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公开(公告)号:CN102768961B
公开(公告)日:2015-07-29
申请号:CN201210114100.8
申请日:2012-04-16
申请人: 意法半导体有限公司
CPC分类号: H01L21/568 , H01L23/3128 , H01L24/19 , H01L24/96 , H01L24/97 , H01L2224/0401 , H01L2224/04105 , H01L2224/12105 , H01L2224/131 , H01L2224/16145 , H01L2224/16225 , H01L2924/01006 , H01L2924/01019 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01061 , H01L2924/01075 , H01L2924/014 , H01L2924/12042 , H01L2924/1461 , H01L2924/181 , H01L2924/00
摘要: 本公开涉及用于生产晶片级封装体的方法和对应的半导体封装体。更具体地,涉及一种半导体封装工艺,包括在重构晶片中钻孔、然后通过跨晶片的背表面抹拭某一数量的导电胶从而迫使胶进入孔中来用胶填充孔。使胶固化以形成导电接线柱。使晶片减薄,并且在晶片的前表面和背表面上形成重新分布层,而接线柱充当在重新分布层之间的互连。在备选工艺中,钻出盲孔。向晶片的前表面涂敷干膜抗蚀剂,并且使其图案化以暴露孔。从正面涂敷导电胶。为了防止胶在孔中俘获气穴,在真空下执行抹拭工艺。在固化了胶之后,减薄晶片以暴露孔中的固化的胶,并且形成了重新分布层。
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公开(公告)号:CN102186620B
公开(公告)日:2014-03-05
申请号:CN200980140650.3
申请日:2009-10-07
申请人: 黑塞有限公司
CPC分类号: B23K20/002 , B23K20/106 , B23K2101/42 , H01L21/67138 , H01L24/78 , H01L24/85 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/78313 , H01L2224/85205 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01061 , H01L2924/01068 , H01L2924/01074 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/07802 , H01L2224/48 , H01L2924/00 , H01L2924/00015
摘要: 本发明涉及一种接合装置,尤其是用于建立线状或带状材料的电导体与基片、尤其是电路基片的接触位置之间的接合连接,所述结合装置具有围绕几何的旋转轴线(D)、尤其是垂直的几何的旋转轴线可旋转的接合头,在该接合头上设有接合工具(5)和用于接合工具(5)的超声波振荡激励的超声波转换器(35)。为了有利地进一步发展现有类型的接合装置,本发明建议,超声波转换器(35)的主延伸方向(36)和/或超声波转换器在最小惯性矩的轴线的方向上的延伸方向平行于接合头的几何的旋转轴线(D)。按另一方面,本发明还涉及一种接合装置或超声波转换器(35)。
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公开(公告)号:CN103339717A
公开(公告)日:2013-10-02
申请号:CN201180066039.8
申请日:2011-03-22
申请人: 德塞拉股份有限公司
IPC分类号: H01L21/60 , H01L23/498 , H01L23/48
CPC分类号: H01L23/481 , H01L21/76802 , H01L21/76805 , H01L21/76877 , H01L21/76898 , H01L21/78 , H01L23/145 , H01L23/147 , H01L23/49827 , H01L24/11 , H01L24/16 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L24/89 , H01L24/92 , H01L2224/0401 , H01L2224/0557 , H01L2224/13009 , H01L2224/13099 , H01L2224/16225 , H01L2224/16235 , H01L2224/83 , H01L2224/9202 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01019 , H01L2924/01023 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01049 , H01L2924/01061 , H01L2924/01074 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/12042 , H01L2924/14 , H01L2924/15311 , H01L2224/05552 , H01L2924/00
摘要: 提供的微电子组件(100)包括,基本上由半导体或无机介电材料中至少一种组成的第一元件(110),第一元件(110)具有面对且与微电子元件(102)的主表面(104)附接的表面(103),复数个导电垫(106)在主表面(104)暴露,微电子元件(102)内具有有源半导体器件。第一开口(111)从第一元件(110)的暴露表面(118)朝着与微电子元件(102)附接的表面(103)延伸,第二开口(113)从第一开口(111)延伸至第一个导电垫(106),其中在第一开口与第二开口相交处,第一开口的内表面(121)和第二开口的内表面(123)相对于微电子元件(102)的主表面(104)以不同角度延伸。导电元件(114)在第一开口(111)及第二开口(113)内延伸,且可与至少一个导电垫(106)接触。
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公开(公告)号:CN103222038A
公开(公告)日:2013-07-24
申请号:CN201180056265.8
申请日:2011-11-21
