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公开(公告)号：CN101999116B
公开(公告)日：2015-05-13
申请号：CN200980112686.0
申请日：2009-03-11
申请人： 艾格瑞系统有限责任公司
CPC分类号： G11C16/08 , G06F11/1072 , G11C11/5628 , G11C11/5642 , G11C16/06 , G11C16/10
摘要： 提供了用于通过交叉页面扇区、多页面编码以及每一页面编码将数据存储在多级单元闪速存储器装置中的方法和设备。单一扇区可以跨闪速存储器装置中的多个页面存储。在每一个页面中的多个扇区设置每一页面的控制，以及用于编码和解码指定页面的代码和/或代码率，和用于解码指定页面的解码器或解码算法。还提供了多页面和字线级存取方案。
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公开(公告)号：CN104517645A
公开(公告)日：2015-04-15
申请号：CN201410206549.6
申请日：2014-05-16
申请人： 上海华虹宏力半导体制造有限公司
摘要： 本发明公开了一种闪存低速读模式控制电路，包括：电荷泵，由串联两个电阻和一个第一开关组成的第一分压电路，由两个电容串联形成的第二分压电路。第一开关用于对低速读模式的数据读取模式和电荷泵漏电模式进行切换，在数据读取模式中，两个电阻形成的第一分压通过比较器、与非门和缓冲器反馈到电荷泵的输入端，使得电荷泵的输出电压的稳定值和第一分压成比例。在电荷泵漏电模式，第二分压电路监测电荷泵的输出电压，当输出电压低于低阈值电压时，形成反馈信号到电荷泵的输入端并使电荷泵开启，当输出电压高于低阈值电压时，形成反馈信号到电荷泵的输入端并使电荷泵停止工作。本发明能大大降低整个低速读模式的平均电流，降低读取过程的功耗。
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公开(公告)号：CN104240761A
公开(公告)日：2014-12-24
申请号：CN201310229698.X
申请日：2013-06-08
申请人： 光宝科技股份有限公司
IPC分类号： G11C16/34
CPC分类号： G11C16/06 , G11C11/5642 , G11C16/26 , G11C16/3459 , G11C16/349 , G11C29/021 , G11C29/028
摘要： 本发明关于一种固态储存装置中储存状态的分布曲线估计方法，包括下列步骤：提供多个临限电压，以形成多个临限电压区间；计算位于每一临限电压区间中的存储单元数目；在该些临限电压区间中决定一位置参数区间；计算每一临限电压区间的比率值以建立一分布曲线表；于该位置参数区间决定m个候选位置参数；决定n个候选尺度参数；决定m×n个候选高斯分布曲线；以及，由m×n个候选高斯分布曲线中决定一第一高斯分布曲线并定义为该第一储存状态的分布曲线。
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公开(公告)号：CN103971738A
公开(公告)日：2014-08-06
申请号：CN201410041145.6
申请日：2014-01-27
申请人： 英飞凌科技股份有限公司
IPC分类号： G11C16/06
CPC分类号： G06F12/0246 , G11C16/06 , G11C16/10 , G11C16/24 , G11C16/3486
摘要： 提出了一种用于存储装置的自适应比特率编程的系统和方法。本公开涉及一种电子存储系统，并且更具体地涉及一种用于存储装置的自适应比特率编程的系统，以及一种用于存储装置的自适应比特率编程的方法。根据一个实施例，提供了一个用于包括多个存储单元的存储装置的自适应比特率编程的系统，其中，这些存储单元通过由电流源供应的电流的应用被配置成电可编程的，该系统包括选择装置，用于基于来自该电流源的电流的可获性选择多个存储单元用于编程。
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公开(公告)号：CN101447229B
公开(公告)日：2014-05-28
申请号：CN200810128909.X
申请日：2008-06-18
申请人： 三星电子株式会社
CPC分类号： G11C16/06 , G11C16/0483 , G11C16/16 , G11C16/30
摘要： 本公开提供集成电路闪存器件及其擦除方法。集成电路闪存器件，诸如NAND闪存器件，包括：普通闪存单元的阵列；虚闪存单元的阵列；以及擦除控制器。该擦除控制器被构造为：在该集成电路闪存器件的擦除操作期间，同时地向虚闪存单元施加与普通闪存单元不同的预定偏压。还公开了与其相关的方法。
