公开(公告)号：CN108155257A

公开(公告)日：2018-06-12

申请号：CN201711192048.7

申请日：2017-11-24

申请人： 北京铂阳顶荣光伏科技有限公司

发明人： 鲁因·法尔希 ,  尼尔·麦凯

IPC分类号： H01L31/032 ,  H01L31/0749 ,  C23C14/34 ,  C23C14/14

CPC分类号： C23C14/0623 ,  C23C14/0057 ,  C23C14/541 ,  C23C14/562 ,  C23C14/568 ,  H01J37/3473 ,  H01L31/0322 ,  H01L31/0324 ,  H01L31/18 ,  Y02E10/50 ,  Y02P70/521 ,  C23C14/14 ,  C23C14/34 ,  C23C14/3464 ,  H01L31/0749

摘要： 本发明提供了制造半导体结构的方法，包括步骤：在包括至少一种硫族元素的环境中在衬底上溅射银、铜、铟和镓，以沉积银、铜、铟、镓以及至少一种硫族元素的合金。合金的薄膜可以以高吞吐量沉积在连续移动的衬底上，以形成光伏电池的p型半导体吸收层。

公开(公告)号：CN107904564A

公开(公告)日：2018-04-13

申请号：CN201711138071.8

申请日：2017-11-16

申请人： 金堆城钼业股份有限公司

发明人： 席莎 ,  李晶 ,  崔玉青 ,  安耿 ,  王娜 ,  武洲 ,  朱琦

IPC分类号： C23C14/34 ,  C23C14/06

CPC分类号： C23C14/3414 ,  C23C14/0623

摘要： 本发明公开了一种二硫化钼溅射靶材的制备方法，该方法包括以下步骤：一、将二硫化钼原料粉末进行低压压制，得到二硫化钼压制坯料；二、将二硫化钼压制坯料进行粉碎，得到二硫化钼粉末；三、将二硫化钼粉末进行高压压制，得到二硫化钼成形坯料；四、将二硫化钼成形坯料进行真空低温烧结，得到二硫化钼毛坯；五、将二硫化钼毛坯进行机械加工，得到二硫化钼溅射靶材。本发明将二硫化钼原料粉末压制后粉碎得到二硫化钼粉末，提高了二硫化钼粉末的可压性和可烧结性，然后将高压压制工艺和真空低温烧结工艺相结合制备二硫化钼溅射靶材，避免了加工设备对产品尺寸的限制，扩大了二硫化钼溅射靶材的尺寸范围，提高了生产效率。

公开(公告)号：CN107686976A

公开(公告)日：2018-02-13

申请号：CN201710695375.8

申请日：2017-08-15

申请人： 上海卫星装备研究所

发明人： 兰少飞 ,  王惠芬 ,  杨碧琦 ,  张丽新 ,  刘刚 ,  徐骏

IPC分类号： C23C14/35 ,  C23C14/06 ,  C23C14/02

CPC分类号： C23C14/352 ,  C23C14/025 ,  C23C14/0623

摘要： 本发明提供一种星用二硫化钼基复合润滑膜的制备方法，采用闭合场非平衡磁控溅射MoS2靶、Ti靶和稀土氟化物靶，在工作气体Ar的作用下，通过控制MoS2靶和Ti靶的电流以及稀土氟化物靶的功率，来制备二硫化钼基复合薄膜。该薄膜不仅结构致密，减摩性能优异，而且显著改善了传统MoS2基薄膜的耐磨性，寿命提高数倍。

公开(公告)号：CN107406965A

公开(公告)日：2017-11-28

申请号：CN201580072791.1

申请日：2015-12-17

申请人： 纽升股份有限公司

发明人： D·R·霍拉斯 ,  P·保尔森 ,  D·珀森 ,  A·C·威尔

IPC分类号： C23C14/06 ,  C23C14/34 ,  C23C14/58 ,  H01L21/02

CPC分类号： H01L21/02568 ,  C22C29/00 ,  C22C32/0089 ,  C23C14/0057 ,  C23C14/0623 ,  C23C14/0694 ,  C23C14/3414 ,  C23C14/3464 ,  C23C14/5806 ,  C23C14/5866 ,  H01L21/02266 ,  H01L21/02417 ,  H01L21/02485 ,  H01L21/02614 ,  H01L21/02631 ,  H01L31/02008 ,  H01L31/0322 ,  H01L31/0323 ,  H01L31/0749 ,  H01L31/18 ,  H01L31/188 ,  H01L45/141 ,  H01L45/16 ,  H01L45/1625 ,  Y02E10/541 ,  Y02P70/521