申请人: 密克罗奇普技术公司
发明人: 罗恩·S·布雷思韦特 , 兰迪·L·亚克 , 丹尼尔·J·杰克森 , 格雷戈里·迪克斯
IPC分类号: H01L21/336 , H01L21/304 , H01L29/78 , H01L29/423
CPC分类号: H01L29/7802 , H01L24/32 , H01L24/33 , H01L24/37 , H01L24/40 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/84 , H01L24/85 , H01L27/0617 , H01L29/42372 , H01L29/66712 , H01L2224/32245 , H01L2224/3318 , H01L2224/33181 , H01L2224/37011 , H01L2224/37147 , H01L2224/40095 , H01L2224/40245 , H01L2224/45015 , H01L2224/48247 , H01L2224/4903 , H01L2224/49111 , H01L2224/83801 , H01L2224/84801 , H01L2224/85 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01061 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/14 , H01L2924/2076 , H01L2924/00 , H01L2224/45099
摘要: 一种用于生产当接通时在漏极与源极之间具有低串联电阻的功率场效晶体管FET装置的方法具有以下步骤:在半导体裸片中形成垂直功率FET;以及背面研磨所述半导体裸片至小于或等于约100μm(4密尔)或更小的厚度。
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公开(公告)号:CN103003936A
公开(公告)日:2013-03-27
申请号:CN201180028123.0
申请日:2011-06-03
申请人: 汉高公司
IPC分类号: H01L23/12
CPC分类号: C08L63/00 , C08G77/28 , C08L83/08 , H01L21/56 , H01L21/6836 , H01L23/293 , H01L23/296 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/83 , H01L25/50 , H01L2224/274 , H01L2224/27436 , H01L2224/29 , H01L2224/29101 , H01L2224/2919 , H01L2224/2929 , H01L2224/29324 , H01L2224/29339 , H01L2224/29344 , H01L2224/29347 , H01L2224/29355 , H01L2224/29364 , H01L2224/29369 , H01L2224/2937 , H01L2224/29386 , H01L2224/29388 , H01L2224/29393 , H01L2224/83191 , H01L2224/83855 , H01L2224/83856 , H01L2924/00013 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/0102 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/0104 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/01056 , H01L2924/01057 , H01L2924/01061 , H01L2924/01074 , H01L2924/01077 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/014 , H01L2924/0665 , H01L2924/0635 , H01L2924/00 , H01L2924/00014 , H01L2924/05432 , H01L2924/05442 , H01L2924/04642 , H01L2924/0503 , H01L2224/29099 , H01L2224/29199 , H01L2224/29299
摘要: 一种用涂料组合物涂覆半导体晶片的方法,其包含用脉冲的UV光固化该涂料,由此防止在回流过程中发生分层。在一种具体的实施方案中,该涂料组合物包含环氧和丙烯酸酯树脂二者。该环氧树脂可以热固化;该丙烯酸酯树脂是通过UV辐射来固化的。
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公开(公告)号:CN102132390B
公开(公告)日:2013-03-20
申请号:CN201080002443.4
申请日:2010-06-17
申请人: 松下电器产业株式会社
IPC分类号: H01L21/52 , B23K1/00 , B23K35/26 , B23K35/363 , C22C12/00
CPC分类号: C22C12/00 , B23K1/0016 , B23K1/20 , B23K35/264 , B23K35/362 , B23K2101/40 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/83 , H01L2224/291 , H01L2224/29101 , H01L2224/29111 , H01L2224/29113 , H01L2224/29118 , H01L2224/29144 , H01L2224/32245 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/73265 , H01L2224/83439 , H01L2224/838 , H01L2224/83805 , H01L2924/00014 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01012 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01032 , H01L2924/01033 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01061 