公开(公告)号：CN104769715A

公开(公告)日：2015-07-08

申请号：CN201380051393.2

申请日：2013-07-16

申请人： 硅联纳半导体(美国)有限公司

发明人： 杰席克·寇瑞克 ,  杨铂仪

IPC分类号： H01L27/00 ,  H01L21/77

CPC分类号： H01L21/84 ,  H01L25/16 ,  H01L27/1203 ,  H01L29/0626 ,  H01L29/1004 ,  H01L29/1083 ,  H01L29/1087 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/36 ,  H01L29/402 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/42304 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/4933 ,  H01L29/66181 ,  H01L29/66659 ,  H01L29/66681 ,  H01L29/66696 ,  H01L29/66704 ,  H01L29/7302 ,  H01L29/7317 ,  H01L29/735 ,  H01L29/7821 ,  H01L29/7824 ,  H01L29/7825 ,  H01L29/7835 ,  H01L29/8605 ,  H01L29/861 ,  H01L29/872 ,  H01L29/94 ,  H01L2224/13 ,  H01L2924/12032 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13062 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明涉及一种用于促进共用衬底上的功率装置集成的半导体结构，其包含：第一绝缘层，其形成于所述衬底上；及作用区域，其具有第一导电性类型，形成于所述第一绝缘层的至少一部分上。第一端子形成于所述结构的上部表面上，且与形成于所述作用区域中的具有所述第一导电性类型的至少一个其它区域电连接。具有第二导电性类型的隐埋式阱形成于所述作用区域中且与形成于所述结构的所述上部表面上的第二端子耦合。所述隐埋式阱与所述作用区域形成箝位二极管，所述箝位二极管将击穿雪崩区域定位于所述隐埋式阱与所述第一端子之间。所述功率装置中的至少一者的击穿电压随所述隐埋式阱的特性而变。

公开(公告)号：CN101752419B

公开(公告)日：2015-03-18

申请号：CN200910211539.0

申请日：2009-11-04

申请人： 半导体元件工业有限责任公司

发明人： G·H·罗切尔特

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28

CPC分类号： H01L29/402 ,  H01L21/2815 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/4175 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/66659 ,  H01L29/66689 ,  H01L29/66696 ,  H01L29/7816 ,  H01L29/7835

摘要： 一种电子器件包括晶体管，其中电子器件可包括具有主表面的半导体层、沟道区、栅电极、源极区、传导电极，以及位于半导体层的主表面和传导电极之间的绝缘层。绝缘层具有第一区和第二区，其中第一区比第二区薄。沟道区、栅电极、源极区或其任意组合离第一区比离第二区近。较薄部分可允许晶体管更快速的转换，而更厚部分可允许横跨绝缘层设置相对较大的电压差。还描述了晶体管在绝缘层的不同区之间的过渡的可选形状以及实现此形状的示范性方法。

公开(公告)号：CN101937913B

公开(公告)日：2014-09-10

申请号：CN201010196580.8

申请日：2010-06-03

申请人： 半导体元件工业有限责任公司

发明人： G·H·罗切尔特 ,  G·M·格里瓦纳

IPC分类号： H01L27/02 ,  H01L23/52 ,  H01L29/06 ,  H01L21/77 ,  H01L21/768

CPC分类号： H01L21/823892 ,  H01L21/2815 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823828 ,  H01L27/092 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/1083 ,  H01L29/4175 ,  H01L29/41758 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/66659 ,  H01L29/66689 ,  H01L29/66696 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明涉及一种包括阱区的电子器件。包括集成电路的电子器件可包括隐埋传导区和覆盖在隐埋传导区上的半导体层，以及延伸通过半导体层并电连接到隐埋传导区的垂直传导结构。集成电路还可包括掺杂结构，该掺杂结构具有与隐埋传导区比较相反的传导类型、放置成与到半导体层的主表面相比更接近于相对的表面并电连接到隐埋传导区。集成电路还可包括阱区，该阱区包括半导体层的一部分，其中该部分覆盖在掺杂结构上并具有与掺杂结构比较更低的掺杂浓度。在其它实施方式中，掺杂结构可与隐埋传导区间隔开。

