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公开(公告)号：CN118889553A
公开(公告)日：2024-11-01
申请号：CN202410900650.5
申请日：2024-07-05
申请人： 国网山西省电力公司电力科学研究院 , 湖南大学
摘要： 本发明公开了一种考虑服役质量和功率裕度的风电功率调度方法及系统，方法包括步骤：获取风电机组服役质量指标；风电机组服役质量指标包括有功功率服役质量指标和无功功率服役质量指标；根据有功功率服役质量指标和可用有功功率加权求得有功功率分配因子，再基于有功功率分配因子得到有功功率分配参考指令，再基于有功功率分配参考指令进行有功功率调度；根据无功功率服役质量指标和可用无功功率加权求得无功/电压可变增益系数，再基于无功/电压可变增益系数得到无功功率分配参考指令，再基于无功功率分配参考指令进行有功功率调度。本发明具有提高风电稳定消纳和机组安全运行能力等优点。
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公开(公告)号：CN118798463A
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN202410769654.4
申请日：2024-06-14
申请人： 国网山西省电力公司电力科学研究院 , 国电南瑞南京控制系统有限公司
摘要： 本发明公开了一种基于主从博弈理论的虚拟电厂分布式协同优化运行方法，步骤包括：S1.获取虚拟电厂光伏预测出力、风电预测出力、用户侧偏好负荷和其与电网交互成本的数据，并分析虚拟电厂内部各主体的需求特点；S2.基于虚拟电厂内部各主体需求特点量化出优化目标，包括VPP运营商、VPP聚合商和负荷聚合商采用的数学模型；S3.考虑VPP内部主体的独立性，同时考虑VPP在供能侧与用户侧最优定价及调度策略之间的内在耦合关系，在保证能源交易效率和系统稳定性的同时，优化各方的策略以达到Stackelberg均衡；S4.使用遗传算法结合二次规划技术解决优化问题。本发明优化了VPP的运行效率及响应市场需求方面的实用性。
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公开(公告)号：CN118783499A
公开(公告)日：2024-10-15
申请号：CN202410803615.1
申请日：2024-06-20
申请人： 国网山西省电力公司电力科学研究院 , 华北电力大学(保定)
IPC分类号： H02J3/32 , H02J3/00 , H02J3/46 , G06N3/0442 , G06N3/0499 , G06N3/045 , G06N3/084 , G06N3/006 , G06N3/0985
摘要： 本发明属于综合能源系统优化技术领域，具体涉及一种考虑风光储协调的功率调节方法、装置、设备及介质。通过融合CEEMDAN和BiLSTM模型，采用POS算法优化BP神经网络的超参数，分别构建更加准确、可靠的风电和光伏功率预测模型。通过分析风光集群超短期预测功率曲线与历史功率曲线之间的浮动误差，统计并确定各时段出现概率最高的浮动误差，进而得到储能系统日内充放电所需调节的功率值，实现风光集群功率的平稳调节。本方案技术能够准确预测风电和光伏的出力变化，并基于预测结果制定有效的储能系统充放电策略，实现风光集群功率的平稳调节，提高电力系统的稳定性和经济性。
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公开(公告)号：CN118732768A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202410916349.3
申请日：2024-07-09
申请人： 许继电气股份有限公司 , 国网山西省电力公司电力科学研究院
IPC分类号： G05F1/567
摘要： 本发明提供了一种具有温度自适应补偿的电压变换方法及装置，属于工业测控领域。方案将输入电压利用电阻分压电路分压并输出，将分压结果利用放大电路以设定增益输出得到实测电压值；选择如下方式进行补偿：1)在电阻分压电路中输出分压结果的电阻分压电路输出端上并联热敏电阻，实现温度变化时热敏电阻阻值随之变化改变分压结果以补偿电路受温度影响带来的偏差；2)在放大电路的反馈电路中串联可调电阻元件，可调电阻元件调整为实测电压值满足电压变换的预设变比的阻值；3)在输出前还根据当前温度选择对应的电压变比补偿系数对实测电压值进行补偿后输出，电压变比补偿系数是根据预先获得的电压变比补偿系数随温度变化的对应关系得到的。
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公开(公告)号：CN118011175B
公开(公告)日：2024-06-28
申请号：CN202410420863.8
申请日：2024-04-09
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网山西省电力公司电力科学研究院
IPC分类号： G01R31/26
摘要： 本发明提供一种晶体管器件缺陷分析方法及系统，涉及半导体器件检测领域。分析方法包括：搭建缺陷检测平台，并检测缺陷检测样品的初始瞬态电容；其中，缺陷检测样品包括在衬底上形成的多个晶体管器件，晶体管器件具有金属/氧化物/半导体层叠结构，每一晶体管器件的栅极通过梳状导电结构连接至第一引脚，缺陷检测样品的衬底连接至第二引脚；搭建电磁干扰平台，并对缺陷检测样品进行电磁干扰；检测损伤瞬态电容；基于初始瞬态电容确定初始缺陷能级和初始缺陷浓度，基于损伤瞬态电容确定损伤缺陷能级和损伤缺陷浓度；确定缺陷检测样品的电磁损伤程度。通过本发明提供的分析方法，能够探测晶体管器件的微观缺陷，准确测量晶体管器件的缺陷能级。
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公开(公告)号：CN117647668A