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/0132 , H01L2924/01322 , H01L2924/0133 , H01L2924/014 , H01L2924/10329 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/15747 , H01L2924/181 , H01L2924/351 , H01L2924/00 , H01L2924/01014 , H01L2924/00012 , H01L2924/01007 , H01L2924/01031 , H01L2924/01049 , H01L2924/01016 , H01L2924/01083 , H01L2924/01034 , H01L2924/3512 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
摘要: 本发明是例如具有接合结构体的半导体零部件(100),该接合结构体具备半导体元件(102)、与半导体元件(102)对置的电极(103)、连接半导体元件(102)与电极(103)的以Bi为主成分的接合材料,通过接合材料(104)含有碳化合物,与现在相比可以降低接合部被半导体元件和电极的线膨胀系数之差破坏的程度。可以提供由以Bi为主成分的接合材料将半导体元件和电极接合的接合结构体等,该接合结构体与现有产品相比可以提高接合部的可靠性。
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公开(公告)号:CN102468197A
公开(公告)日:2012-05-23
申请号:CN201110058357.1
申请日:2011-02-21
申请人: 新科金朋有限公司 , 星科金朋(上海)有限公司
发明人: R·D·彭德塞
IPC分类号: H01L21/60 , H01L21/50 , H01L23/485 , H01L23/488 , H01L25/00
CPC分类号: H01L24/81 , H01L21/563 , H01L21/565 , H01L23/3121 , H01L24/16 , H01L24/73 , H01L24/83 , H01L24/90 , H01L2224/05611 , H01L2224/05624 , H01L2224/05639 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/05655 , H01L2224/1134 , H01L2224/13017 , H01L2224/13019 , H01L2224/13099 , H01L2224/13109 , H01L2224/13111 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/1601 , H01L2224/16225 , H01L2224/16235 , H01L2224/16237 , H01L2224/16238 , H01L2224/27013 , H01L2224/29109 , H01L2224/29111 , H01L2224/2919 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48247 , H01L2224/73204 , H01L2224/73265 , H01L2224/81141 , H01L2224/81191 , H01L2224/81193 , H01L2224/81345 , H01L2224/81385 , H01L2224/81801 , H01L2224/83192 , H01L2224/838 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01029 , H01L2924/01032 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01049 , H01L2924/0105 , H01L2924/01061 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/0132 , H01L2924/01322 , H01L2924/0133 , H01L2924/014 , H01L2924/0665 , H01L2924/12041 , H01L2924/12042 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/14 , H01L2924/1433 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/19041 , H05K3/325 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/3512 , H01L2924/00012
摘要: 本发明涉及半导体器件以及形成倒装芯片互连结构的方法。一种半导体器件具有半导体管芯,该半导体管芯具有形成在半导体管芯的有源表面上的多个凸块或互连结构。凸块可以具有可熔部分和非可熔部分,例如导电柱和形成在导电柱上的凸块。具有互连部位的多个导电迹线形成在衬底上。凸块宽于互连部位。掩蔽层形成在衬底的远离互连部位的区域上。凸块在压力或回流温度下被结合到互连部位,使得凸块覆盖互连部位的顶面和侧面。密封剂沉积在管芯与衬底之间的凸块周围。掩蔽层可以形成坝状物以阻挡密封剂延伸到半导体管芯之外。凸起体可以形成在互连部位或凸块上。
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公开(公告)号:CN102301469A
公开(公告)日:2011-12-28
申请号:CN200980155760.7
申请日:2009-01-30
申请人: 惠普开发有限公司
发明人: J.S.西尔威斯特
CPC分类号: H05K3/3436 , H01L24/73 , H01L2924/01006 , H01L2924/01033 , H01L2924/01061 , H01L2924/014 , H01L2924/14 , H01L2924/1433 , H05K3/3415 , H05K3/3421 , H05K3/3447 , H05K2201/10659 , H05K2201/10734 , Y02P70/613