公开(公告)号：CN103855222A

公开(公告)日：2014-06-11

申请号：CN201310635904.7

申请日：2013-12-03

申请人： 英飞凌科技股份有限公司

发明人： A.迈泽 ,  T.施勒泽

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/10 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/402 ,  H01L29/4175 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/66666 ,  H01L29/66696 ,  H01L29/66704 ,  H01L29/7825 ,  H01L29/785

摘要： 本发明涉及半导体器件和制造半导体器件的方法。半导体器件包括晶体管，晶体管形成在具有第一主表面的半导体衬底中。晶体管包括源极区、漏极区、沟道区、漂移区段以及邻近沟道区的栅极电极，栅极电极配置为控制形成在沟道区中的沟道的传导性。沟道区和漂移区段沿第一方向设置在源极区和漏极区之间，第一方向平行于第一主表面。沟道区具有沿第一方向延伸的突脊的形状并且漂移区段包括超级结层堆叠。

公开(公告)号：CN103855221A

公开(公告)日：2014-06-11

申请号：CN201310634761.8

申请日：2013-12-03

申请人： 英飞凌科技股份有限公司

发明人： A.迈泽 ,  T.施勒泽

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/10 ,  H01L29/40 ,  H01L29/423 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/7816 ,  H01L29/0856 ,  H01L29/0873 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/404 ,  H01L29/407 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/66696 ,  H01L29/66704 ,  H01L29/7825 ,  H01L29/4175 ,  H01L21/823475 ,  H01L21/823481 ,  H01L27/088 ,  H01L29/1083 ,  H01L29/41758 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/66659 ,  H01L29/7824 ,  H01L29/7835

摘要： 本发明涉及半导体器件和制造半导体器件的方法。一种半导体器件包括在具有第一主表面的半导体衬底中形成的晶体管。该晶体管包括源极区域、漏极区域、沟道区域、漂移区和邻近于沟道区域的栅电极。栅电极被配置为控制在沟道区域中形成的沟道的传导性，沟道区域和漂移区在源极区域和漏极区域之间被沿着第一方向置放，第一方向平行于第一主表面。沟道区域具有沿着第一方向延伸的第一突脊的形状，并且晶体管包括邻近于漂移区布置的第一场板。

公开(公告)号：CN102738215A

公开(公告)日：2012-10-17

申请号：CN201210205642.6

申请日：2012-06-20

申请人： 成都芯源系统有限公司

发明人： 唐纳徳·迪斯尼

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L29/36 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/7816 ,  H01L29/086 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/456 ,  H01L29/4933 ,  H01L29/665 ,  H01L29/66689 ,  H01L29/66696

摘要： 提出了一种具有凹陷的源电极接触的横向DMOS及形成横向DMOS的方法。根据本发明实施例的横向DMOS包括凹陷的源电极接触，其中该凹陷的源电极接触包括凹陷部分，所述凹陷部分纵向延伸穿过横向DMOS的源区并与其体区接触，并且所述凹陷部分与所述源区和所述体区电气耦接。根据本发明实施例的横向DMOS不仅具有较小的尺寸而且生产成本相对低。

公开(公告)号：CN102257605A

公开(公告)日：2011-11-23

申请号：CN200980151307.9

申请日：2009-12-08

申请人： 飞兆半导体公司

发明人： 托马斯·E·格雷布斯 ,  加里·M·多尔尼 ,  丹尼尔·M·金策

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L21/26506 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/402 ,  H01L29/4175 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/456 ,  H01L29/4933 ,  H01L29/513 ,  H01L29/66696 ,  H01L29/7816

