公开(公告)号：CN101826548B

公开(公告)日：2012-10-24

申请号：CN201010123974.0

申请日：2010-02-26

Applicant: 三星移动显示器株式会社

Inventor： 朴炳建 ,  梁泰勋 ,  徐晋旭 ,  赵秀范 ,  李东炫 ,  李吉远 ,  马克西姆·莉萨契克 ,  郑胤谟 ,  崔宝京 ,  朴钟力 ,  李基龙

IPC: H01L27/32 ,  H01L21/82 ,  H01L29/92 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L51/52 ,  H01L27/3265 ,  H01L2227/323

Abstract: 本发明提供了一种有机发光二极管(OLED)显示装置及其制造方法。所述OLED显示装置包括：基底，具有薄膜晶体管区域和电容器区域；缓冲层，设置在所述基底上；栅极绝缘层，设置在基底上；下电容器电极，设置在电容器区域中的栅极绝缘层上；层间绝缘层，设置在基底上；上电容器电极，设置在层间绝缘层上并且面对下电容器电极，其中，缓冲层、栅极绝缘层、层间绝缘层、下电容器电极和上电容器电极中的每个的区域具有这样的表面，在这些表面中形成形状与半导体层的晶界的形状相同的突起。所得电容器具有增加的表面面积，因此增大了电容。

公开(公告)号：CN102386090A

公开(公告)日：2012-03-21

申请号：CN201110235311.2

申请日：2011-08-16

Applicant: 三星移动显示器株式会社

Inventor： 朴炳建 ,  李卓泳 ,  朴钟力 ,  郑胤谟 ,  徐晋旭 ,  李基龙 ,  郑珉在 ,  孙榕德 ,  苏炳洙 ,  朴承圭 ,  李吉远 ,  李东炫 ,  郑在琓 ,  伊凡·马伊达楚克

IPC: H01L21/324 ,  H01L29/786 ,  H01L51/50

CPC classification number: H01L29/78675 ,  H01L21/3226 ,  H01L27/1277 ,  H01L27/3262 ,  H01L29/66757

Abstract: 一种形成多晶硅层的方法，包括：在基板上形成非晶硅层；在所述非晶硅层上形成金属催化剂；在形成所述金属催化剂的所述非晶硅层的整个表面上形成吸杂金属层；以及执行热处理。一种薄膜晶体管包括所述多晶硅层，并且一种有机发光器件包括所述薄膜晶体管。

公开(公告)号：CN101942640A

公开(公告)日：2011-01-12

申请号：CN201010224415.9

申请日：2010-07-07

Applicant: 三星移动显示器株式会社

Inventor： 罗兴烈 ,  李基龙 ,  徐晋旭 ,  郑珉在 ,  洪钟元 ,  姜有珍 ,  张锡洛 ,  梁泰勋 ,  郑胤谟 ,  苏炳洙 ,  朴炳建 ,  伊凡·马伊达楚克 ,  李东炫 ,  李吉远 ,  白原奉 ,  朴钟力 ,  崔宝京 ,  郑在琓

IPC: C23C14/24 ,  C23C16/448 ,  C23C16/455

CPC classification number: C23C16/45525 ,  C23C16/4481 ,  C23C16/45544 ,  C23C16/52 ,  Y10T137/6416

Abstract: 本发明公开一种用于沉积装置的罐和一种利用该罐的沉积装置和方法，所述罐在原料通过原子层沉积被沉积在基板上时能够保持包含在供应到沉积室的反应气体中的原料的预定量，该罐包括：主体、被配置为存储原料的原料存储器、设置在所述主体的外侧的加热器以及被配置为控制所述原料从所述原料存储器供应到所述主体的第一供给控制器。

公开(公告)号：CN102386069A

公开(公告)日：2012-03-21

申请号：CN201110241085.9

申请日：2011-08-22

Applicant: 三星移动显示器株式会社

Inventor： 朴炳建 ,  朴钟力 ,  郑胤谟 ,  李卓泳 ,  徐晋旭 ,  李基龙 ,  郑珉在 ,  孙榕德 ,  苏炳洙 ,  朴承圭 ,  李东炫 ,  李吉远 ,  郑在琓

