公开(公告)号：CN104183631B

公开(公告)日：2020-01-21

申请号：CN201410222911.9

申请日：2014-05-23

申请人： 英飞凌科技股份有限公司

发明人： A·梅瑟 ,  T·施勒塞尔 ,  F·希尔勒

IPC分类号： H01L29/41 ,  H01L29/06 ,  H01L27/06 ,  H01L21/822

摘要： 一种形成在半导体衬底中的半导体器件，包括源极区域、漏极区域和栅极电极，以及被设置在源极区域与漏极区域之间的本体区域。栅极电极被设置为与本体区域的至少两侧相邻，并且源极区域和栅极电极被耦接到源极端子。在本体区域的两侧之间的本体区域的宽度被选定为使得本体区域被配置为全耗尽型。

公开(公告)号：CN105977290B

公开(公告)日：2019-03-26

申请号：CN201610140286.2

申请日：2016-03-11

申请人： 英飞凌科技股份有限公司

发明人： K·科伊普 ,  A·梅瑟 ,  T·施勒塞尔

IPC分类号： H01L29/40 ,  H01L29/423

摘要： 本发明涉及半导体器件、集成电路和制造半导体器件的方法。半导体器件包括在具有第一主表面的半导体衬底中的晶体管。该晶体管包括源极区域、漏极区域、沟道区域、漂移区和栅极电极，该栅极电极与该沟道区域的至少两侧相邻。栅极电极设置在与第一主表面平行的第一方向上延伸的沟槽中。栅极电极电耦合至栅极端子。沟道区域和漂移区沿着第一方向设置在源极区域与漏极区域之间。半导体器件进一步包括导电层，该导电层位于栅极电极下方并且与栅极电极绝缘。导电层电连接至栅极端子。

公开(公告)号：CN105977290A

公开(公告)日：2016-09-28

申请号：CN201610140286.2

申请日：2016-03-11

申请人： 英飞凌科技股份有限公司

发明人： K·科伊普 ,  A·梅瑟 ,  T·施勒塞尔

IPC分类号： H01L29/40 ,  H01L29/423

CPC分类号： H01L29/7825 ,  H01L21/823456 ,  H01L21/823481 ,  H01L21/823487 ,  H01L27/088 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/407 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/66681 ,  H01L29/7813 ,  H01L29/7823 ,  H01L29/7835 ,  H01L29/402 ,  H01L29/4238

摘要： 本发明涉及半导体器件、集成电路和制造半导体器件的方法。半导体器件包括在具有第一主表面的半导体衬底中的晶体管。该晶体管包括源极区域、漏极区域、沟道区域、漂移区和栅极电极，该栅极电极与该沟道区域的至少两侧相邻。栅极电极设置在与第一主表面平行的第一方向上延伸的沟槽中。栅极电极电耦合至栅极端子。沟道区域和漂移区沿着第一方向设置在源极区域与漏极区域之间。半导体器件进一步包括导电层，该导电层位于栅极电极下方并且与栅极电极绝缘。导电层电连接至栅极端子。

公开(公告)号：CN104465767A

公开(公告)日：2015-03-25

申请号：CN201410469693.9

申请日：2014-09-15

申请人： 英飞凌科技股份有限公司

发明人： A·梅瑟 ,  T·施勒塞尔 ,  T·迈尔

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/10 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/66704 ,  H01L21/28008 ,  H01L21/76 ,  H01L21/761 ,  H01L21/823487 ,  H01L27/088 ,  H01L29/404 ,  H01L29/407 ,  H01L29/66659 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7813 ,  H01L29/7835 ,  H01L29/78 ,  H01L29/1033 ,  H01L29/66477

摘要： 本发明公开了一种半导体器件、集成电路及半导体器件的制造方法。半导体器件包括在具有第一主表面的半导体衬底中的晶体管。该晶体管包括源区、漏区、沟道区、漂移区以及邻近沟道区的至少两个侧的栅电极。沟道区和漂移区沿平行于第一主表面的第一方向被布置在源区和漏区之间。半导体器件进一步包括在栅电极之下并且与栅电极绝缘的导电层。

