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公开(公告)号：CN111736436A
公开(公告)日：2020-10-02
申请号：CN202010721198.8
申请日：2017-03-28
申请人： ASML荷兰有限公司
IPC分类号： G03F7/20 , G01N21/956 , G01N21/47
摘要： 一种方法，包括：获得使用图案化工艺处理的衬底上的量测目标的测量，该测量是使用测量辐射获得的；以及从测量导出图案化工艺的感兴趣参数，其中感兴趣参数由堆叠差异参数校正，堆叠差异参数表示目标的相邻周期性结构之间或量测目标与衬底上的另一相邻目标之间的物理配置中的非设计差异。
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公开(公告)号：CN111316172A
公开(公告)日：2020-06-19
申请号：CN201880072181.5
申请日：2018-10-08
申请人： ASML荷兰有限公司
发明人： A·J·登博夫 , R·J·A·范登厄特拉尔
IPC分类号： G03F7/20
摘要： 用于确定与衬底上的至少一个结构有关的感兴趣的特性的量测设备和方法。量测设备包括传感器和光学系统。传感器用于检测入射在传感器上的辐射的特性。光学系统包括照射路径和检测路径。光学系统被配置为利用经由照射路径从源接收的辐射来照射至少一个结构。光学系统被配置为接收由至少一个结构散射的辐射，并且经由检测路径将接收的辐射透射至传感器。
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公开(公告)号：CN107111250B
公开(公告)日：2019-10-11
申请号：CN201580071813.2
申请日：2015-10-30
申请人： ASML荷兰有限公司
IPC分类号： G03F7/20
摘要： 一种方法包括根据目标的测量值来确定目标的结构不对称的类型，以及执行目标的光学测量的模拟以确定与不对称类型相关联的不对称参数的值。一种方法包括执行目标的光学测量的模拟以确定与根据目标的测量值确定的目标的结构不对称的类型相关联的不对称参数的值，以及分析不对称参数对于与目标相关联的目标形成参数的变化的敏感度。一种方法包括使用被目标衍射的辐射的测量参数来确定目标的结构不对称参数，以及基于对于与目标相关联的目标形成参数的变化最不敏感的结构不对称参数来确定目标的测量光束的属性。
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公开(公告)号：CN108604065A
公开(公告)日：2018-09-28
申请号：CN201680081072.0
申请日：2016-12-07
申请人： ASML荷兰有限公司
摘要： 一种方法，包括：利用具有第一偏振的第一辐射束(940)照射量测目标(T)的至少第一周期结构(1010)，利用具有不同的第二偏振的第二辐射束(950)照射量测目标(T)的至少第二周期结构(1000)，将从第一周期结构(1010)衍射的辐射与从第二周期结构(1000)衍射的辐射进行组合以引起干涉，以及根据检测的组合辐射确定感兴趣的参数。
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公开(公告)号：CN105980932B
公开(公告)日：2018-08-03
申请号：CN201480075272.6
申请日：2014-11-20
申请人： ASML荷兰有限公司
发明人： Y·J·L·M·范多梅伦 , P·D·恩格布罗姆 , L·G·M·克塞尔斯 , A·J·登博夫 , K·布哈塔查里亚 , P·C·欣南 , M·J·A·皮特斯
IPC分类号： G03F7/20
CPC分类号： G03F7/70641 , G03F7/70683
摘要： 种用于获得与光刻过程有关的焦距信息的方法和设备。该方法包括:照射目标,该目标具有交替的第和第二结构,其中第二结构的形式是依赖于焦距的,而第结构的形式不具有与第二结构的形式相同的焦距依赖性;以及检测由目标重定向的辐射,以对于该目标获得表示目标的整体非对称性的非对称性测量,其中非对称性测量指示形成目标的束的焦距。种用于形成这种目标的相关联的掩模和种具有这种目标的衬底。
