公开(公告)号：CN104183476A

公开(公告)日：2014-12-03

申请号：CN201410065865.6

申请日：2014-02-26

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 中村浩二郎 ,  吉野道朗 ,  古重彻

IPC: H01L21/301 ,  B28D5/00

CPC classification number: B28D5/023 ,  B28D5/0058

Abstract: 本发明提供一种切削残余部除去装置，其目的在于提高晶片的生产成品率。根据本发明，第一喷嘴(30)喷射流体而在切削残余部(601)与晶片列(60)之间设置间隙，保持臂(710)使切削残余部(601)旋转，而扩宽切削残余部(601)与晶片列(60)之间的间隙且使切片基座(50)与切削残余部(601)剥离，使切削残余部(601)向与切削残余部(601)分开的方向移动，从而能将切削残余部(601)从切片基座(50)除去。由此，在取出晶片(600)时，能抑制晶片(600)与切削残余部(601)接触而产生的晶片(600)的裂纹、缺口等的品质异常，进而能提高晶片的生产成品率。

公开(公告)号：CN1259200C

公开(公告)日：2006-06-14

申请号：CN01816711.X

申请日：2001-09-28

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 八木能彦 ,  宇治和博 ,  吉野道朗 ,  山本宪一

IPC: B42D15/10 ,  G06K19/07

CPC classification number: G11C5/063 ,  G06K19/07 ,  G11C5/02 ,  H01L23/4985 ,  H01L23/49855 ,  H01L25/0652 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/3511 ,  H05K1/141 ,  H05K1/144 ,  H05K3/284 ,  H05K3/3436 ,  H05K3/3447 ,  H05K2201/09181 ,  H05K2201/10159 ,  H05K2201/10303 ,  H05K2201/10674 ,  H05K2203/1572 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/48

Abstract: 本发明提供能够增大存储器容量，并且刚性卓越，耐冲击性也良好的卡型记录媒体及其制造方法。将通过在存储器用基片(21，22，70，63，65)上安装多个存储器芯片(15)构成的存储器模块(221，222，270)安装在基础基片(10)的一个面上，并且在上述基础基片(10)的另一个面上安装控制上述多个存储器工作的IC芯片(13，14，60)，将全体安装在罩子(30，31)内。

公开(公告)号：CN107523876B

公开(公告)日：2020-11-20

申请号：CN201710445532.X

申请日：2017-06-13

Applicant: 国立大学法人大阪大学 ,  松下电器产业株式会社

Inventor： 森勇介 ,  今出完 ,  小松真介 ,  吉野道朗

IPC: C30B29/40 ,  C30B9/10

Abstract: 本发明提供在Na助熔剂法下的GaN结晶生长中，面对在Ga与Na的混合变得均匀之前开始结晶培养因而变得培养不良的问题，通过改变装置构成从而使混合的均匀化、结晶培养的均匀化成为可能的手法。在具有坩埚上段和坩埚下段的两段结构的坩埚中，在坩埚上段直到Ga、Na混合完成为止将Ga、Na的混合液体倾斜保持，Ga、Na混合完成后使装置摇动从坩埚孔滴落混合液体，在种基板上均匀地进行结晶生长。

公开(公告)号：CN107523876A

公开(公告)日：2017-12-29

申请号：CN201710445532.X

申请日：2017-06-13

Applicant: 国立大学法人大阪大学 ,  松下电器产业株式会社

Inventor： 森勇介 ,  今出完 ,  小松真介 ,  吉野道朗

IPC: C30B29/40 ,  C30B9/10

Abstract: 本发明提供在Na助熔剂法下的GaN结晶生长中，面对在Ga与Na的混合变得均匀之前开始结晶培养因而变得培养不良的问题，通过改变装置构成从而使混合的均匀化、结晶培养的均匀化成为可能的手法。在具有坩埚上段和坩埚下段的两段结构的坩埚中，在坩埚上段直到Ga、Na混合完成为止将Ga、Na的混合液体倾斜保持，Ga、Na混合完成后使装置摇动从坩埚孔滴落混合液体，在种基板上均匀地进行结晶生长。

公开(公告)号：CN101156164B

公开(公告)日：2014-05-07

申请号：CN200680011593.5

申请日：2006-09-19

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 樱井大辅 ,  吉野道朗

IPC: G06K19/077 ,  G06K19/07 ,  H01L21/60 ,  H01Q1/38 ,  H01Q9/26 ,  H04B1/59 ,  H04B5/02

CPC classification number: G06K19/07749 ,  G06K19/0775 ,  H01L21/6835 ,  H01L23/49855 ,  H01L24/16 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/31 ,  H01L24/83 ,  H01L2223/6677 ,  H01L2224/0554 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/13012 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2224/26165 ,  H01L2224/274 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/293 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73104 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/8114 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81903 ,  H01L2224/83136 ,  H01L2224/8314 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83851 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01009 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01061 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/07802 ,  H01L2924/0781 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1902 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2924/30107 ,  H01Q1/22 ,  H01Q9/16 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/0555 ,  H01L2224/0556

Abstract: 一种非接触型信息存储介质，包括：至少具有存储信息的功能的半导体IC芯片(30)，和形成有用于与外围设备进行信号的交换的天线方向图(14)的树脂基板(10)；其中，设置在树脂基板(10)上的天线方向图(14)的一个端部上的天线端子(141)与IC芯片(30)的电极端子(22)以相对的方式进行安装，并且在天线方向图(14)与IC芯片(30)的电路形成面(20)之间设置有至少5μm的间隙限制用绝缘层(32)。