公开(公告)号：CN104347625A

公开(公告)日：2015-02-11

申请号：CN201410354654.4

申请日：2014-07-24

申请人： 英飞凌科技股份有限公司

发明人： A·梅瑟 ,  M·聪德尔 ,  T·施勒塞尔

IPC分类号： H01L27/06 ,  H01L21/82

CPC分类号： H01L27/0805 ,  H01L21/7687 ,  H01L21/76877 ,  H01L27/0629 ,  H01L28/40 ,  H01L28/60 ,  H01L28/90 ,  H01L29/407

摘要： 提出一种集成电路以及制造集成电路的方法。该集成电路形成于半导体衬底中。该集成电路包括形成于该半导体衬底的第一主表面中的沟槽。该沟槽包括第一沟槽部分和第二沟槽部分。该第一沟槽部分与第二沟槽部分相连接。第一和第二沟槽部分的开口与第一主表面相邻。该集成电路进一步包括沟槽晶体管结构，沟槽晶体管结构包括设置在第一沟槽部分中的栅极电极，以及包括电容器电介质和第一电容器电极的沟槽电容器结构。电容器电介质和第一电容器电极布置在第二沟槽部分中。该第一电容器电极包括与第二沟槽部分的侧壁共形的层。

公开(公告)号：CN104217936A

公开(公告)日：2014-12-17

申请号：CN201410239980.0

申请日：2014-05-30

申请人： 英飞凌科技股份有限公司

发明人： A·梅瑟 ,  M·聪德尔

IPC分类号： H01L21/28 ,  H01L21/768

CPC分类号： H01L29/0696 ,  H01L21/28008 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/76229 ,  H01L29/407 ,  H01L29/42356 ,  H01L29/42372 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/66348 ,  H01L29/66704 ,  H01L29/7813

摘要： 本发明涉及用于制造半导体部件的方法，该半导体部件包括具有单元结构的晶体管，该单元结构具有单片集成在半导体本体中并且并联地电连接的多个晶体管单元。在示例方法中，制造第一沟槽，第一沟槽从顶侧延伸至半导体本体中；同样地制造第二沟槽，每个第二沟槽从顶侧比每个第一沟槽更深地延伸至半导体本体中。在每个第一沟槽的表面上制造第一电介质，第一电介质邻接于半导体本体的第一部分上。并且在每个第二沟槽的表面上制造第二电介质。在每个第一沟槽中，制造栅极电极，之后通过去除半导体本体的底层使半导体本体的第二部分与半导体本体的第一部分电绝缘。

公开(公告)号：CN105470140B

公开(公告)日：2019-01-04

申请号：CN201510627931.9

申请日：2015-09-28

申请人： 英飞凌科技股份有限公司

发明人： T·施勒塞尔 ,  A·梅瑟

IPC分类号： H01L21/336

摘要： 本公开涉及制造包含晶体管的半导体器件的方法包括在半导体衬底的主表面内形成场板沟槽(S400)，漂移区被限定在相邻的场板沟槽之间，在场板沟槽内形成场介电层(S410)，此后，在半导体衬底的主表面内形成栅极沟槽(S420)，沟道区域被限定在相邻的栅极沟槽之间，以及在场板沟槽的至少一些和栅极沟槽的至少一些内形成导电材料(S430)。该方法还包括在半导体衬底的主表面内形成(S440)源极区域和形成漏极区域。