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公开(公告)号：CN107850862A
公开(公告)日：2018-03-27
申请号：CN201680041723.3
申请日：2016-06-28
申请人： ASML荷兰有限公司
发明人： F·G·C·比恩 , A·J·登博夫 , R·J·F·范哈伦 , P·A·J·廷尼曼斯 , A·雅玛 , I·A·莱利娜 , E·M·休瑟博斯 , H·E·切克利 , 柳星兰 , L·J·P·维尔希斯 , V·E·卡拉多 , L·P·范迪克
摘要： 描述了一种表征多个衬底的形变的方法。该方法包括以下步骤：-针对多个n个不同对准测量参数λ并且针对多个衬底测量对准标记的位置；-将位置偏差确定为n个对准标记位置测量值与标称对准标记位置之间的差值；-将位置偏差分组成数据集；-确定平均数据集；-从数据集中减去平均数据集以获取多个可变数据集；-对可变数据集执行盲源分离方法，由此将可变数据集分解为表示可变数据集的主成分的特征晶片集合；-将特征晶片集合细分成标记形变特征晶片集合和衬底形变特征晶片集合。
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公开(公告)号：CN107771271A
公开(公告)日：2018-03-06
申请号：CN201680033826.5
申请日：2016-04-18
申请人： ASML荷兰有限公司
摘要： 公开了用于测量光刻工艺的参数的方法、计算机程序和相关联的设备。方法包括如下步骤：获得包括与多个第一结构有关的结构不对称性的测量的第一测量，结构不对称性的所述多个测量中的每一个对应于测量辐射的不同测量组合和至少第一参数的值；获得与多个目标有关的目标不对称性的多个第二测量，目标不对称性的所述多个测量中的每一个对应于所述不同测量组合中的一个；针对所述测量组合中的每一个确定描述所述第一测量与所述第二测量之间的关系的关系函数；从所述关系函数确定校正重叠值，所述校正重叠值针对归因于至少所述第一结构中的结构不对称性的结构贡献被校正。
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公开(公告)号：CN102967998B
公开(公告)日：2016-06-22
申请号：CN201210311034.3
申请日：2012-08-28
申请人： ASML荷兰有限公司
发明人： S·G·J·玛蒂吉森 , A·J·登博夫
IPC分类号： G03F7/20
CPC分类号： G01B9/02007 , G01B9/02015 , G01B11/0675 , G03F9/7034
摘要： 本发明公开了用于光刻设备的水平传感器布置、光刻设备以及器件制造方法。进一步地，本发明公开了一种测量光刻设备中的衬底上的至少一个大体反射性层表面的位置的方法以及相关的水平传感器和光刻设备。所述方法包括使用宽带光源执行至少两次干涉测量。在每一次测量之间，改变宽带源束的构成波长和/或在构成波长上的强度水平，使得在仅强度水平变化的情况下，对于束的构成波长的至少一部分所述强度变化不同。替换地，也可以应用单次测量和测量的随后的用以获得测量数据的处理(其中构成波长和/或在构成波长上的强度水平不同)以获得位置。
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公开(公告)号：CN105190446A
公开(公告)日：2015-12-23
申请号：CN201480025903.3
申请日：2014-04-25
申请人： ASML荷兰有限公司
IPC分类号： G03F9/00
CPC分类号： G03F7/70141 , G01B11/272 , G03F9/7069 , G03F9/7088 , G03F9/7092
摘要： 公开了一种对准传感器及相关方法，包括诸如白光源之类的照明源，具有可操作成在取决于波长的角度下的衍射高阶辐射的照明光栅；以及用于将衍射的辐射从至少两个相反方向递送至对准光栅上的照明光学器件。针对入射在对准光栅上的每个分量波长、以及针对每个方向，从两个相对方向的一个入射的辐射的第零阶衍射重叠了从另一方向入射的辐射的高阶衍射。这采用重叠的第零阶衍射光学放大了高阶衍射。
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