摘要： 本发明提供了溅射沉积包含碱金属化合物的膜的方法。溅射包含一种或多种碱金属化合物和至少一种金属组分的至少一个靶以形成一个或多个相应的溅射膜。所述至少一个靶中的所述碱金属化合物与所述至少一种金属组分的原子比在15∶85至85∶15的范围内。将掺有这样的碱金属化合物的溅射膜掺入还包含一个或多个硫属化物前体膜的前体结构中。在至少一种硫属元素存在下，将所述前体结构加热以形成硫属化物半导体。所得硫属化物半导体包含高达2原子百分比的碱金属含量，其中所得硫属化物半导体的至少大部分碱金属含量来源于掺有所述碱金属化合物的所述溅射膜。所述硫属化物半导体可用于微电子器件，包括太阳能电池。

公开(公告)号：CN104300039B

公开(公告)日：2017-11-21

申请号：CN201310462186.8

申请日：2013-09-30

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 吕维伦 ,  黄俊颖 ,  李文钦

IPC分类号： H01L31/18

CPC分类号： H01L31/1876 ,  C23C14/0623 ,  C23C14/505 ,  C23C14/541 ,  C23C14/568 ,  H01L21/67115 ,  H01L31/0322 ,  H01L31/0326 ,  Y02E10/541 ,  Y02P70/521

摘要： 本发明公开了一种形成太阳能电池的方法和装置，该装置可包括具有位于沉积处理系统中的一个或多个加热元件的加热装置、从前面覆盖一个或多个加热元件的前盖以及位于背面且与前盖相配合来包围一个或多个加热元件的背部金属反射器。该方法可包括在基板装置的多个表面周围设置多个基板，其中，基板装置操作性地被连接以在真空舱内顺序地提供基板，在多个基板中的每一个的表面的上方形成吸收层，以及利用上述加热装置给多个基板中的每一个的表面加热。本发明还公开了使用加热装置制造太阳能电池的装置和方法。

公开(公告)号：CN106835044A

公开(公告)日：2017-06-13

申请号：CN201710082163.2

申请日：2017-02-15

申请人： 苏州思创源博电子科技有限公司

发明人： 不公告发明人

IPC分类号： C23C14/35 ,  C23C14/18 ,  C23C14/06 ,  C23C14/02 ,  C10M173/02

CPC分类号： C23C14/35 ,  C10M173/02 ,  C10M2209/104 ,  C10M2215/042 ,  C23C14/021 ,  C23C14/0623 ,  C23C14/185

摘要： 本发明公开了一种二硫化钼半导体薄膜材料的制备方法，该制备方法采用在上下两层二硫化钼膜层之间插入一层铜金属层，利用所插入的铜金属薄层中的自由电子对对上下两层二硫化钼膜层的电子注入效应，提高薄膜材料中的电子载流子浓度和电子迁移率，达到显著降低二硫化钼薄膜材料的电阻率值，显著提高了二硫化钼薄膜材料的导电性能，并且所形成的二硫化钼/铜/二硫化钼薄膜的结构稳定，性能可重复性强。

公开(公告)号：CN105074047B

公开(公告)日：2017-06-13

申请号：CN201480018190.8

申请日：2014-03-27

申请人： 三菱综合材料株式会社

发明人： 加藤慎司 ,  张守斌 ,  小见山昌三

IPC分类号： C23C14/34 ,  B22D13/02 ,  C22C9/00

CPC分类号： H01J37/3429 ,  B22D11/004 ,  B22D11/006 ,  B22D13/02 ,  B22D13/023 ,  B22D21/025 ,  C22C9/00 ,  C23C14/0623 ,  C23C14/3414 ,  H01J37/3423