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786 ,  H01L27/32

CPC classification number: H01L27/3244 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02667 ,  H01L21/02672 ,  H01L27/1277 ,  H01L27/3262 ,  H01L29/1033 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78609 ,  H01L29/78675 ,  H01L29/78678

Abstract: 一种形成多晶硅层的方法，包括形成第一非晶硅层和形成第二非晶硅层，使得所述第一非晶硅层和所述第二非晶硅层具有彼此不同的膜性质；和用金属催化剂使所述第一非晶硅层和所述第二非晶硅层结晶，以形成第一多晶硅层和第二多晶硅层。一种薄膜晶体管包括由所述方法形成的多晶硅层，和一种有机发光装置包括所述薄膜晶体管。

公开(公告)号：CN101866853A

公开(公告)日：2010-10-20

申请号：CN201010128599.9

申请日：2010-03-03

Applicant: 三星移动显示器株式会社

Inventor： 罗兴烈 ,  李基龙 ,  徐晋旭 ,  郑珉在 ,  洪钟元 ,  姜有珍 ,  张锡洛 ,  郑胤谟 ,  梁泰勋 ,  苏炳洙 ,  朴炳建 ,  李东炫 ,  李吉远 ,  朴钟力 ,  崔宝京 ,  伊凡·迈丹丘克 ,  白原奉 ,  郑在琓

IPC: H01L21/324 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L21/67109

Abstract: 本发明公开一种基板处理设备，其通过均匀地加热基板，在多个基板上形成薄膜和热处理基板。该基板处理设备包括处理室、其中堆叠基板的船形器皿、位于处理室外部的外部加热器、将船形器皿移进和移出处理室的输送器、位于输送器下方的下部加热器、和位于船形器皿中间的中间加热器。

公开(公告)号：CN101866853B

公开(公告)日：2012-07-18

申请号：CN201010128599.9

申请日：2010-03-03

Applicant: 三星移动显示器株式会社

Inventor： 罗兴烈 ,  李基龙 ,  徐晋旭 ,  郑珉在 ,  洪钟元 ,  姜有珍 ,  张锡洛 ,  郑胤谟 ,  梁泰勋 ,  苏炳洙 ,  朴炳建 ,  李东炫 ,  李吉远 ,  朴钟力 ,  崔宝京 ,  伊凡·迈丹丘克 ,  白原奉 ,  郑在琓

IPC: H01L21/324 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L21/67109

Abstract: 本发明公开一种基板处理设备，其通过均匀地加热基板，在多个基板上形成薄膜和热处理基板。该基板处理设备包括处理室、其中堆叠基板的船形器皿、位于处理室外部的外部加热器、将船形器皿移进和移出处理室的输送器、位于输送器下方的下部加热器、和位于船形器皿中间的中间加热器。

公开(公告)号：CN102201443A

公开(公告)日：2011-09-28

申请号：CN201110055020.5

申请日：2011-03-07

Applicant: 三星移动显示器株式会社

Inventor： 郑胤谟 ,  李基龙 ,  徐晋旭 ,  郑珉在 ,  孙榕德 ,  苏炳洙 ,  朴承圭 ,  朴炳建 ,  李东炫 ,  李吉远 ,  李卓泳 ,  朴钟力 ,  郑在琓

IPC: H01L29/78 ,  H01L27/12 ,  H01L21/336 ,  H01L21/77 ,  H01L27/32

CPC classification number: H01L29/66742 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1248 ,  H01L27/3262 ,  H01L27/3274 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78618 ,  H01L51/0081

Abstract: 本发明公开了一种基底、制造该基底的方法及包括该基底的有机发光显示装置。该基底包括：有源层，设置在基底上，有源层包括沟道区及源区和漏区；栅电极，设置在有源层上，沟道区与栅电极对应；栅极绝缘层，设置在有源层和栅电极之间；层间绝缘层，设置为覆盖有源层和栅电极，层间绝缘层具有部分地暴露有源层的第一接触孔和第二接触孔；源电极和漏电极，设置在层间绝缘层上，源区和漏区与源电极和漏电极对应；欧姆接触层，欧姆接触层设置在层间绝缘层与源电极和漏电极之间，并通过第一接触孔和第二接触孔接触源区和漏区。

