determined existing deviation of the three-dimensional contour from the predetermined three-dimensional contour; and (c) applying the calculated at least one three-dimensional arrangement of laser pulses on the component and/or the wafer for generating the predetermined three-dimensional contour.

Abstract translation: 本发明涉及用于产生部件和/或晶片的预定三维轮廓的方法，包括：（a）确定部件和/或晶片的现有三维轮廓与预定的三 三维轮廓; （b）计算具有一个或多个限定激光脉冲的参数组的激光脉冲的至少一个三维布置，以校正三维轮廓与预定三维轮廓的已确定的存在偏差; （c）将所计算的至少一个激光脉冲的三维布置应用于所述部件和/或所述晶片上以产生所述预定三维轮廓。