摘要： 该圆筒型溅射靶为Cu‑Ga合金圆筒型溅射靶，其由含有15～35原子％的Ga的Cu合金所构成，所述Cu合金具有粒状结晶组织。

公开(公告)号：CN106567039A

公开(公告)日：2017-04-19

申请号：CN201610902366.7

申请日：2016-10-17

申请人： 中国石油大学(华东)

发明人： 郝兰众 ,  刘云杰 ,  韩治德 ,  薛庆忠

IPC分类号： C23C14/06 ,  C23C14/18 ,  C23C14/35

CPC分类号： C23C14/352 ,  C23C14/0623 ,  C23C14/185

摘要： 本发明公开一种MoS2/Ag/MoS2半导体薄膜材料及其制备方法，该薄膜为层状结构，由上至下依次包括顶层MoS2薄膜层、Ag金属层、底层MoS2薄膜层和本征绝缘Si基片。其制备方法，主要采用直流磁控溅射技术、利用高能电子依次轰击不同靶材表面：首先使用MoS2靶材，在Si基片表面上沉积上一层底层MoS2薄膜层；然后使用金属Ag靶材，在底层MoS2薄膜层上沉积上一层Ag金属层；最后使用MoS2靶材，在Ag金属层上沉积上一层顶层MoS2薄膜层。相对于纯MoS2薄膜产品，本发明的MoS2/Ag/MoS2半导体薄膜，其电阻率降低了4个数量级以上。本发明的工艺简单、参数控制简便；成品率高、产品质量稳定性与可靠性好，且制造成本低、适于工业化生产。

公开(公告)号：CN104169459B

公开(公告)日：2017-03-01

申请号：CN201380013651.8

申请日：2013-01-18

申请人： 纳沃萨恩公司

发明人： B·D·哈克特曼 ,  J·博尼古特 ,  钱清 ,  D·R·霍拉斯 ,  刘晓东

IPC分类号： C23C14/35 ,  H01L31/20

CPC分类号： H01L31/18 ,  C23C14/0057 ,  C23C14/0063 ,  C23C14/0623 ,  C23C14/243 ,  C23C14/3428 ,  C23C14/352 ,  C23C14/562 ,  H01J37/3405 ,  H01J37/3408 ,  H01J37/3417 ,  H01J37/3429 ,  H01J37/3435 ,  H01J37/3455 ,  H01L31/206 ,  Y02E10/50 ,  Y02P70/521

摘要： 在柔性衬底上沉积薄膜光伏电池的沉积系统包括与所述罩壳外部的环境流体地隔离的罩壳，以及在罩壳中的多个沉积室。所述多个沉积室中的至少一个沉积室包含磁控溅射装置，其将一种或多种靶材的物质流引向布置在所述多个沉积室的至少一个沉积室中的所述柔性衬底的一部分。所述罩壳中的衬底释放辊提供柔性衬底，所述柔性衬底被引导通过所述多个沉积室的每一个到达罩壳中的衬底卷取辊。所述罩壳中的至少一个导辊被配置成将所述柔性衬底引向或引出所述多个沉积室中的给定沉积室。

公开(公告)号：CN105957926A

公开(公告)日：2016-09-21

申请号：CN201610571895.3

申请日：2016-07-20

申请人： 福州大学

发明人： 俞金玲 ,  郑重明 ,  程树英 ,  赖云锋 ,  郑巧 ,  周海芳 ,  董丽美

IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L31/032 ,  H01L31/072 ,  C23C14/06 ,  C23C14/24

CPC分类号： Y02E10/50 ,  Y02P70/521 ,  H01L31/18 ,  C23C14/0623 ,  C23C14/24 ,  H01L31/0326 ,  H01L31/072

摘要： 本发明公开了一种调控铜锌锡硫/硫化铟异质结带阶的方法，用溶胶‑凝胶法制备铜锌锡硫薄膜，并在铜锌锡硫薄膜上面用真空热蒸发法在不同的基片温度下生长了硫化铟薄膜，得到铜锌锡硫/硫化铟异质结，达到调控铜锌锡硫/硫化铟异质结带阶，从而达到优化铜锌锡硫/硫化铟异质结带阶的目的。此外，本发明所用的方法简单，可操作性强，调节效果显著，容易实现，可用于铜锌锡硫薄膜太阳能电池缓冲层的制备。