公开(公告)日：2024-03-05
申请号：CN202311390319.5
申请日：2023-10-25
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网山西省电力公司 , 国网山西省电力公司电力科学研究院 , 国家电网有限公司
摘要： 本发明提供一种探针卡及晶圆测试系统，涉及晶圆测试领域，探针卡包括：信号转发模块和依次连接的激励装置、压电晶片与探针模块；信号转发模块用于转发检测信号和反馈信号；探针模块用于通过焊垫将检测信号发送给晶圆，并通过焊垫接收晶圆发送的反馈信号；激励装置用于输出交变电压；压电晶片用于基于激励装置输出交变电压，发生周期性形变，从而产生机械振动，以带动探针模块在焊垫上表面来回振动，使得探针模块划破焊垫上表面的氧化层与焊垫形成欧姆接触。通过本发明提供的探针卡，能够在减小针尖对焊垫施加的应力的同时，保证探针和焊垫形成良好欧姆接触，以减少探针积屑或烧针，提高晶圆测试精确度和探针寿命。
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公开(公告)号：CN116825824A
公开(公告)日：2023-09-29
申请号：CN202311096893.X
申请日：2023-08-29
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网山西省电力公司 , 国网山西省电力公司电力科学研究院 , 国家电网有限公司
IPC分类号： H01L29/267 , H01L29/06 , H01L29/78 , H01L21/336
摘要： 本发明涉及半导体领域，提供一种碳化硅与硅异质结的LDMOS器件及制造方法。所述LDMOS器件包括：硅衬底、第一导电类型阱区、第二导电类型体区、第一导电类型漂移区、源区、漏区以及栅极结构，还包括：第二导电类型埋层；第二导电类型埋层和第二导电类型体区的材料均为硅，第一导电类型漂移区和漏区的材料均为碳化硅；第一导电类型漂移区与第二导电类型埋层纵向相接，以在导电状态时在纵向相接的界面区域形成碳化硅与硅的异质结；第一导电类型漂移区与第二导电类型体区横向相接，以在导电状态时在横向相接的界面区域形成碳化硅与硅的异质结。本发明利用纵向和横向的双异质结，提高器件的击穿电压，提升载流子迁移率，降低导通电阻。
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公开(公告)号：CN118657243A
公开(公告)日：2024-09-17
申请号：CN202410681523.0
申请日：2024-05-29
申请人： 国网山西省电力公司电力科学研究院
IPC分类号： G06Q10/04 , G06Q50/06 , G06F18/241 , G06F18/2131 , G06N3/0442 , G06N3/049
摘要： 本发明属于信息技术领域，公开了一种基于多变量时序分解与多模型组合的光伏发电功率预测方法，该方法包括：相关性筛选、季节性趋势分解、时域和频域注意力、多模型融合预测、零出力调整。本发明确定基于多变量时序分解与多模型组合的预测方法在光伏发电功率预测中具有最优效果。该模型成功整合了STL分解、BiLSTM和TCN、时域和频域注意力机制的优势，既能精细捕捉光伏功率的季节性循环模式，又能准确建模其长期趋势演变，从而实现对光伏功率输出的精准预测，为光伏电站的运行优化、虚拟电厂调度及能源市场决策提供了有力支持。
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公开(公告)号：CN116930594B
公开(公告)日：2023-12-15
申请号：CN202311178015.2
申请日：2023-09-13
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网山西省电力公司 , 国网山西省电力公司电力科学研究院 , 国家电网有限公司
摘要： 本发明提供一种半导体器件原位微区电流分布检测方法及系统，属于半导体器件检测领域，该方法包括：搭建NV色心检测平台；对半导体器件检测样品施加电流，使其导通；利用NV色心检测平台检测半导体器件检测样品正面的磁场强度；利用傅里叶变换、毕奥‑萨伐尔定律、电流密度连续性方程和半导体器件检测样品正面的磁场强度计算半导体器件检测样品正面的原位微区电流密度，以确定半导体器件原位微区电流分布。通过本发明提供的方法，能够探测半导体器件的磁场信号，从而反演获得半导体器件内部微区电流信息，实现半导体器件原位微区电流分布检测，获得半导体器件中载流子实际的输运过程，指导半导体器件设计。
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公开(公告)号：CN116875932B
公开(公告)日：2023-12-05
申请号：CN202311148466.1
申请日：2023-09-07
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网山西省电力公司 , 国网山西省电力公司电力科学研究院 , 国家电网有限公司
摘要： 本发明涉及表面涂层技术领域，公开了一种用于等离子喷涂的粉料、表面涂层的制备方法和表面涂层及应用。基于所述用于等离子喷涂的粉料的总重，所述粉料包括：硅粉40‑60wt%、碳化硅粉10‑20wt%、碳粉20‑40wt%和聚乙烯醇0.2‑1.5wt%。采用本发明提供的粉料作为喷涂料对石墨或金属基板的表面进行等离子喷涂，可得到一种含有氮掺杂的碳化硅与碳材料的复合表面涂层。该表面涂层具有良好的导电性能和导热性能，同时在衬底表面的附着力好，抗冲击强度和耐高温性能满足使用要求，能够显著提高离子注入机石墨或金属内衬的有效防护寿命。
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