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公开(公告)号：CN102640281B
公开(公告)日：2014-04-30
申请号：CN201080055292.9
申请日：2010-12-15
申请人： 松下电器产业株式会社
IPC分类号： H01L21/8246 , G11C16/04 , H01L27/112
CPC分类号： H01L27/112 , G11C16/0408 , G11C16/06 , H01L27/115 , H01L27/11519
摘要： 本发明公开了一种半导体存储装置。在各存储单元由一个晶体管构成的半导体存储装置中，上述存储单元由相邻的2比特形成一个扩散图案(4)，相邻的两个晶体管共用源极区域，两个漏极区域被隔离。并且，在配置有各个扩散图案(4)中的至少一列的多个阵列(120、130)中，每个阵列分别具有独立的位线。而且，在阵列分割边界部，每个阵列的位线的各个端部分别位于在一个扩散图案(4)上隔着共用的源极区域彼此隔离的两个漏极区域上。这样一来，能够确保充分的位线分离宽度，并实现面积缩减。
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公开(公告)号：CN103714841A
公开(公告)日：2014-04-09
申请号：CN201310261739.3
申请日：2007-03-26
申请人： 莫塞德技术公司
发明人： 金镇祺
CPC分类号： G06F13/4247 , G06F13/1684 , G06F13/4234 , G11C16/06 , H01L24/48 , H01L2224/32145 , H01L2224/48091 , H01L2224/48145 , H01L2224/48227 , H01L2924/00014 , H01L2924/10253 , H01L2924/12041 , H01L2924/14 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/19041 , H01L2924/00 , H01L2224/45099 , H01L2924/00012 , H01L2224/85399 , H01L2224/05599
摘要： 一种闪烁存储器系统在系统级封装（SIP）外壳中实现，所述系统包括闪烁存储器控制器和多个闪烁存储器设备。SIP涉及包括多个集成电路（芯片）的单个封装或者模块。闪烁存储器控制器被配置为和外部系统以及所述SIP中的多个存储器设备接口。所述存储器设备被配置在菊花链级联布置中，由闪烁存储器控制器通过经菊花链级联发送的命令控制。
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公开(公告)号：CN103650054A
公开(公告)日：2014-03-19
申请号：CN201280033939.7
申请日：2012-05-24
申请人： 美光科技公司
CPC分类号： G06F12/0246 , G06F3/0613 , G06F3/0659 , G06F3/0679 , G11C16/06 , G11C16/349
摘要： 存储器系统控制器可包含开关和耦合到所述开关的非易失性存储器控制电路。所述非易失性存储器控制电路可包含耦合到逻辑单元的通道控制电路。通道控制电路可经配置以将擦除命令中继到所述逻辑单元的第一逻辑单元，且在所述擦除命令正经执行于多个逻辑单元的所述第一逻辑单元上时将特定命令从所述开关中继到所述逻辑单元的第二逻辑单元。
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公开(公告)号：CN103426480A
公开(公告)日：2013-12-04
申请号：CN201310011810.2
申请日：2013-01-11
申请人： 爱思开海力士有限公司
发明人： 李炯珉
IPC分类号： G11C16/34
CPC分类号： G11C16/3459 , G11C16/06 , G11C16/24 , G11C16/26
摘要： 本发明提出了一种存储器，所述存储器包括：单元串，所述单元串包括串联连接的多个存储器单元；位线，所述位线与单元串连接；电压传送单元，所述电压传送单元被配置成响应于控制信号而将位线与感测节点电连接；以及页缓冲器，所述页缓冲器被配置成在感测时段中经由感测节点来感测位线的电压，其中，所述页缓冲器在感测时段中基于所述多个存储器单元之中的与验证目标相对应的目标存储器单元的阈值电压，来决定控制信号的电压电平。
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