公开(公告)号：CN101156164A

公开(公告)日：2008-04-02

申请号：CN200680011593.5

申请日：2006-09-19

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 樱井大辅 ,  吉野道朗

IPC: G06K19/077 ,  G06K19/07 ,  H01L21/60 ,  H01Q1/38 ,  H01Q9/26 ,  H04B1/59 ,  H04B5/02

CPC classification number: G06K19/07749 ,  G06K19/0775 ,  H01L21/6835 ,  H01L23/49855 ,  H01L24/16 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/31 ,  H01L24/83 ,  H01L2223/6677 ,  H01L2224/0554 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/13012 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2224/26165 ,  H01L2224/274 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/293 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73104 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/8114 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81903 ,  H01L2224/83136 ,  H01L2224/8314 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83851 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01009 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01061 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/07802 ,  H01L2924/0781 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1902 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2924/30107 ,  H01Q1/22 ,  H01Q9/16 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/0555 ,  H01L2224/0556

Abstract: 一种非接触型信息存储介质，包括：至少具有存储信息的功能的半导体IC芯片(30)，和形成有用于与外围设备进行信号的交换的天线方向图(14)的树脂基板(10)；其中，设置在树脂基板(10)上的天线方向图(14)的一个端部上的天线端子(141)与IC芯片(30)的电极端子(22)以相对的方式进行安装，并且在天线方向图(14)与IC芯片(30)的电路形成面(20)之间设置有至少5μm的间隙限制用绝缘层(32)。

公开(公告)号：CN104347384A

公开(公告)日：2015-02-11

申请号：CN201410363842.3

申请日：2014-07-28

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 吉野道朗 ,  高桥正行 ,  松野行壮 ,  久保隆志

IPC: H01L21/304 ,  B08B3/02 ,  B08B3/12

CPC classification number: H01L21/304 ,  B08B3/02 ,  B08B3/12 ,  H01L21/02054

Abstract: 提供一种晶片清洗装置及晶片清洗方法，提高预备的清洗性。清洗装置具有：存积清洗液的水槽；对切片底座以多个晶片处于下方且浸渍于水槽的清洗液的方式进行保持的保持部；向多个相邻的晶片的间隙喷出清洗液的多个喷嘴；对多个晶片实施超声波清洗处理的超声波装置。特别是具有如下特征：多个喷嘴沿水平方向且等间隔地至少配置一列，从超声波装置产生的超声波的方向以与从多个喷嘴喷出的喷流的方向平行的方式设置。

公开(公告)号：CN103811381A

公开(公告)日：2014-05-21

申请号：CN201310549737.4

申请日：2013-11-07

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 吉野道朗 ,  中村浩二郎 ,  古重彻

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/67057 ,  B32B43/006 ,  H01L21/67092 ,  Y10T156/1111 ,  Y10T156/1126 ,  Y10T156/1153 ,  Y10T156/1911 ,  Y10T156/1933

Abstract: 本发明提供一种容易从切片基底剥离晶片的晶片剥离装置及晶片剥离方法。晶片剥离装置为将利用粘接剂粘接于切片基底的多张晶片从所述切片基底剥离的晶片剥离装置，其中具有：水槽，其对水进行储存；保持部，其将粘接有所述晶片的所述切片基底保持为使所述晶片浸渍于所述水槽的水中；第一喷嘴，其向浸渍于所述水槽的水中的晶片的侧面喷射水；托盘，其配置在所述水槽内，并收容从所述切片基底剥离了的晶片。

公开(公告)号：CN103456668A

公开(公告)日：2013-12-18

申请号：CN201310207714.5

申请日：2013-05-29

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 松野行壮 ,  吉野道朗 ,  高桥正行 ,  古重徹 ,  山本雄士

IPC: H01L21/683

CPC classification number: B32B38/10 ,  B28D5/0082 ,  Y10S156/93 ,  Y10S156/941 ,  Y10T156/1111 ,  Y10T156/1153 ,  Y10T156/1158 ,  Y10T156/1911 ,  Y10T156/1917

Abstract: 本发明涉及一种硅晶圆剥离方法以及硅晶圆剥离装置，硅晶圆剥离装置的特征在于，包括：隔热材料（3），该隔热材料（3）对通过粘接剂粘接有多个硅晶圆的激光材料（2）进行支承；感应加热线圈（5），该感应加热线圈（5）用于对激光材料（2）加热；运送结构（4），该运送结构（4）在水平方向上使隔热材料（3）相对于感应加热线圈（5）移动；吸附衬垫（6），该吸附衬垫（6）一片一片地剥离硅晶圆；以及水槽（7），该水槽（7）用于将激光材料（2）及隔热材料（3）浸渍于液体中。

公开(公告)号：CN1468177A

公开(公告)日：2004-01-14

申请号：CN01816711.X

申请日：2001-09-28

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 八木能彦 ,  宇治和博 ,  吉野道朗 ,  山本宪一

IPC: B42D15/10 ,  G06K19/07

CPC classification number: G11C5/063 ,  G06K19/07 ,  G11C5/02 ,  H01L23/4985 ,  H01L23/49855 ,  H01L25/0652 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/3511 ,  H05K1/141 ,  H05K1/144 ,  H05K3/284 ,  H05K3/3436 ,  H05K3/3447 ,  H05K2201/09181 ,  H05K2201/10159 ,  H05K2201/10303 ,  H05K2201/10674 ,  H05K2203/1572 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/48

Abstract: 本发明提供能够增大存储器容量，并且刚性卓越，耐冲击性也良好的卡型记录媒体及其制造方法。将通过在存储器用基片(21，22，70，63，65)上安装多个存储器芯片(15)构成的存储器模块(221，222，270)安装在基础基片(10)的一个面上，并且在上述基础基片(10)的另一个面上安装控制上述多个存储器工作的IC芯片(13，14，60)，将全体安装在罩子(30，31)内。