公开(公告)号：CN103579330A

公开(公告)日：2014-02-12

申请号：CN201310303593.4

申请日：2013-07-18

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 李哉勋 ,  郭煐宣

IPC分类号： H01L29/778 ,  H01L29/06 ,  H01L21/335

CPC分类号： H01L29/2003 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02447 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02521 ,  H01L21/0254 ,  H01L23/291 ,  H01L29/207 ,  H01L29/365 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7781 ,  H01L29/7783 ,  H01L2924/0002 ,  H01L29/26 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/02529 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/267 ,  H01L29/42316 ,  H01L29/7787 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明公开了一种氮化物基半导体器件及其制造方法，所述氮化物基半导体器件包括在衬底上的缓冲层、在缓冲层上的氮化物基半导体层、在氮化物基半导体层内的至少一个离子注入层以及在氮化物基半导体层上的沟道层。

公开(公告)号：CN103518255A

公开(公告)日：2014-01-15

申请号：CN201280022183.6

申请日：2012-02-14

申请人： 国际商业机器公司

发明人： 邱馨莹 ,  汉述仁 ,  H·T·毛纳

IPC分类号： H01L21/335

CPC分类号： H01L29/7781 ,  B82Y10/00 ,  H01L29/42364 ,  H01L29/66462 ,  H01L51/0048 ,  H01L51/0529 ,  H01L51/0558

摘要： 具有由诸如碳纳米管或石墨烯的碳纳米结构形成的沟道并且具有减小沟道的未选通区域中的寄生电阻的带电单层的碳晶体管器件，以及制造具有用于减小寄生电阻的带电单层的碳晶体管器件的方法。例如，碳场效应晶体管包括：形成在绝缘层上的包含碳纳米结构的沟道；形成在所述沟道上的栅极结构；共形地覆盖所述栅极结构以及所述沟道的与所述栅极结构邻近的部分的DNA单层；共形地形成在所述DNA单层上的绝缘隔离物；以及通过所述沟道连接的源极接触和漏极接触。

公开(公告)号：CN103295912A

公开(公告)日：2013-09-11

申请号：CN201310189470.2

申请日：2013-05-21

申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所

发明人： 李佳 ,  冯志红 ,  蔚翠 ,  刘庆彬 ,  何泽召 ,  王晶晶

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L21/28

CPC分类号： H01L29/66045 ,  H01L29/1606 ,  H01L29/42364 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/66439 ,  H01L29/7781

摘要： 本发明公开了一种基于自对准技术的石墨烯晶体管制造方法，涉及半导体器件的制造方法技术领域。在衬底上形成石墨烯材料，在石墨烯材料上形成一层金属薄膜，利用平版印刷术形成所需要的光刻胶图形，去除未被光刻胶覆盖的地方的金属，去除未被光刻胶覆盖的地方的石墨烯，形成设计的石墨烯晶体管有源区。形成设计的源、栅和漏的金属电极，源和漏的金属电极与有源区的金属相连，并在源漏之间利用平版印刷术形成所需要的栅光刻胶图形，腐蚀掉暴漏出来的金属，在暴漏出来的石墨烯表面形成种子层，在种子层上形成栅介质，然后在栅介质上形成栅金属，最终形成石墨烯晶体管。所述方法减小栅源和栅漏之间的间距，从而提高石墨烯晶体管的性能。

公开(公告)号：CN102169899B

公开(公告)日：2013-04-24

申请号：CN201110034825.1

申请日：2011-01-30

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 麦西亚斯·派斯雷克

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L27/092

CPC分类号： H01L29/7783 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/8252 ,  H01L27/0605 ,  H01L27/092 ,  H01L29/517 ,  H01L29/7781

摘要： 本发明提供了用于n型或p型沟道晶体管的层叠结构及平面反向电路。在一实施例中，层叠结构可用于制造n型沟道晶体管。层叠结构包含一第一半导体层，具有一导带最低能阶EC1；一第二半导体层，具有一分离的空穴能阶H0；一宽能隙半导体阻挡层，位于此第一及此第二半导体层之间；一栅极介电层，位于此第一半导体层上；一栅极金属层，位于此栅极金属层上，其中此分离的空穴能阶H0低于导带最低能阶EC1，以施予零偏压至此栅极金属层。采用本发明实施例中的层叠结构的晶体管，具有增大的平均有效质量，并能急遽变换沟道载子密度及漏极电流。

公开(公告)号：CN101681695B

公开(公告)日：2013-04-10

申请号：CN200780041127.6

申请日：2007-09-06

申请人： 伊利诺伊大学评议会

发明人： J·A·罗杰斯 ,  M·梅尔特 ,  孙玉刚 ,  高興助 ,  A·卡尔森 ,  W·M·崔 ,  M·斯托伊克维奇 ,  H·江 ,  Y·黄 ,  R·G·诺奥 ,  李建宰 ,  姜晟俊 ,  朱正涛 ,  E·梅纳德 ,  安钟贤 ,  H-S·金 ,  姜达荣

IPC分类号： H01B7/06 ,  H01R35/00

CPC分类号： H01L27/0688 ,  B81B3/0078 ,  B82Y10/00 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/8221 ,  H01L21/8258 ,  H01L27/0605 ,  H01L27/1292 ,  H01L27/1446 ,  H01L27/281 ,  H01L29/0665 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/16 ,  H01L29/1602 ,  H01L29/1606 ,  H01L29/20 ,  H01L29/7781 ,  H01L29/7842 ,  H01L29/78681 ,  H01L29/78696 ,  H01L31/0203 ,  H01L51/0097 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/30105 ,  H05K1/0283 ,  H05K1/0313 ,  H05K3/20 ,  H05K2201/0133 ,  H05K2201/09045 ,  H05K2203/0271 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/80001 ,  H01L2924/00012