公开(公告)号：CN104425484B

公开(公告)日：2017-09-08

申请号：CN201410453701.0

申请日：2014-09-05

申请人： 英飞凌科技股份有限公司

发明人： J·威尔门 ,  曹轶群 ,  U·格拉瑟 ,  M-M·赫尔 ,  J·勒邦 ,  M·迈尔霍弗 ,  A·梅瑟 ,  M·施特歇尔

IPC分类号： H01L27/02 ,  H01L21/77

CPC分类号： H01L31/173 ,  H01L27/0255 ,  H01L27/0629 ,  H01L27/15 ,  H01L29/808 ,  H02H3/20

摘要： 本发明涉及半导体部件以及触发雪崩击穿的方法。半导体部件包括配置以发射辐射的辅助半导体器件。半导体部件进一步包括半导体器件。在辅助半导体器件和半导体器件之间的电耦合和光耦合配置以，通过辅助半导体器件来触发辐射的发射，以及通过半导体器件中的对辐射的吸收来触发半导体器件中的雪崩击穿。半导体器件包括在第一导电类型的第一层与第二导电类型的掺杂半导体区之间的PN结，该第一层埋在半导体本体的表面下方，该掺杂半导体区之设置在该表面与第一层之间。

公开(公告)号：CN104347625B

公开(公告)日：2017-09-01

申请号：CN201410354654.4

申请日：2014-07-24

申请人： 英飞凌科技股份有限公司

发明人： A·梅瑟 ,  M·聪德尔 ,  T·施勒塞尔

IPC分类号： H01L27/06 ,  H01L21/82

CPC分类号： H01L27/0805 ,  H01L21/7687 ,  H01L21/76877 ,  H01L27/0629 ,  H01L28/40 ,  H01L28/60 ,  H01L28/90 ,  H01L29/407

摘要： 提出一种集成电路以及制造集成电路的方法。该集成电路形成于半导体衬底中。该集成电路包括形成于该半导体衬底的第一主表面中的沟槽。该沟槽包括第一沟槽部分和第二沟槽部分。该第一沟槽部分与第二沟槽部分相连接。第一和第二沟槽部分的开口与第一主表面相邻。该集成电路进一步包括沟槽晶体管结构，沟槽晶体管结构包括设置在第一沟槽部分中的栅极电极，以及包括电容器电介质和第一电容器电极的沟槽电容器结构。电容器电介质和第一电容器电极布置在第二沟槽部分中。该第一电容器电极包括与第二沟槽部分的侧壁共形的层。

公开(公告)号：CN105336718A

公开(公告)日：2016-02-17

申请号：CN201510468210.8

申请日：2015-08-03

申请人： 英飞凌科技股份有限公司

发明人： M·施内甘斯 ,  A·梅瑟 ,  M·米希兹 ,  M·勒斯纳 ,  M·皮恩克佐利兹

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L23/49562 ,  H01L21/4807 ,  H01L21/56 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/6836 ,  H01L21/78 ,  H01L23/291 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/49503 ,  H01L23/49582 ,  H01L23/49586 ,  H01L23/528 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/08 ,  H01L24/32 ,  H01L24/49 ,  H01L24/94 ,  H01L24/97 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/68336 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2221/68377 ,  H01L2224/03002 ,  H01L2224/0346 ,  H01L2224/03505 ,  H01L2224/03602 ,  H01L2224/0391 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05556 ,  H01L2224/05576 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05687 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/08245 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0532 ,  H01L2924/05341 ,  H01L2924/05432 ,  H01L2924/05442 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/20109 ,  H01L2924/2011 ,  H01L2924/20111 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207 ,  H01L2224/03

摘要： 一种用于形成半导体器件的方法，其包括：在半导体衬底中形成器件区域，半导体衬底包括第一侧和第二侧。器件区域与第一侧邻近地形成。该方法还包括：在半导体衬底的第一侧之上形成种子层；在种子层之上形成经图案化的抗蚀剂层。在经图案化的抗蚀剂层内在种子层之上形成接触焊盘。该方法还包括：在形成接触焊盘之后，去除经图案化的抗蚀剂层，以露出种子层的在经图案化的抗蚀剂层之下的部分；以及在种子层的露出的部分之上形成保护层。