公开(公告)号：CN101826548A

公开(公告)日：2010-09-08

申请号：CN201010123974.0

申请日：2010-02-26

Applicant: 三星移动显示器株式会社

Inventor： 朴炳建 ,  梁泰勋 ,  徐晋旭 ,  赵秀范 ,  李东炫 ,  李吉远 ,  马克西姆·莉萨契克 ,  郑胤谟 ,  崔宝京 ,  朴钟力 ,  李基龙

IPC: H01L27/32 ,  H01L21/82 ,  H01L29/92 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L51/52 ,  H01L27/3265 ,  H01L2227/323

Abstract: 本发明提供了一种有机发光二极管(OLED)显示装置及其制造方法。所述OLED显示装置包括：基底，具有薄膜晶体管区域和电容器区域；缓冲层，设置在所述基底上；栅极绝缘层，设置在基底上；下电容器电极，设置在电容器区域中的栅极绝缘层上；层间绝缘层，设置在基底上；上电容器电极，设置在层间绝缘层上并且面对下电容器电极，其中，缓冲层、栅极绝缘层、层间绝缘层、下电容器电极和上电容器电极中的每个的区域具有这样的表面，在这些表面中形成形状与半导体层的晶界的形状相同的突起。所得电容器具有增加的表面面积，因此增大了电容。

公开(公告)号：CN102312218A

公开(公告)日：2012-01-11

申请号：CN201110006623.6

申请日：2011-01-10

Applicant: 三星移动显示器株式会社

Inventor： 郑珉在 ,  李基龙 ,  洪钟元 ,  罗兴烈 ,  姜有珍 ,  张锡洛 ,  徐晋旭 ,  梁泰勋 ,  郑胤谟 ,  苏炳洙 ,  朴炳建 ,  李东炫 ,  李吉远 ,  白原奉 ,  朴钟力 ,  崔宝京 ,  伊凡·马伊达楚克 ,  郑在琓

IPC: C23C16/448 ,  C23C16/455 ,  C23C16/44

CPC classification number: C23C16/4481 ,  C23C16/45525 ,  C23C16/52

Abstract: 一种用于沉积装置的罐和使用罐的沉积装置，并且更为具体地，一种能够提供包含在供应到沉积室中的反应气体中的均匀量的原材料并且提高原材料供应的安全性的沉积装置的罐，以及使用罐的沉积装置。该沉积装置包括：沉积室；将反应气体供应到该沉积室的罐；以及用于将载气供应到罐的载气供应器，其中该罐包括主体、加热该主体的加热单元以及布置在该主体下方的温度测量单元。

公开(公告)号：CN102082077A

公开(公告)日：2011-06-01

申请号：CN201010517117.9

申请日：2010-10-15

Applicant: 三星移动显示器株式会社

Inventor： 李东炫 ,  李基龙 ,  徐晋旭 ,  梁泰勋 ,  郑胤谟 ,  朴炳建 ,  李吉远 ,  朴钟力 ,  崔宝京 ,  苏炳洙

IPC: H01L21/02 ,  H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L27/32 ,  H01L51/56

CPC classification number: H01L21/02672 ,  H01L21/0206 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02491 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/477 ,  H01L27/1277 ,  H01L27/3244 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/78675

Abstract: 本发明提供了一种制造多晶硅层的方法、一种使用该多晶硅层的薄膜晶体管、一种包括该多晶硅层的有机发光二极管显示装置及它们的制造方法。制造多晶硅层的方法包括：将缓冲层形成在基底上；将金属催化剂层形成在缓冲层上；使金属催化剂层中的金属催化剂扩散到缓冲层中；去除金属催化剂层；将非晶硅层形成在缓冲层上；对基底进行退火以使非晶硅层结晶成多晶硅层。薄膜晶体管包括：基底；缓冲层，设置在基底上；半导体层，设置在缓冲层上；栅绝缘层，设置在基底的上方并设置在半导体层上；栅电极，设置在栅绝缘层上；源电极和漏电极，均电连接到半导体层；金属硅化物，设置在缓冲层和半导体层之间。