摘要： 在一方面，本发明提供了可拉伸的且可选地为可印刷的组件，例如半导体或电子元件，其能够在拉伸、压缩、弯曲或变形时提供良好性能，以及制造或调节这样的可拉伸组件的相关方法。为某些应用而优选的可拉伸的半导体和电子电路为柔性，此外也是可拉伸的，且因此能够显著地沿着一个或更多个轴线延长、挠曲、弯曲或其他变形。此外，本发明的可拉伸的半导体和电子电路适于范围宽泛的器件结构，以提供完全柔性的电子和光电子器件。

公开(公告)号：CN102971854A

公开(公告)日：2013-03-13

申请号：CN201180033615.9

申请日：2011-06-30

申请人： 国际商业机器公司

发明人： S-J·韩 ,  林崇勳 ,  郭德超 ,  J·常

IPC分类号： H01L29/16 ,  H01L29/417 ,  H01L51/05 ,  H01L29/786 ,  H01L29/78 ,  H01L29/778 ,  H01L21/335 ,  H01L29/165

CPC分类号： H01L29/1606 ,  B82Y10/00 ,  H01L29/165 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/41775 ,  H01L29/66431 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/7781 ,  H01L29/78 ,  H01L29/78684 ,  H01L51/0048

摘要： 一种形成半导体器件的方法，包括：在衬底上形成碳材料；在碳材料上形成栅极叠层；去除衬底的一部分以形成至少一个腔，所述腔通过碳材料的一部分和所述衬底限定；以及在至少一个腔内形成导电接触。

公开(公告)号：CN102257610A

公开(公告)日：2011-11-23

申请号：CN200980140804.9

申请日：2009-09-23

申请人： 新加坡国立大学

发明人： 巴巴罗斯·欧伊尔迈兹 ,  郑毅 ,  倪广信 ,  杜志达

IPC分类号： H01L21/8236 ,  G11C14/00 ,  G11C15/04

CPC分类号： G11C13/0014 ,  B82Y10/00 ,  G11C11/22 ,  G11C11/5657 ,  G11C11/5664 ,  G11C13/025 ,  G11C2213/35 ,  H01L29/1606 ,  H01L29/6684 ,  H01L29/7781 ,  H01L29/78391 ,  H01L29/78684

摘要： 本发明提供一种存储单元(10)，包括石墨烯层(16)，石墨烯层(16)具有代表存储单元(10)的数据值的可控电阻状态。在一个实例性的实施例中，通过使用铁电层(18)控制电阻状态来提供非易失性存储器。在实例性的实施例中，二进制“0”和“1”分别由石墨烯层(16)的低电阻状态和高电阻状态来代表，且这些状态由铁电层(18)的极化方向以非易失性方式进行切换。

公开(公告)号：CN101232046B

公开(公告)日：2011-11-16

申请号：CN200710188302.6

申请日：2007-11-16

申请人： 国际整流器公司

发明人： 丹尼尔·M·金策

IPC分类号： H01L29/778 ,  H01L29/06

CPC分类号： H01L29/2003 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/0688 ,  H01L29/1029 ,  H01L29/7781 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/7789

摘要： 一种增强型III族氮化物功率半导体器件及其制备工艺，所述器件包括沿凹陷侧壁的常闭通路。

公开(公告)号：CN102184849A

公开(公告)日：2011-09-14

申请号：CN201110106410.0

申请日：2011-04-27

申请人： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

发明人： 程新红 ,  张有为 ,  徐大伟 ,  王中建 ,  夏超 ,  何大伟 ,  俞跃辉

IPC分类号： H01L21/04 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L29/7781 ,  H01L29/1606 ,  H01L29/517

摘要： 本发明提供一种石墨烯基场效应晶体管的制备方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上具有石墨烯层，所述石墨烯层未经功能化处理；利用在所述石墨烯层表面物理吸附的水作为氧化剂与金属源反应生成金属氧化物薄膜，作为成核层；利用所述成核层，利用水作为氧化剂与铪源反应，在所述石墨烯层上生成HfO2栅介质层。相较于现有技术，本发明技术方案主要是利用物理吸附在石墨烯表面上的水作为氧化剂与金属源反应生成作为成核层的金属氧化物层，从而在后续采用原子层沉积工艺在石墨烯表面制备出均匀性和覆盖率较高的高质量HfO2栅介质薄膜，而不会在石墨烯晶格中引入会降低石墨烯基场效应晶体管性能的缺陷。

公开(公告)号：CN102169899A

公开(公告)日：2011-08-31

申请号：CN201110034825.1

申请日：2011-01-30

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 麦西亚斯·派斯雷克

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L27/092

CPC分类号： H01L29/7783 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/8252 ,  H01L27/0605 ,  H01L27/092 ,  H01L29/517 ,  H01L29/7781

摘要： 本发明提供了用于n型或p型沟道晶体管的层叠结构及平面反向电路。在一实施例中，层叠结构可用于制造n型沟道晶体管。层叠结构包含一第一半导体层，具有一导带最低能阶EC1；一第二半导体层，具有一分离的空穴能阶H0；一宽能隙半导体阻挡层，位于此第一及此第二半导体层之间；一栅极介电层，位于此第一半导体层上；一栅极金属层，位于此栅极金属层上，其中此分离的空穴能阶H0低于导带最低能阶EC1，以施予零偏压至此栅极金属层。采用本发明实施例中的层叠结构的晶体管，具有增大的平均有效质量，并能急遽变换沟道载子密度及漏极电流。