摘要： 在一种形式中，横向MOSFET包含：作用栅极，其横向定位于源极区域与漏极区域之间，所述漏极区域从单晶半导体主体的上部表面延伸到所述单晶半导体主体的底部表面；及非作用栅极，其定位于所述漏极区域上面。在另一种形式中，所述横向MOSFET包含：栅极，其横向定位于源极区域与漏极区域之间，所述漏极区域从单晶半导体主体的上部表面延伸到所述单晶半导体主体的底部表面，所述源极区域及所述漏极区域具有第一导电性类型；第二导电性类型的重主体区域，其与所述源极区域接触且位于其下面，且所述漏极区域包括接近所述栅极的边缘的经轻掺杂漏极(LDD)区域；及下沉部，其从所述单晶主体的所述上部表面延伸到所述单晶半导体主体的所述底部表面。

公开(公告)号：CN102194877A

公开(公告)日：2011-09-21

申请号：CN201110033513.9

申请日：2011-01-31

申请人： 半导体元件工业有限责任公司

发明人： G·H·罗切尔特

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/36

CPC分类号： H01L27/1203 ,  H01L21/26586 ,  H01L21/2815 ,  H01L21/84 ,  H01L29/0626 ,  H01L29/1045 ,  H01L29/1083 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/402 ,  H01L29/4175 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/66659 ,  H01L29/66689 ,  H01L29/66696 ,  H01L29/7816 ,  H01L29/7835

摘要： 本发明公开涉及电子器件及其形成方法。电子器件可以包括晶体管的漏极区；晶体管的沟道区；以及掺杂区，所述掺杂区布置在基本上整个沟道区下，但未布置在漏极区的基本上整个重掺杂部分下，并且与沟道区相比具有较高掺杂浓度。形成电子器件的方法可以包括形成漏极区、沟道区和掺杂区，其中漏极区具有与沟道区和掺杂区相反的导电类型。在形成漏极区、沟道区和掺杂区之后，该掺杂区被布置在基本上整个沟道区下，该掺杂区未布置在漏极区的基本上整个重掺杂部分下，以及该漏极区横向离掺杂区比离沟道区较近。

公开(公告)号：CN101471377A

公开(公告)日：2009-07-01

申请号：CN200810175591.0

申请日：2008-11-07

申请人： 东部高科股份有限公司

发明人： 高哲柱

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/7816 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/66689 ,  H01L29/66696

摘要： 本发明实施例涉及一种具有最小化的导通电阻的半导体器件。根据本发明实施例，半导体器件可以包括下列中的至少一个：形成于半导体衬底上/或上方的第一导电型阱；形成于第一导电型阱内的第二导电型本体区；形成于本体区的表面上和/或上方的第一导电型源区；形成于第一导电型阱的表面上和/或上方的第一导电型漏区。此外，根据本发明实施例，半导体器件可以包括布置在第一导电型源区和第一导电型漏区之间的场绝缘层以及形成于场绝缘层上和/或上方的栅电极。可以在比漏区低的位置处形成源区。

公开(公告)号：CN104701160B

公开(公告)日：2018-04-13

申请号：CN201410742729.6

申请日：2014-12-05

申请人： 英飞凌科技股份有限公司

发明人： H-J·舒尔策 ,  M·聪德尔 ,  A·毛德 ,  A·梅瑟 ,  F·希尔勒 ,  H·韦伯

IPC分类号： H01L21/316 ,  H01L29/40 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L29/407 ,  H01L21/0223 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/02258 ,  H01L21/225 ,  H01L21/265 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/3081 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76877 ,  H01L29/0623 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/086 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/456 ,  H01L29/66477 ,  H01L29/66696 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/7813

摘要： 提供一种制造半导体结构的方法，其可包括：在衬底中形成与n掺杂区相邻的p掺杂区；实施阳极氧化以在衬底表面上形成氧化物层，其中在表面沿n掺杂区延伸的第一部分中的氧化物层比在表面沿p掺杂区延伸的第二部分中的氧化物层具有更大的厚度。