摘要: 一种集成电路附接结构包括集成电路和封装组件。该封装组件包括包含该集成电路的封装。该封装在其角落处具有管脚并且在其底面上具有至少主要是焊球的栅格。
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公开(公告)号:CN102244042A
公开(公告)日:2011-11-16
申请号:CN201110125681.0
申请日:2006-12-14
申请人: 日立化成工业株式会社
CPC分类号: H05K3/323 , C08K3/04 , C08K3/08 , C09J9/02 , C09J11/04 , H01B1/22 , H01L24/29 , H01L24/83 , H01L2224/2919 , H01L2224/2929 , H01L2224/29339 , H01L2224/29344 , H01L2224/29347 , H01L2224/29355 , H01L2224/29393 , H01L2224/29499 , H01L2224/32225 , H01L2224/83101 , H01L2224/838 , H01L2924/00013 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01011 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01016 , H01L2924/01019 , H01L2924/01023 , H01L2924/01027 , H01L2924/01029 , H01L2924/01032 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01061 , H01L2924/01075 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/0665 , H01L2924/0781 , H01L2924/07811 , H01L2924/09701 , H01L2924/10253 , H01L2924/10329 , H01L2924/10336 , H01L2924/10349 , H01L2924/15788 , H01L2924/19041 , H01L2924/19043 , H05K2201/0209 , H01L2924/00 , H01L2924/3512 , H01L2924/00014 , H01L2224/29099 , H01L2224/29199 , H01L2224/29299
摘要: 本发明涉及粘接剂组合物、电路连接材料以及电路构件的连接结构。本发明还涉及粘接剂组合物在用于电路构件连接中的应用,其特征在于,所述粘接剂组合物含有含聚酯型聚氨酯树脂粘接剂成份、导电粒子和绝缘粒子,所述绝缘粒子的平均粒径Ri与所述导电粒子的平均粒径Rc之比(Ri/Rc)为120~300%,相对于100质量份的所述粘接剂成份,含有1~20质量份的所述绝缘粒子,所述粘接剂组合物将具有电路电极的电路构件彼此之间进行粘接,使得各个电路构件所具有的电路电极彼此之间被电连接。
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公开(公告)号:CN102176407A
公开(公告)日:2011-09-07
申请号:CN201110060467.1
申请日:2005-09-30
申请人: 日立化成工业株式会社
CPC分类号: H01L24/28 , C09J7/20 , C09J2201/28 , C09J2203/326 , H01L21/67132 , H01L21/6835 , H01L21/6836 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/73 , H01L24/83 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2221/68327 , H01L2221/6839 , H01L2224/26175 , H01L2224/274 , H01L2224/2919 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48472 , H01L2224/73265 , H01L2224/7565 , H01L2224/83191 , H01L2224/83856 , H01L2225/0651 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01012 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01019 , H01L2924/0102 , H01L2924/01023 , H01L2924/01027 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01061 , H01L2924/01078 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/0665 , H01L2924/07802 , H01L2924/10253 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , Y10T156/1082 , Y10T156/1093 , Y10T428/1476 , Y10T428/24562 , Y10T428/2839 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/3512 , H01L2924/00012
摘要: 本发明是粘接片及其制造方法、以及半导体装置的制造方法及半导体装置。本发明半导体装置制造方法包括:贴合步骤,对于依次层叠剥离基材、粘接层、粘着层及基材薄膜构成的、粘接层有规定的第1平面形状且部分性形成于剥离基材上、粘着层层叠为覆盖粘接层且于其周围与剥离基材接触的粘接片,剥下由粘接层、粘着层及基材薄膜所成的层叠体,隔着粘接层贴于半导体晶片,得到附层叠体半导体晶片;切割步骤,切割附层叠体半导体晶片,得到规定尺寸附层叠体半导体元件;剥离步骤,以高能量射线照射粘着层,使其粘着力降低后,剥离粘着层及基材薄膜,得到附粘接层半导体元件;粘接步骤,将附粘接层半导体元件,隔着粘接层粘接于半导体元件搭载用支持部件。
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